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选择mos管需要考虑那些参数?

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1#
发表于 2022-2-7 10:08 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
这是si2301,Pmos管的三个VGS参数,分别说的是什么含义呢/ {" S' n5 ~* p6 f$ w# [
  N9 D: N; m# y
这个说的Vgs的范围,正负8V吗! f/ O0 }: g# q- {9 Z" F

# G6 {5 ?2 ], R1 F9 Z% s1 S0 c这个是什么意思呢?  i9 M5 ~: c) K; G% K7 k

5 r* F8 j0 n) [" r8 {: p# w; b这个是什么意思呢,Vgs(th)中的th是什么意思呢

0 d8 k5 B7 N% [* Z& J* m
* U/ j, P! y' p* w. O1 p
9 [4 U! D$ r5 H. T

* m5 i3 e+ `" C& n2 p9 C

该用户从未签到

2#
发表于 2022-2-7 11:24 | 只看该作者
这个主要是看你用在什么上面,然后根据你的应用选择参数。一般来说,考虑的参数是Vds,Ids以及Rds这三个,还有有的会考虑Ciss这个参数的
% }. c8 S: q1 `9 K

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3#
发表于 2022-2-7 13:55 | 只看该作者
再看看其他人是怎么说的
6 @" O* }! ^  |  E( F& j7 R2 e

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4#
发表于 2022-2-7 14:38 | 只看该作者
同问,求结果哈; G9 @/ U# S% c3 R
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