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| 三次电源: 5 C% ^2 d: m3 ^) t- ~/ }! r1. 输入/出电容靠近管脚放置,输入电容容值小的电容更靠近管脚,输出电容容值大的更靠近管脚。
 n! g" H1 W* m8 R2. 控制信号尽量做宽,降低走线感抗,可以有效降低控制信号上的噪声,防止低温下出现电源复位。5 O: v* t4 r" l# z8 ~
 3. 功率地和小信号地做单点汇接,汇接线尽量走粗,降低感抗,原因同上。3 p/ E, g4 ]8 a/ }3 U' R
 4. 输出输入电容的地回流路径圈圈竟可能做小。: C* V( h" K, P) K5 ?3 V  b
 5. 温升在10°时候,电流按照1oz铜厚=1A,10mil孔径过孔一个=1A,此为保守估计。
 / d6 D' I8 Z0 B* D; O6. 电源的输入输出管脚附近是开关噪声很大的地方,尽量不要有其他走线在焊盘下层穿过。) e: \$ M. a3 N/ @
 二次电源
 , O5 r4 C. J) e& f" \2 u1. 电流和上边说的一样来算
 ( L8 ]2 O% \% r$ W- \3 E. s2. 注意原副边安规要求,表层2mm,内层30mil的距离,要有清晰的分隔带,光耦,桥变压器跨在分隔带上。$ y: y# p2 a6 ^8 y, \
 3. BUCK,桥,或者推挽,BOOST等等的上下MOS管的回流路径做小,铜皮尽量表层铺大,加强散热。回路感抗做小,减少MOS管应力
 # F3 C& W' n! ^% h4. 吸收电路的走线尽量走宽,最好能普通皮,可以减少感抗,降低MOS应力0 s  T  ^' h  I
 5. 功率部分和小信号部分地分割,在第二层做单点汇接,汇接宽度在3-4mm左右,不要在瓷片电容附近汇接,最好的汇接为止在电解电容的地附近。$ B, C2 A! B9 t3 \
 6. 驱动芯片尽量靠近MOS放置,减少驱动线长度。下管的驱动线回流是地,上管驱动线回流是SW信号,需要伴随走线。
 8 i; |# I9 P3 x9 a% g- x还有些常规的安规爬电距离避让不用说了。这只是我个人经验,很不全面,如有问题请大家指正。
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