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今天有朋友问到为什么在powerSI中计算出来的信号阻抗是接近50欧姆，PDN的Z参数的阻抗只有不到1欧姆。# x; Y, b7 ]" q* L) y# R
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答：! K+ L7 O( ^3 ^0 I
特征阻抗和PND阻抗都是频域里面的概念。; a5 ^. V8 ~' m7 `; r
特征阻抗
# e: T4 w% A+ Z! g是针对于信号线在高频环境下测量出来的瞬态阻抗。( K/ P+ E0 H3 m0 o7 d' V, u) y
特征阻抗：又称“特性阻抗”，它不是直流电阻，属于长线传输中的概念。在高频范围内，信号传输过程中，信号沿到达的地方，信号线和参考平面（电源或地平面）间由于电场的建立，会产生一个瞬间电流，如果传输线是各向同性的，那么只要信号在传输，就始终存在一个电流I，而如果信号的输出电平为V，在信号传输过程中，传输线就会等效成一个电阻，大小为V/I，把这个等效的电阻称为传输线的特性阻抗Z。信号在传输的过程中，如果传输路径上的特性阻抗发生变化，信号就会在阻抗不连续的结点产生反射。影响特性阻抗的因素有：介电常数、介质厚度、线宽、铜箔厚度。$ w: C, c2 E' ?9 N/ B9 @+ P
可以参考一下百度文库的这篇文章，写的很好： http://url.cn/1Y5XJr+ z7 }& X, ?2 U" v! g' w2 ^
" `% t& Z: [& W |! ~( nPDN阻抗) i/ q6 i; D. l8 w
是电源地之间在高频回路下的阻抗值，通常一个电源系统中，我们会有一个设计目标，一般我们称之为目标阻抗（电源系统）- p6 \) S9 H2 P) t3 x5 i
简单的公式为：% L4 n8 ]' T, R8 q! c4 Y
" U1 Q+ F. u7 |% {0 }
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当然在更高频下，目标阻抗会有变化。设计时，我们是需要把整个PDN的阻抗降低到目标阻抗一下，特别是在我们的工作频点，系统的PDN阻抗一定要低于目标阻抗，一般可以通过板卡上放置电容来实现。
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1 l9 D0 Q# U: k G0 N( |3 n0 S) qPDN阻抗通常应该是毫欧姆级别，电流越大，我们的PDN阻抗应该越小。# r9 o; @/ y- r: n5 z5 g3 M$ z
* C. Z" E0 V \* G5 @" v通常加电容处理的范围是几MHz到几百兆级别9 z" }( D! h* Y8 C8 y2 v9 d
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发表于 2012-3-15 21:06
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发表于 2012-3-21 13:16
