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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-4-7 09:18 编辑
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有多少款国产MOS管是适合在锂电池保护板中使用的呢?7 U4 Z6 R3 K2 G$ z3 B" Z
) ~: S! Y! l# H/ t9 X* ?/ [我们经常说MOS管作为锂电池保护板中的核心电子元器件,那究竟我们对于MOS管应用在* X" ^; B5 S/ p& ^ C( M+ g$ G
锂电池保护板的作用中会有多少认知呢?0 _8 z! S- e. q3 T
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+ I3 `, p2 }- p其实MOS管在锂电池的应用中是有以下5种功能:0 m9 E9 Y; |, k) }! S6 \6 M6 i3 b
; Q) e6 w" B5 f( O" z8 Q, [(1)检测过充电
9 B+ r x' n- P3 X8 r(2)检测过放电7 N9 M, W9 O+ J0 v8 d0 W1 M1 \
(3)检测充电时过电电流9 |/ {. t3 g! X4 G( ]5 V
(4)检测放电时过电电流
, P r1 J! N; i1 t( M0 n(5)检测短路时过电电流
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- e/ X0 ?9 d$ X* z# s$ j/ @+ _1 R通过以上五个功能可以看出MOS管在锂电池保护板的电路中是起着至关重要的作用,那究竟有多少款国产MOS管是适合在锂电池保护板中使用的呢?
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/ l u+ W+ b5 x8 E. p, @2 v. E目前国产MOS管中,可替换多款场效应管产品使用的具体型号为:FHS80N07、FHS80N08、FHS100N8F6A、FHS110N8F5B、FHS170N8F3A、FHD100N03D、FHS150N03C,以上7款产品都是可以应用于锂电池保护板中的。
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# x/ [) o T! z1 V# Z% i如何选择当然是一个很大的问题,具体需要看什么?当然是需要详细看产品的核心参数,毕竟不看参数谈MOS管使用的都是耍流氓:, @5 y w* E# {1 y
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1、FHS80N07场效应管
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具体产品参数,具有80A、70V的电流、电压, RDS(on) = 8.5mΩ(max) ,最高栅源电压@vgs =±25V,内阻低,耐冲击特性好的特点。
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J0 ?5 M, C( v$ E5 P+ MFHS80N07的封装形式是TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):80A;BVdss(V):70V。: _( E. e L( Y
! F9 ]1 W8 S2 |4 B! }
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2、FHS80N08场效应管3 J [9 W/ c% S8 N3 `& ~
! B8 i! b1 j1 u具体产品参数,具有80A、80V的电流、电压, RDS(on) = 8.5mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±25V,开关速度快,内阻低,耐冲击特性好的特点。: l+ R* s5 V s
1 Z4 [9 X k6 r$ c5 K" {* A/ l( `FHS80N08的封装形式是TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):80A;BVdss(V):80V。- I$ P6 S" u' E6 ]# k9 X* r* v8 Z
. ?) i5 T) v6 s8 i2 w
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1 Z4 g; o" a- o3、FHS100N8F6A场效应管
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9 e6 U8 y4 L/ S( Z9 i6 C100N8F6A场效应管的最高漏极-源极直流电压为85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其连续漏极电流为120A,在TC=25℃(Package Limited)下,其连续漏极电流为80A,在TC=125℃下,其连续漏极电流为56A。
) D: U& a; P/ J4 i
% e5 @6 v& f9 M. W: G4 B3 L最大脉冲漏极电流(IDM ):320(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为5.3mΩ;反向传输电容:18pF。
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+ [0 L$ g/ x/ e$ W7 U! R* h. Z
" r7 C+ C3 G( p5 M' I" \$ Z. c+ Y$ l G. T' A) x6 C- w6 ]
4、FHS110N8F5B场效应管& K/ q' S! W1 _. [6 ]
" v5 v+ r( {4 c$ M+ l9 v其产品参数:具有147A电流、85V电压, RDS(on) = 5.5mΩ(max),最高栅源电压 @VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),锂电池用MOS管并拥有极低输入电容的特点。
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FHS110N8F5B的主要封装形式是TO-263。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。; E( t3 A& \- x+ z3 C
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5、FHS170N8F3A场效应管3 o* @ `6 J& ~* Z
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最高漏极-源极直流电压为85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其连续漏极电流为185A,在TC=25℃(Package Limited)下,其连续漏极电流为120A,在TC=100℃下,其连续漏极电流为117.2A。
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最大脉冲漏极电流(IDM ):480(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为2.95mΩ;反向传输电容:97pF。
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9 n* j9 ^" A; v/ C' O6、FHD100N03D场效应管( J. Y. z. d4 L: _; X D
0 v- ], C5 p# t, X/ ]
作为N 沟道增强型场效应晶体管,其产品参数:其产品参数:具有100A、30V的电流、电压,RDS(on) =7.0mΩmax) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),高雪崩耐量,可靠性高。/ h( m. K# P. u7 L: g1 v$ F
1 J, H. \; B i7 d7 EFHD100N03D的封装形式是TO-252。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):1-2.5;ID(A):100A;BVdss(V):30V。最大脉冲漏极电流(IDM ):100(A);静态导通电阻:在(VGS =10V , ID=30A)状态下(typ)= 3.8mΩ、(max)=5.5mΩ,在(VGS =4.5V , ID=20A)状态下(typ)= 5.1mΩ、(max)=7.0mΩ;反向传输电容:195pF。
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7、FHS150N03C场效应管
0 e$ \1 n$ k" h) j8 a
" \. l: h' p+ S* y3 X- I3 f2 Q具体产品参数,具有150A、30V的电流、电压,RDS(on) =5.0mΩmax) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,高雪崩耐量,可靠性高,低Qgd,低RDSon。! t" A/ [' ~0 G1 I& P; p( \
0 w; _2 `# H% p9 A+ ?
FHS150N03C的封装形式是TO-263,这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):0.8-2.5;ID(A):150A;BVdss(V):30V。最大脉冲漏极电流(IDM ):600(A);静态导通电阻:在(VGS =10V , ID=50A)状态下(typ)= 2.2mΩ、(max)=4mΩ,在(VGS =4.5V , ID=30A)状态下(typ)= 2.8mΩ、(max)=5.0mΩ;反向传输电容:405pF。
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依据上述7款产品的型号参数特点,可以知道它们都是适合在锂电池保护板中使用的。; @: L! L; h) ~
5 Y- q4 D8 ^2 A# j9 S5 o7 y但在实际使用中还是需要进行测试才能选择最优解,因此建议锂电池保护板开发工程师进一步试样。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的,3 |$ {. p: |, W
1 c$ O1 h' f8 |3 l/ R! K
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