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本帖最后由 Heaven_1 于 2023-2-17 18:35 编辑 + C! L& k1 z& N8 \' B
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编辑-Z 安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数： 型号：FGH60N60SMD 集电极到发射极电压（VCES）：600V 栅极到发射极电压（VGES）：±20V 收集器电流（IC）：120A 脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A 最大功耗（PD）：600W 储存温度范围（TSTG）：−55 to +175℃ G−E泄漏电流（IGES）：±400nA 集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)）：2.5V 输出电容（Coes）：270pF 二极管正向电压（VFM）：2.1V 二极管反向恢复时间（Trr）：30NS FGH60N60SMD特征： 正温度系数，便于并联操作 高电流能力 低饱和电压：VCE（sat）=1.9 V（典型值）@IC=60 A 高输入阻抗 快速切换：EOFF=7.5 uJ/A 严格的参数分布 该设备不含铅，符合RoHS标准 9 q6 ~4 M+ b/ I, b4 h$ j$ Y
. u" V/ m& w, `FGH60N60SMD应用： 第二代IGBT采用新型场停IGBT技术，FGH60N60SMD可为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用提供最佳性能，其中低传导和开关损耗至关重要。
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发表于 2023-2-17 17:11
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