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MOS的参数选择以及导通速度的计算

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发表于 2023-6-3 09:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS的参数选择以及导通速度的计算% r. H! s$ D0 A  U8 m; E( c

8 Q: I/ \) l1 S0 |6 g' k; F根据MOS的Td(on)+Td(off)推算出MOS的导通速度,这个方法对不对?
5 p! Z. r& e, v) J" B5 L# @8 h
1 K- F- ]1 ^( W* x- B1 e$ L有没有相近的NMOS推荐!VDS≥60V,ID≥15A,导通内阻≤20mΩ,VGS≤10V,导通速度≤20ns,也就是≥50M,封装TO252,需要数量10pcs,研发验证阶段,用在医疗器械治产品。预计用量10K/月。张生,13691842170(加微信备注好不要打电话,谢谢)/ ^$ o5 G$ F' G( l" s/ O, n

6 n7 N, y7 v" w

/ u/ T' ?8 Q8 b, Y0 F2 z# {选择更高要求的MOS是为了满足信号传输的要求同时提高效率,降低温升
  @5 U3 w+ c& Q
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    发表于 2023-6-6 09:38 | 只看该作者
    有EMC的具体要求吗
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