本帖最后由 criterion 于 2024-11-27 00:09 编辑 4 G4 B/ F2 Q2 _: O5 F, [+ J
! R9 L3 _+ G& h0 i1 r7 R, ~
先查看 MCU的电源跟晶体 是否有透过落地电容共地 有的话 拔电容试试
' o: N* }5 D7 Q' X. y! m/ d
. H# I( @& z! V4 H
一般而言 32.768k是很低频的讯号了 其谐波会去干扰到射频讯号的机会很低 所以 分布在主频信号的两边的杂散 不是晶体谐波 而是交互调变 6 D2 B9 G5 a) D' e: g, @% m
$ v3 ~5 t( J$ Y* L
9 j. z3 P% b9 h9 q! t
' l W0 I8 Z/ S& r [
! {* E G8 l* N" ~如果32.768kHz 透过共地 窜到落地电容 再流入MCU \7 N v7 M/ v& b) q6 r5 A
跟RF主频 产生2阶交互调变8 h* ?; h7 ^9 j# e9 ~
(RF +- 32.768kHz)
& z0 l: D N8 T* J就会出现你所说的
, i- A; Y4 P) x( m7 T, H+ F“杂散分布在主频信号的两边”- @2 N' s# Q* V' u5 \* O- g
% V. w$ O: H5 ^
$ i8 ]" H" \% ]+ |- z" |要验证的手法也很简单 你把RF信号的功率调小$ F. F' l4 K! W! W
看杂散是否也跟着变小
/ ^% x1 _5 U: j' ]如果是 那就八九不离十了- C' l+ B" v3 n# f
因为交互调变的功率 会跟RF信号功率 有连带关系
3 u z: Y' S# A6 N& c& S. p1 j/ Z
/ b4 v1 H1 j7 ]0 \$ `% M2 h/ q1 X0 D+ k" s2 D; W
8 \- w1 [ z7 y此时可能有人会提出两个疑问
7 v% r: E4 n) x: k0 C. V6 D+ S) n# }8 S
第一个疑问 电容不是隔直吗?. d+ C- l, Z/ Z; w9 m5 Z
32.768kHz这么低频讯号 怎么可能流得过电容?0 y# d. T% e! y# P% b* f5 i' j
7 c6 m( K( A* h2 R4 V
答案是: 当然流得过 只要电容值够大
8 c. m/ ?/ s, |* x- ~$ A来做个仿真 4 }4 }: v* K1 y* l
# x. U( S% H* t5 v* m
4 K* T( l2 e- }( A+ d) n/ U N3 i! {
5 E, _2 W& A8 s1 m' |
* ~! [3 X4 E5 C" v
9 ~0 `, g) y: n1 R/ v$ v- l9 J2 `) X
$ p% Q d, X3 D$ y( t9 B/ r9 N9 v
该1uF电容 对于直流讯号 当然有隔直作用
. \' A# H0 x; u. g( K2 b. T9 ?但是 32.768kHz的讯号 终究不是直流讯号
. Q3 m; B. V& z/ u5 ^0 [7 _只要电容值够大 其谐振频率够低 意味着低频范围的阻抗很低. T9 [' P- H3 A* ?
对于极低频讯号 几乎无抑制能力 那当然就流得过( B; V* u9 ]2 U2 t- V- m
" ~5 f0 b. H0 p2 d3 F4 X7 R6 y
第二个疑问 任何讯号 包含噪声
" ~3 u0 t9 l* K1 z+ I* S4 }6 {4 @肯定是高阻抗流向低阻抗, \# Q' P& w) W( t! A5 y
怎么可能会从GND逆游而上 流到电源走线?
$ ~; N9 N) q+ B8 s8 P$ }8 [7 M" ?/ }- b$ Z" Y) x6 k+ z
9 S& h h6 g" ]; M答案是 如果GND的阻抗 比电源走线还高 那就有可能了
0 n# f8 ^- C; M5 H* s! a* ?, E$ ?% q4 X0 Y
$ J6 `" \4 k! A9 `5 E; A
0 B7 ^' J4 U# ~2 b1 _+ s( r8 v' e! r
) T, n" x& m3 [首先分析电源走线的阻抗 在走线放落地电容6 A2 V* O# S: H8 [
等同加大了该走线的电容性 依照阻抗公式! z$ `: c, i3 G: v/ q
9 c2 }- H$ I' T K/ N4 B
8 k* s. b: l% P! `( H* d
6 F* F' R( m( R- y2 L6 e- U/ C7 E' ]5 ]% G% \ d% |" B
% x3 k4 u1 V8 z+ i6 c
电容性增大 其阻抗就降低. d, U& B( d, k3 ? I
如果是uF等级的大电容 阻抗就降更多- b, }; D5 \# S. y- X; G
9 N; l& [0 ^ i2 R4 L* `* f
( s5 |( d% {& G$ W3 T
再者 电源走线 通常会有多颗落地电容并联
0 ]0 `# t# c5 L( `而电容是越并越大
5 c5 G& l* L' s) F* p. a4 K! ?0 W5 d, O# z1 m1 j, U# v2 d
; {4 [8 p! K- P, Y/ ?) A8 n
: p, `3 D' C% u
1 Z1 W; ~. M4 W" f- g0 Y" w/ q F
4 ]2 {4 G" l- r p8 \
如此又更进一步 大大降低了电源走线的阻抗/ N# Z, C' A( C$ ^8 N0 i- \
. i! P1 @$ o: F, b& P
再来分析GND的阻抗 很多时候 碍于Layout空间限制' F+ E4 ]. O. s; G' B, B- I
很可能GND是极为零碎的 且面积也不大
/ y7 P+ A( g! B0 `9 x同时又因为面积不大 所以无法打太多地孔9 d: m4 T: a/ R* {7 [" z, U& b
这些情况加种下 就会导致GND的阻抗 其实不如想象的低
+ _% {3 ^3 d. J# a' _甚至有可能比电源走线还高$ U( [: _& x/ s! ]1 N
如此一来 噪声从GND逆游而上 就有可能发生' n$ k" S& u* V
2 X) @" L( d0 |% g5 R( M5 I
因此 一开头才说 拔电容试试) i) v4 t! a' v( |
' W: d3 |% r' l$ ~9 g
- A0 `5 `* I' ]1 ]$ S( I
| 
/1 
楼主
收藏
淘帖
支持！
反对！
发表于 2024-1-17 10:10
发表于 2024-11-26 23:58