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[技术讨论] 电磁屏蔽体谐振现象的消除与双层屏蔽连接点的位置

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发表于 2022-5-17 09:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-5-17 14:12 编辑 ( A- h' @* L: D; Y& D
8 X7 j  ]  X. i7 W3 `- n
1、电磁屏蔽体谐振现象的消除
4 C1 O( D/ f5 A  W+ a' ]% U) F6 S
对于电磁屏蔽体,形状选择的标准应以减少接缝和避免腔体谐振为

& x% ^! |0 Y' l4 C! }
准。
% b" r8 U4 s) t+ P6 t  w5 Z6 s
根据电磁理论,屏蔽体是一个具有一系列固有频率的系统,当需要
: Q2 D7 x5 c6 q( b  ~! e2 ^
屏蔽的电磁场频率接近并等于屏蔽体的某一固有频率时,屏效将急剧降

9 V& s' m( m  [8 s3 y5 R. U: Y
低。
' j$ q7 q: G9 M
由于结构设计不当造成的谐振现象的屏蔽,不仅不能使空间防护区

2 V% c. V8 d4 }
的场减弱,反而会使之加强。

: Z1 T  f( J; }( S! M6 `) K: @2 c/ ?2 \
此时应改变屏蔽体的形状或尺寸,使屏蔽体的固有频率远远避开需

9 j0 d; f5 D8 {# t0 q3 p! D" G
要屏蔽的电磁场频率。
6 C4 e# A+ w3 _2 e, k& ?
2、电磁屏蔽体之双层屏蔽的连接点位置选择
9 y1 W5 B) D0 m1 r$ r
图 1 所示的是一双层结构屏蔽一个信号电路的示意图。

* T* }( H, c+ {2 Y7 N1 N  j, e
在屏蔽外来的辐射干扰时,除了在外层屏蔽体上产生感应电流和电
0 ^# ^) w8 c$ w
荷外,信号电路的接地,也在屏蔽体上产生地电流。

7 X5 o/ f- G- X1 a
) F' N3 X  R9 w& [8 u: J

电磁屏蔽体谐振现象的消除与双层屏蔽连接点的位置选择.pdf

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  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-7 15:26
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    [LV.7]常住居民III

    2#
    发表于 2022-5-17 14:15 | 只看该作者
    laoma原来是马老师,怪不得感觉有好几把刷子

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2022-5-17 14:15 | 只看该作者
    对高频磁场的屏蔽就是对辐射电磁场的屏蔽
    1 k/ G  |) J! L( c5 t

    该用户从未签到

    4#
     楼主| 发表于 2022-5-18 09:25 | 只看该作者
    本帖最后由 laoma 于 2022-5-18 09:27 编辑
    ) A, y9 d2 t& @$ Q. @6 {8 z% {
    rergr 发表于 2022-5-17 14:15
    ' j/ Y6 e5 G. F对高频磁场的屏蔽就是对辐射电磁场的屏蔽

    : V4 j) a8 Y. ~  u5 Q3 W高频磁场的屏蔽属于电磁场屏蔽之中的一部分
    , [( D* [% i6 ~. d
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