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请教一个关于TDR阻抗和回损return loss 的问题

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  • TA的每日心情
    开心
    2020-11-27 15:59
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2022-10-26 14:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    请教一个问题:CPU插座socket (这里不是讨论高速PCB 电路)在进行高速仿真(主要是测试socket pin PCIE5 32GT/s) , 如果SI 报告显示Return loss 回损满足db loss要求. TDR impedance 超出上线(设计要求:85+/-10%)几个ohm.(超出上限13.4% 而且调整socket pin 设计参数不能保证回损和TDR 同时满足,那么TDR 超标13.4%影响大吗,可以接受吗?能接受原因为何,不能接受原因又为何? 谢谢🙏
    4 q# [$ t' H2 r3 L0 G8 S1 ^
  • TA的每日心情
    开心
    2020-11-27 15:59
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
     楼主| 发表于 2022-10-26 14:50 | 只看该作者
    + H$ H! y$ V/ I6 V+ Z
    如图,TDR 设计要求是85+/- 10%. 但仿真结果是超出了13.6% 达96.4Ohm。 & V9 ?+ L1 Q: H6 o7 H' r* E

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2022-10-26 16:31 | 只看该作者
    这个问题,毛老师的擅长呀,毛老师在SI/PI方面很厉害

    点评

    请哪位热心人回答一下。谢谢  详情 回复 发表于 2022-10-29 19:26
  • TA的每日心情
    开心
    2020-11-27 15:59
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    4#
     楼主| 发表于 2022-10-29 19:26 | 只看该作者
    Storm_change 发表于 2022-10-26 16:31" Y6 i5 V: U# E' l
    这个问题,毛老师的擅长呀,毛老师在SI/PI方面很厉害

    + R) S# o" |" C0 B' G2 V. {请哪位热心人回答一下。谢谢, U! h1 E9 r" ]/ @, x& f8 i
    ' T, E5 {9 e& V; _9 ^
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