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肖特基二极管) r6 K5 ?( q: s' [
混频器的工作原理
4 g" ?# L+ g; ]3 j单端混频器
! G$ l7 v+ d6 d6 y% _7 @' S) z5 o单平衡混频器- j9 P/ }5 z8 S: b" O! B# L1 h
双平衡混频器 e* y: a. L; n3 M1 V; ]
0 z* ]6 u3 q1 }: r7 I% B! i$ d
1、引言4 G+ k' o1 Z; R+ ?
混频器的主要功能是将不同频率的信号源混合,以便产生新的频率,也称为变频器。: I2 g! \- ]! e. H3 w
在通信系统中,混频器通常被用于载波频率的调制与解调。1 E5 P6 ^6 j9 e3 [6 ]
在发射机中,混频器把中频信号与本振信号相加,实现上变频调制;
! B5 t; \& p Q4 ]2 D1 n! L在接收机中,混频器把把中频信号与本振信号相减,实现下变频解调。
8 y# t- h4 H( v# A6 ?
$ ]6 c# _: ]+ F0 k* L% y: F- @
- n- w7 r# ^. x: S' y9 ?混频器必须包含两个主要的部分:
+ A0 P/ \ }1 e! x, t6 r7 w6 X信号合成单元,可以通过耦合器实现;
0 E9 R' F- N0 o. h. J2 J信号混频单元,需要采用非线性器件,常用的器件是肖特基势垒二极管,也可以采用BJT或MESFET构成微波高频段的低噪声、高效率混频器。& K6 W5 m% N6 E0 {
. H+ c, s. `% c- R; P2、肖特基势垒二极管( Q/ R' W4 \& C. W- R" {5 c
肖特基势垒二极管(Schotlky Rarrier Diode)是由金属电极与低掺杂N型半导体接触而成。
1 S5 N+ m0 I" f7 d8 _; A
& [6 j$ F/ l b& G, x肖特基二极管的伏安特性由下面的方程描述
0 E, d9 ?: j; t, q+ v
' o3 \6 Y) a# S# w" H8 d
R*为穿过势垒的多数载流子电子发射的Richardson常数,对于硅,为100A/cm2K2。
# P; W6 i8 i8 o3 M在低于0.1mA的小偏置电流下经常忽略上式中附加的IRS项。对于某种应用,串联电阻会形成反馈回路,这意味着电阻被乘以一个按指数增长的增值因子,此时IRS项被考虑。
$ ?0 W8 {* k$ Q/ D: D3 F) U* t4 I8 ]
特基势垒二极管的等效电路中,结电阻RJ与偏置电流有关,各电路元件的典型值为:RS=2~5Ω,Cg=0.1~0.2pF和RJ=200Ω~2kΩ。" k( O) M& l8 N9 w6 J" Q
1 p- y- ]1 l) f/ B R# _1 _
' H. N% F+ N+ \& x2 r8 @$ T6 C0 ] b3、混频器的工作原理
i2 T6 h3 {; i6 u设输入信号与本振信号同时施加在非线性器件上 ,该器件则以输出电流驱动负载。
- \8 S) l! ^; ?. T5 U4 k- C
5 o: t- {8 f' `" c8 q非线性器件上的电流与电压呈非线性关系,二极管和BJT都具有指数型传输特性5 R: z" D& k; I8 E# N9 {
而MESFET的传输特征可近似为二次曲线
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1 g" U8 y; v7 D设器件两端的电压为直流偏压、输入信号和本振信号之和, t) l" a8 e8 V& ~& N0 o+ b/ n y
9 I# t% v8 u2 u, E) ]5 G, g) y. o
忽略直流偏置电压和电流,则器件电流为; M1 s0 [0 E, l9 Z: A
, e/ Q# e5 b/ N& m) K, N" j
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