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今天有朋友问到为什么在powerSI中计算出来的信号阻抗是接近50欧姆，PDN的Z参数的阻抗只有不到1欧姆。
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/ l3 I& c+ i/ b5 X答：
1 A E- i% v+ @( N1 @: c特征阻抗和PND阻抗都是频域里面的概念。* f- k$ }0 \0 [( R
特征阻抗1 S2 w6 L% c) ~. g" r E/ F7 R
是针对于信号线在高频环境下测量出来的瞬态阻抗。
. V6 z" I) l" k特征阻抗：又称“特性阻抗”，它不是直流电阻，属于长线传输中的概念。在高频范围内，信号传输过程中，信号沿到达的地方，信号线和参考平面（电源或地平面）间由于电场的建立，会产生一个瞬间电流，如果传输线是各向同性的，那么只要信号在传输，就始终存在一个电流I，而如果信号的输出电平为V，在信号传输过程中，传输线就会等效成一个电阻，大小为V/I，把这个等效的电阻称为传输线的特性阻抗Z。信号在传输的过程中，如果传输路径上的特性阻抗发生变化，信号就会在阻抗不连续的结点产生反射。影响特性阻抗的因素有：介电常数、介质厚度、线宽、铜箔厚度。: S! |6 t( p& y
可以参考一下百度文库的这篇文章，写的很好： http://url.cn/1Y5XJr8 U3 ?9 v# c: f. Q# i( V. b3 y
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PDN阻抗+ n, D* O0 u' w5 h
是电源地之间在高频回路下的阻抗值，通常一个电源系统中，我们会有一个设计目标，一般我们称之为目标阻抗（电源系统）$ D! @$ l: m0 }: O' _# N9 j) R: v
简单的公式为：+ y/ S1 _) x& x0 V
2 M% |# u& U R! j' S4 ]
* q+ N7 I$ e, T' n4 V# r当然在更高频下，目标阻抗会有变化。设计时，我们是需要把整个PDN的阻抗降低到目标阻抗一下，特别是在我们的工作频点，系统的PDN阻抗一定要低于目标阻抗，一般可以通过板卡上放置电容来实现。
* N) E, {6 Q p: u n% u, I& q0 d6 ^* R. n. s% `9 Y5 e
PDN阻抗通常应该是毫欧姆级别，电流越大，我们的PDN阻抗应该越小。
) S' x! j! E/ d' T7 U" h( v3 |8 o
2 Z# p; f/ @" n6 U9 `+ C! ]通常加电容处理的范围是几MHz到几百兆级别
& H6 M/ N, o1 d
( T' O( m2 F0 {, v& V
$ T. G) p' P. v) z' r4 J
. _; p$ z" V! ~( n/ M5 Z: |0 j9 s; ]* o' O( F& I
0 f5 U/ W4 \2 F* J: P* V3 S8 a6 K4 L- Z
. ]! n# P7 s5 [' q9 j9 n( _ |
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发表于 2012-3-15 21:06
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楼主
发表于 2012-3-21 13:16
