TA的每日心情 | 郁闷 2025-4-10 15:44 |
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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-10-20 15:20 编辑
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LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率级具有集成驱动器和保护功能,相较硅MOSFET具有更大优势。这些包括超低输入和输出电容。特性包括零反向恢复,开关损耗降低高达80%,开关节点振铃低,从而降低EMI。
) P/ t5 q$ y5 a9 r5 BLMG3410R070 GaN功率级提供新的方式让电子系统实现更高水平的功率密度和效率,能够支持图腾柱PFC等高密度、高效的拓扑结构。其拥有的一系列独特特性可简化设计,最大限度地提高可靠性和优化任何电源的性能,是取代传统共源共栅GaN和独立GaN FET的明智之选。这些独特的特性包括一个集成的栅极驱动(支持100V/ns开关,Vds振铃几乎为零)、一个100ns限流装置(拥有自我保护功能,可防止意外击穿事件),以及系统接口信号(具有自我监测能力)。
' Q; _& Z, F. \ j
4 c7 X* I1 j% n* v' h m, q& h9 _, z
! Y9 ^+ \! d. I2 A参数:LMG3410R070RWHR ,LMG3410R070 电源开关/驱动器 IC 32VQFN6 X/ y* F' ~( [* ~& ^: g
开关类型:负载开关
7 F1 ]0 ]) @/ {% U+ x2 t' U输出数:1
% D0 ?! A9 g' ?4 @% X比率 - 输入:输出:1:17 M7 H, R. A" G6 k+ `2 D
输出配置:高端
/ H7 q) G. U, A- S, _输出类型:P 通道0 z: l1 E8 [: c4 E& Y
接口:逻辑,PWM
" P/ J. a$ a& ?7 Q" `电压 - 负载:480V(最大)* K; B3 e: c% R8 c+ W) |
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V
1 A1 \* H: Q% s, \+ n* ]电流 - 输出(最大值):12A
8 H u& K2 b& [& J8 |导通电阻(典型值):70 毫欧
' d" h1 g% ^' U; s- H5 h输入类型:非反相
2 `# Q8 }4 I" j$ N特性:自举电路,5V 稳压输出$ _. Q; A) ?. t/ d/ B& \
故障保护:过流,超温,UVLO6 \9 w. Q! j0 L
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
0 K, Y! \. h* c) Z, m0 U$ B: E安装类型:表面贴装型
' w) v& i) m+ q3 V8 l器件封装:32-VQFN
2 Q+ j4 w; m* @3 j6 g/ `, ~3 `, X: X7 P& v
# m) ]# S) M% ^* u7 z8 h1 x4 ^" @ u. T7 H, s2 W
应用
9 s3 W8 d0 s* S4 T5 I7 q高密度工业电源和消费类电源" ^# w4 j s- T! M3 `- H$ j
多电平转换器
1 t6 x: e/ D* P; y1 e$ n) V光伏逆变器
) ~. Q: G1 o1 ?# b2 h: R0 P0 W. \工业电机驱动器
- N, T% L' i9 c; }/ l1 x不间断电源0 S& B1 Y2 `2 k! V$ k6 }5 D, j) D
高电压电池充电器
9 y. r. i" [6 X
- M b2 p/ {) C5 Y |
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