请教DDR布线中 串联终端电阻摆放位置的问题

cangcang2

最近在学习看了很多资料，对于DDR串联终端电阻的摆放位置有疑惑，

! V$ }; w& P3 r! C$ q. b) h7 ~$ A首先，地址线、控制线、CLK/CLK#是靠近处理器端，这些没太多疑问。
' v  V. t, C7 `7 P6 X6 e, |
, G  |8 S( W4 f  L但数据线、DQS,DQM串联电阻的摆放位置我却看到了多个版本。
. r7 M  N/ d- K  ~( ^( S
版本1：数据线的串联电阻尽量放置在CPU与DDR之间，而DQM与DQS对CPU来说为输出信号，因此尽可能靠近CPU摆放，达不到的情况下也要与数据信号的串联电阻要求一致。
. h4 y# P  S# p5 H9 M
) H7 s+ a9 I) O5 ~版本2：对于DQS和DQ类信号的走线，串联电阻在近DDR端，DDR_DQM信号例外，它的串联电阻在近CPU端。
: F. ^  N+ q- \9 F
由以上两个版本看，数据线的串联电阻都不靠近CPU，DQM由于是低速信号，串联电阻靠近那边问题也不大，而对于DQS串联电阻的说法却完全相反。
个人感觉对于DQS的说法，版本1更可信些。

- A3 r  ?$ A( h, E7 I6 K我的理解：数据线属于双向的，DDR和CPU都是源端，所以靠近那边需要考虑DDR芯片、处理器、PCB的阻抗。
, u8 H4 r, O- p3 t例如，CPU的数据IO输出阻抗是48ohm，DDR2的IO输出阻抗为17ohm，传输线阻抗为50ohm。
9 Z5 W( {6 W' r/ |, Q1 V那么当CPU进行写操作时：信号到达接收端后由于输入阻抗很大，反射回源端，由于源端阻抗与传输线阻抗相差很小，所以反射回来的信号被源端吸收不会发生二次反射。
当CPU进行读操作时：信号从DDR传输到CPU端，同样由于阻抗不匹配，信号反射一部分回到DDR端，由于DDR输出阻抗为17ohm，与传输线阻抗相差很大，因此信号会发生二次反射。
- ^: e0 W+ }, i3 R1 N" k1 v1 U源端的串联电阻对第一次反射并不起作用，但可消除第二次反射。所以该情况下，串联电阻应该靠近DDR端（即靠近与传输线阻抗相差较大的一端）

! O, J" E; B# z! Q) c$ b* V" g想问问大家是否还有其他理解的版本 ;)

James‘

求解释……

procomm1722

擺法不一定 , DDR 是雙向做read/Write 作業, RAM 和 Memary Controller 的 R/W 模式下的阻抗是不一樣的 , 因此您看到的些經驗條件不見的合用.
您要做過 SI 模擬後, 再來決定哪個狀況較差 , 再依差的狀況來做調整擺放.

xiaoxiaoya

看看