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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-5-17 14:12 编辑 - I1 B a2 R/ v2 N$ d% i
: b' n# m; q* Q1、电磁屏蔽体谐振现象的消除
4 Y! J5 C+ n( \对于电磁屏蔽体，形状选择的标准应以减少接缝和避免腔体谐振为
3 M7 \) r( i) z$ K# C+ p准。 0 @7 I1 \5 M S7 Q: |2 R
根据电磁理论，屏蔽体是一个具有一系列固有频率的系统，当需要
9 a* C( x3 e9 V1 ~+ H& U屏蔽的电磁场频率接近并等于屏蔽体的某一固有频率时，屏效将急剧降
$ ^# l' u% n+ U8 o* H9 |2 w- ]$ }9 Q低。 ; B9 L6 E+ H" p+ J6 w3 [
由于结构设计不当造成的谐振现象的屏蔽，不仅不能使空间防护区 F3 z6 L- G0 c' I
的场减弱，反而会使之加强。
7 u; u+ A7 h" m; v$ F' j此时应改变屏蔽体的形状或尺寸，使屏蔽体的固有频率远远避开需 / |( t- N' d/ q6 {
要屏蔽的电磁场频率。
* L8 c G, S2 |9 x2、电磁屏蔽体之双层屏蔽的连接点位置选择
! {# ~% W" q; V& x4 K0 _$ e0 [图 1 所示的是一双层结构屏蔽一个信号电路的示意图。 0 P' |" }2 l) x8 I- _
在屏蔽外来的辐射干扰时，除了在外层屏蔽体上产生感应电流和电 5 [+ F% B/ u- J& N3 }$ w8 K
荷外，信号电路的接地，也在屏蔽体上产生地电流。
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发表于 2022-5-17 09:39
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发表于 2022-5-17 14:15
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