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在挠性印制板或印制板的生产过程中,以化学反应方法将不要部分的铜箔予以去除,使之形成所需的回路图形的称之为蚀刻。一般常用的蚀刻液种类有以下几种:2 S5 q* W# O b
1)氯化铁蚀刻液:
. {% {, R/ x% U! d在过去氯化铁蚀刻液被广泛使用在单面板和及内层板的蚀刻中,但因蚀刻速度慢(20- 25 u m/min)和蚀刻能力低(35-40g/L),对机器,工筰场地污染,废液没有回收价值等原因现已被氯化铜蚀刻液逐步取代。1 u. J) x: i/ y m' k
2)氯化铜蚀刻液:% r ~) J2 m; e# m
用氯化铜、盐酸、氯化钠或氯化铵配成,以氯气或氯酸钠或过氧化氢(双氧水)连续再生,成本较氯化铁蚀刻液便宜,废液也有回收价值。它具有良好的蚀刻系数,.再生控制适当蚀刻速率蚀刻能量不错。但若氯化不足,则蚀刻速度降低,水洗后产生百色氯化亚铜沉淀;若氯化过量时,则会产生游离氯气,极易侵蚀蚀刻机的金属部分。冷却后,喷嘴文常因结晶被堵塞,需常清洗。
- O4 d9 V/ H9 }; K+ a- [3)碱性氯化铜蚀刻液# m# N4 }6 M9 I4 q( b
以氯化铜、氯化铵、氨水配成;并加补助剂成份如氯化钻、氯化钠、碳酸铵、磷酸铵等,以加强蚀刻液的特性。此蚀刻液溶液稳定、安全性好、蚀刻速度快(可达70 u m/min以上),蚀刻能量天,司达70g心以上,蚀刻系数佳,可达3.5以上,有机及金属抗蚀层除银以外均可使用。
! [* i! s' S! \* g2 j各种蚀刻液和抗蚀层的适用性:
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) o( y' i) k7 m, R) d5 B9 W* m9 N* y# h+ }' `
蚀刻系数:. W$ G" G$ T2 G% _4 f9 r& s4 d
蚀刻系数=铜箔厚度/侧蚀宽度& ^! N! B# d: Z1 g! w
蚀刻系数越高说明侧蚀量越少,蚀刻质量越好。
/ a+ G% L: R7 B( [( O. Y4 q% H一般挠性印制板使用酸性氯化铜蚀刻液加工,就酸性氯化铜蚀刻液详细介绍如下:, ?: a# }5 N4 j0 z$ |! H
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酸性氯化铜蚀刻过程的主要化学反应4 e6 q; S; n- }6 h" ?* I) X5 Z1 V
在蚀刻过程中,氯化铜中的Cu2+具有氧化性,能将板面上的铜氧化成Cu1+ ,其反应如下:$ J4 j1 D6 p5 b
蚀刻反应:Cu+CuCl2->Cu,Cl2
9 Y6 k) } H& {$ _形成的CuzCl,是不易溶于水的,在有过量的CI存在下,能形成可溶性的络合离子,其反应如下:, s- s( I6 W: B, |) O2 \
络合反应:CuzCl2+4Cl ->2[CuCI3]2-
1 w! D3 G! [( Z" b8 s随着铜的蚀刻,溶液中的CI1+越来越多,蚀刻能力很快就会下降,直到最后失去效能。为了保持蚀刻能力,可以通过溶液再生的方式将Cu1+重新转变为Cu2+,使溶液继续进行正常的蚀刻。
1 e" Q3 Y. H. G _# R0 Z5 J) I) i常用的酸性氯化铜蚀刻液配方:6 X8 }, ^9 D# ^9 y; s, f
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, ]" n% {. T5 w2 V影响蚀刻速率的因素:6 W' _( H1 J6 k" F6 y( C; |
影响蚀刻速率的因素很多,影响较大的是溶液中Cl,Cu*的含量,溶液温度及Cu2+的浓度等。9 A6 U# u, t% l; X8 Q& u5 b
C含量的影响
! D4 _6 O$ F- R1 m6 I/ O在氯化铜蚀刻液中Cu2+和Cu1+实际上都是以络合离子的形式存在的。一般情况下,当溶液中含有较多的Ci时,Cu2是以[Cu2+Cijr-形式存在,Cu1+是以[CutCI,]2-的形式存在。因此,蚀刻液的配制和再生都需要CI的参与。增加氯离子的浓度可以加快蚀刻速率。添加氯离子可以提高蚀刻速率的原因是:在氯化铜溶液中疫生铜的蚀刻反应时,生产的Cu,Ci,不易溶子水,财在铜表面生成一层氯化亚铜膜,这种膜能阻挡反应的进一步进行。过量的Cl能与氯化亚铜生成可溶性的络合物[CuCl]2,从铜表面溶解下来,从而提高蚀刻速率。
% |3 R+ F' b7 bCu含量的影响% v9 g3 g( ?% |9 e' C
根据蚀刻反应,随着铜在蚀刻过程中形成一价铜离子。较微量的Cut,例如:在120g/ Cu2+的溶液中含有4g Cu1+就会对蚀刻速率产生显著的降低。所以在蚀刻操作中要保持Cut*的含量在一个低的范围丙。例如:小于2g/。并要尽快地使其重新氧化成Cu2+。
- T7 }5 c; c7 H4 q. c" G. K在实际生产中如何控制溶液中的Cu1+浓度?4 g( [/ E3 w9 U3 D
根据奈恩斯特方程式:E=Eo+(0.059/n)lg([Cu21]/[Cu1+])
8 i) _% I% W) C0 X' @从上面的公式可以看出,氧化-还原电位E与(Cu2+ICu1+)的比值有关。
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随着溶液中Cu1+的浓度不断升高,氧化-还原电位不断下降,当氧化-还原电位在530mV时,Cu1+的浓度低于0.4g/。能提供最理想的,高的和几乎恒定的蚀刻速率。所以在实际操作中都以控制溶液的氧化-还原电位来控制溶液中Cu1+的浓度。一般氧化-还原电位多控制在510-550mV之间。, B# M* J3 \6 ~
Cu2+含量的影响:
* D( }% N( K& }9 v8 D+ Z溶液中的Cu2+含量对蚀刻速率有一定影响。一般情况下,溶液中Cu2+浓度低子2克离子时,蚀刻速率较低;在2克离子时速度较高。随着蚀刻反应的不断进行,蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。当铜含量增加到一定浓度时,蚀刻速度就会卞降。为了保持蚀刻液具有恒定的蚀刻速率,必须把溶液中的含铜量控制在一定的范围内。随着溶液中铜含量的不断增加,溶液的比重也随之增加。在实际生产中采用控制溶液比重的方法来控制溶液的含铜量。在生产中比重一般控制在1.28-( r" w6 ?0 z. G( s, P
1.295(31-33° Be),此时的含铜量大约在120-150 g/之间。温度对蚀刻速率的影响:" }2 c2 V) s: j- W. Y! x
随着温度的升高,蚀刻速率加快。但是温度也不宜过高,一般控制在40-55℃范围内。温度太高会引起HCI过多地挥发,造成溶液组份比例失调。另外,如果蚀刻液温度过高,某些抗蚀层会被损坏。
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