TA的每日心情 | 奋斗 2020-9-10 15:06 |
---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
大佬好,看了大佬总结的wave port、lumped port、端口激励设置、归一化等方面的帖子,获益良多。 现在用HFSS仿真 “微带测试夹具” 中有个疑问,微带线的微波输入接口和连接的同轴线接口间要满足50 ohom阻抗匹配,想请教下这里的阻抗需要用哪个阻抗,端口阻抗、输入阻抗、还是特征阻抗?
* m, B* a% H1 u8 G4 ?$ v
! q/ y) Z9 q! G3 u8 \还有,如果拿HFSS仿真微带线的特征阻抗,需要扫频,想看看扫频中阻抗随频率的变化曲线,不知道在软件中怎样得到?6 T/ X4 E1 K `7 ?7 Z, w! p7 L7 @
5 I0 n5 U% c8 W% E
对于微带线我分别用三种方法进行了计算,结果如下:
; b7 f+ y# m6 o" n7 Q第一种方法,公式法 —— 使用附件中文献给出的公式(如下):
+ A( N" G; D: E" ~, o3 `. x" ~ Z=50*sqrt{ ((1+S11)^2-S21*S21)/((1-S11)^2-S21*S21) }
/ {9 c5 _' S! x. T" Z* d! U# O 有类似帖子:http://www.mweda.com/hfss-cst-59563-1.html3 D: T+ L- v! ~" C% W3 Q
我的计算结果如附件的结果一:* }5 p7 t9 w1 }! B" g T- r; C
8 \* h; m6 p! e& A# E. |7 q& h3 k1 C# O# y1 o7 d& {
第二种方法,直接计算端口阻抗,也就是楼主这个帖子里头第一个图中的 PORTZ0,我的计算结果如附件的“结果二”, _/ h) y9 m; W" R0 |( t# k8 P1 w
5 L* `7 ?% H7 r- ^+ f8 {
第三种方法,TDR法,直接把结果输出中的频域改为时域,也就是楼主这个帖子里头的第三张图中的 TDR impedance,我的计算结果如附件的“结果三”。
5 `. U8 ^1 s: a( n4 h/ d. ~. }& Q: U) Y" P* h$ p% S, V( ]1 R% P( C
前两种差别不大,HFSS模型用的尺寸等参数都是用 AppCAD提前算好的,设计阻抗为 50 ohom, 但第三种和前两种还有设计值差别很大,不知为何。
' K$ M) Z- ]0 R还有,如果只是需要考察同轴线与微带线或者CPW连接处阻抗匹配,使用哪个阻抗较为合理。6 _$ Q$ c. |/ A7 o# u* Y& b8 G- W d
1 V& Y7 o1 q. s: R' b0 q
恳请大佬在百忙之中予以帮忙、解答。万分感激 |
-
结果一——公式法.png
(37.14 KB, 下载次数: 2)
-
结果二——直接计算端口阻抗法.png
(27.54 KB, 下载次数: 1)
-
结果三——TDR法-TDR_Zc(Zport).png
(30.73 KB, 下载次数: 1)
-
-
[JouMag-2006] [特征阻抗计算] 10.1.1.1016.6077.pdf
2.07 MB, 阅读权限: 1, 下载次数: 0, 下载积分: 威望 -5
-
-
[] [特征阻抗的获得] Conftele_PM.pdf
326.95 KB, 阅读权限: 1, 下载次数: 1, 下载积分: 威望 -5
-
-
[] [特征阻抗获得] eisenstadt1992.pdf
615.62 KB, 阅读权限: 1, 下载次数: 0, 下载积分: 威望 -5
|