怎样进行电磁场的屏蔽？

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怎样进行电磁场的屏蔽？
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0 Y, ^3 u0 K+ ^& Z8 H4 |0 G通常所说的 EMC 屏蔽，一般指的就是电磁屏蔽，即对电场和磁场
  K# I; v$ ?1 Z" U' e+ }2 {; d同时进行屏蔽。
电磁屏蔽也用来防止高频电磁场的影响。
交变场中，电场分量和磁场分量总是同时存在。
4 R4 C8 ^, k7 H0 K( v; {4 e知识在频率极低的范围内，干扰一般发生在近场，而近场中随着骚
扰源的特性不同，电场分量和磁场分量会有很大区别。
高压低电流骚扰源以电场为主，磁场分量可以忽略，只考虑电场的
% T" c9 R6 c/ M6 M# `. [7 ^7 P屏蔽。
低压大电流骚扰源以磁场为主，电场分量可以忽略，只考虑磁场的
屏蔽。
( b' p% j  w8 u9 i- X随着频率升高，电磁辐射能力增强，产生辐射电磁场，并趋向于远
7 S  e( O' W* |5 r! g+ F场干扰。
远场中，电场、磁场均不能忽略，要对电场和磁场同时屏蔽，即进
/ i/ \. [. P4 R9 j* d9 E行电磁屏蔽。
高频时，即使在设备内部也可能出现远场干扰，也需要进行电磁屏
蔽。
2 T/ I3 _- C8 Z采用良导体材料，能同时具备对电场和磁场（高频）屏蔽的作用。
由于高频集肤效应，对于良导体而言，集肤深度很小，电磁屏蔽体无需做得很厚。
其厚度仅取决于产品的工艺结构及机械性能。
进行电磁屏蔽时：
; Q$ u6 E* {# }  L频率在 500kHz～30MHz 范围内，屏蔽材料可选用铝材。
: _% v3 ^- D5 w- ~+ n, N5 u频率大于 30MHz 时，可选用铝、铜、铜镀银等材料。
电磁屏蔽是利用屏蔽体对干扰电磁波的吸收、反射来达到减弱干扰
能量作用的，可采用板状、盒状、筒状、柱状的屏蔽体。
电磁屏蔽体形状的选择应以减小接缝和避免腔体谐振为标准。
圆柱形机箱的屏效高于长方形机箱的屏效，电磁屏蔽设计时，优先
( N2 N9 J  p% H选用圆柱形的机箱。
5 q0 p' u5 s0 x9 E当需要屏蔽的电磁场频率接近或等于屏蔽体的某一固定频率时，应
改变屏蔽体的形状或尺寸来避开这一固定频率。
4 Z% p- O9 p7 y" [: {6 n进行电磁屏蔽设计时，屏蔽体上的孔缝泄露是电磁屏蔽最关键的控
制因素。要着重考虑三大关键因素：
3 e, L1 ?& Q+ p" b" j" P① 屏蔽材料的选择；
9 \! K7 d. ], ]* T% [/ m  m  _② 屏蔽结构完整性设计；
: V; _. l* B7 {- J8 p$ e③ 电缆进出结构体的设计。
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EMC屏蔽有哪些优点？