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楼主: icy88
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[仿真讨论] DDR2中clock与dqs之间的时序关系

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该用户从未签到

16#
发表于 2012-5-9 19:09 | 只看该作者
首先,需要考虑为什么要引入DQS?2 j/ P9 c3 g2 C/ {, J* ]
应该说DQ的读写时序完全可以由clock来同步的,比如DDR之前的SDR就是只使用clock来同步的。速度提高之后,可用的时序余量越来越小,引入DQS是为了降低l设计难度和可靠性,可以不用考虑DQ和clock之间的直接关系,只用分组考虑DQ和DQS之间的关系,很容易做到同组同层,降低走线之间的skew.
, u' s, {$ V3 i2 A问什么要考虑DQS和clock之间的关系?
  J3 `* C" D: O- T. ADQ和DQS只是组成了源同步时序的传输关系,可以保证数据在接收端被正确的所存,但是IC工作时,内部真正的同步时钟是clock而不是DQS,数据要在IC内部传输存储同样需要和clock(内部时钟比外部时钟慢)去同步,所以就要求所有的DQ信号还是同步的,而且和clock保持一定的关系,所以就要控制DQS和clock之间的延时了。
4 [, W2 `- Q+ ~" ~$ J
/ V5 @( X2 m5 O8 g2 h个人认为,引入DQS只是为了layout设计上的需求(时序),最终所有的信号还是需要clock去同步的。) I& m  a' V( m& P( h, x
注:DDR3是通过Memory controller的内部延时,保证了DQS和clock之间的延时差,实际效果也是一样的。

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参与人数 1贡献 +10 收起 理由
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该用户从未签到

17#
 楼主| 发表于 2012-5-10 11:38 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-9 17:02 # }" w6 a- Z8 n  m5 i0 Y. s. }
两个观点:  L6 x7 F' T+ K- i
0 ?0 F$ v5 T9 i: d& j
1.DQS虽然叫做DQ的时钟,但是它的表现形式和我们常见的时钟还是不一样的,常见的时钟形 ...
) t( _8 p8 z$ E8 k
yuxuan51高见,好的时序设计是可以有效地提高总线利用率的

该用户从未签到

18#
发表于 2012-5-10 16:43 | 只看该作者
学飞一下,不错的!!!
  • TA的每日心情
    开心
    2024-2-21 15:59
  • 签到天数: 313 天

    [LV.8]以坛为家I

    19#
    发表于 2012-5-11 09:52 | 只看该作者
    呵呵,谢谢LZ的指点。
    % {9 ?, Q% {# l! a) Y听说DDR3的Memory controller有内部寄存器,会自动根据发送测试数据来获得各组DQS线长,确定与Clock的延时关系,并保存到内部寄存器中,没找到这方面的资料,还不知真假。

    该用户从未签到

    20#
     楼主| 发表于 2012-5-11 11:51 | 只看该作者
    dzkcool 发表于 2012-5-11 09:52 8 o0 ~' g7 G( u1 d
    呵呵,谢谢LZ的指点。4 ]$ a7 y/ B) ?. t, b* ]
    听说DDR3的Memory controller有内部寄存器,会自动根据发送测试数据来获得各组DQS线 ...
    - F: d2 e% v6 M& Z: A
    是的,DDR3中新增write Leveling的模式,可以调节dqs的延时,相关资料参考jedec 的 DDR3 SDRAM Specification.
  • TA的每日心情

    2025-11-6 15:08
  • 签到天数: 48 天

    [LV.5]常住居民I

    21#
    发表于 2012-5-11 12:30 | 只看该作者
    我还在云里雾里呀,开始使用ddr3

    该用户从未签到

    22#
    发表于 2012-5-15 13:59 | 只看该作者
    gys 发表于 2012-5-9 19:09
    : w  H* w( `8 d0 R! v4 z首先,需要考虑为什么要引入DQS?
    " u: B1 R$ ^6 Y" `& J% f$ r应该说DQ的读写时序完全可以由clock来同步的,比如DDR之前的SDR就是只使用 ...

    8 G7 _# ~% i% @$ t/ M7 k  ^你说的在理。DQS是依靠clock同步的,工作时,每组数据线与相应的DQS同步,理论上不同组的数据线的DQS在同一时刻延迟应该不一样,这样可以使layout更利于分组布线,这也是为什么每组数据线要和相应的DQS基本等长的原因。很喜欢楼主的表达方式,没有很多专业术语,利于新手理解!

    该用户从未签到

    23#
    发表于 2012-5-15 14:22 | 只看该作者
    icy88 发表于 2012-5-11 11:51 . S2 w; e  n: D, z- k
    是的,DDR3中新增write Leveling的模式,可以调节dqs的延时,相关资料参考jedec 的 DDR3 SDRAM Specificatio ...

    % d3 t9 c2 q+ i( w+ A0 Q调节DQS的延时,可以保证DQS和CLK之间的时序关系。但是DQS的延时改变了,会影响到DQS和DQ之间的时序吗?
    - x$ ~1 a$ ]7 o9 I$ g5 ^  E4 W9 a! q" ?4 J
    另外read Leveling的作用是什么?用来保证哪个参数的?

    该用户从未签到

    24#
    发表于 2012-5-15 19:25 | 只看该作者
    恩,学习学习

    该用户从未签到

    25#
     楼主| 发表于 2012-5-16 15:40 | 只看该作者
    doya 发表于 2012-5-15 14:22 ; L* h2 u# M) @4 X
    调节DQS的延时,可以保证DQS和CLK之间的时序关系。但是DQS的延时改变了,会影响到DQS和DQ之间的时序吗?1 @: L" X7 I) z  F9 m' j
    ...

    % J7 n5 b0 w: I# m# S: Q2 C  W) c, ]" S/ c2 o. L
    dq是由dqs触发的,所以dq和dqs的发送是同步的,因此不会影响两者的时序的.
    2 m7 M" E& {8 @) @" Z9 ?" s% G
    & V! l" b" w5 j2 E- {: a1 `* O- _8 uread Leveling??  DDR里没有这个吧 .

    该用户从未签到

    26#
    发表于 2012-5-16 16:49 | 只看该作者
    dzkcool 发表于 2012-5-11 09:52
    4 J9 w! I6 a8 K" i7 {呵呵,谢谢LZ的指点。
    ; `8 ]( {' a0 j# p听说DDR3的Memory controller有内部寄存器,会自动根据发送测试数据来获得各组DQS线 ...

    2 L$ [/ p# I3 O9 F% F7 u真是这样的。
  • TA的每日心情
    开心
    2020-8-31 15:12
  • 签到天数: 3 天

    [LV.2]偶尔看看I

    27#
    发表于 2012-6-7 17:00 | 只看该作者
    高手真多,来学习了

    该用户从未签到

    28#
    发表于 2012-6-7 22:57 | 只看该作者
    学习了!!!!!!!!!

    该用户从未签到

    29#
    发表于 2012-6-11 10:02 | 只看该作者
    我也一直想弄明白dqs和clk的关系,这次有点懂了。
    & V5 c& `: j# z# K5 T2 M+ R好贴顶起。

    该用户从未签到

    30#
    发表于 2012-6-21 21:41 | 只看该作者
    CLK的相位是不可调的作为基准,DQS可以根据CLK调节来更好的匹配DQ,CLK与DQS的等长,我记得是75-125,DQS调节好像是1/4相位步进调节,差太远会超出1个周期。
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