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这个东西仔细看看规格书就知道了。% a3 f, ]3 s6 ?7 d9 d8 `0 D5 A
1.首先,为什么10K/10K的分压不行?) t# k, T+ c! v) H& q* l
% l8 q9 p+ N0 G- e9楼说的有道理。从规格书上看,AOD409的阙值电压是2.4V,而10K/10K的分压后,Vgs在2.5V左右,达不到完全导通,自然驱动电流比较小。这就是为什么LZ将R3去掉以后,或是将R3调整位置以后可以驱动的原因。3 B, F0 e# n, s; z7 X- ]" e" B7 {- w
2.为什么会有0.6V的压降?
, R# Z) g# r' j! h基于半导体的特性,MOS管完全导通时,是有内阻的。从SPEC上看,在mohm级,且跟导通的Vgs电压有关,Vgs越低,导通电阻越小。2 w; W, P' r r! r
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由图可见,在接近阙值Vgs(th)2.5V时,基本是无穷大的。8 u. Z' s c7 Y6 p
3.R3/R4该怎么取值?
' L# Y. g4 N7 V5 E0 c7 s3 \从一般使用来说,建议R4用10K,R3用个1K就行了,这样在5V的情况下,完全导通的话,Vgs=4.5V,Rds(on)可以比较小,减少在MOS管上的损耗。
3 v) K( w U8 N* i3 ~" O- X# \1 f O4.R3去掉好不好?
" h: e( W k/ l" @* z$ ]说到这里就有个疑问了,如上所述,R3去掉不是更好,Vgs可以保证最大?其实应该是这样的,R4上应该并联一个1n-10nf左右的电容,在Q1导通的时候,与R4组成一个RC环路,起到电源缓起的作用,可以有效去除电源上下电过程中出现的过冲现象。13楼说是给MOS管放电的,我就不是很理解了,不知道能不能解释下。
$ H- P7 t6 G$ Y) K3 t5 `5.D2要不要?
V* C+ l2 L6 `9 t! o! Z, ^建议D2去掉的原因,不是说D2去掉后情况会好些,只是因为D2完全是多余的,浪费。 |
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