求助，串口TX下拉电阻，怎么实现电平转换？

congwei8888

求助，串口TX下拉电阻，怎么实现电平转换？      是用PNP的三级管吗？
" J- P9 c) x$ o+ `& i. m& A

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可以找电平转换芯片

congwei8888

在烧程序，需要配置成下拉，在正常运行时就是串口TX脚，然后输出接NPN的三级管实现1.8V电平转成3.3V。串口TX接下拉电阻，然后三级管NPN实现电平转换，这样不行吧？应该用什么电路？

huo_xing

congwei8888 发表于 2025-1-9 09:24
. H, [; m5 q) [在烧程序，需要配置成下拉，在正常运行时就是串口TX脚，然后输出接NPN的三级管实现1.8V电平转成3.3V。串口T ...

这种是正常应用。烧程序，配置下拉应该描述错误吧。
应该是上电或复位时检测这个引脚。如果为低，进入烧录模式。如果为高，正常启动。启动后这个引脚功能是uart
* r+ I; S+ }: Q% ]

超級狗

+ q) E9 q0 G7 k8 p8 m5 o5 Q

congwei8888 发表于 2025-1-9 09:24
在烧程序，需要配置成下拉，在正常运行时就是串口TX脚，然后输出接NPN的三级管实现1.8V电平转成3.3V。串口T ...

1 t1 z2 q+ T( M* `: ~死都不用電平轉換芯片（Level Translator）就對了？
6 K# e# p0 i2 Z
0 h) w; a% w# d) `$ q* c: H. ?
0 v; x  E# }% {2 ^% Z' a, s
/ Z  M# }5 n1 }) c5 t8 ~3 |1 V

• UART Tx 不能反向，速度不快的話應該可以。
• 下面的雙載子三極管（BJT）換成 N 莫死管（N-MOSFET）應該還能再提一些速。
• 如果下面的雙載子三極管（BJT）換成 N 莫死管（N-MOSFET），N 莫死管（N-MOSFET）的臨界電壓（V_GS(th)），選 0.9V ~ 1.1V 左右的尤佳。
• 如果下面的雙載子三極管（BJT）不換 N 莫死管（N-MOSFET）的話，注意 I_b 電流是否足以驅動雙載子三極管（BJT）。
  

! r8 Z; v6 b) x# h1 V+ R
; V1 ^- l% l  }; B7 Z

huo_xing

超級狗 发表于 2025-1-9 09:47
死都不用電平轉換芯片（Level Translator）就對了？

; W1 z! L' z7 R: F6 N这个是电源的应用。信号不是这么搞的。信号用一个bjt就好

超級狗

我忘了踢哀（TI）有這顆！
+ ~7 O5 h. g. x6 L3 {! F9 ~8 E
6 y4 N6 ]2 n! T6 T官網說是 Low Cost，但到底有多 Low 我就不知道。

huo_xing

超級狗 发表于 2025-1-9 11:50
9 I* V' m, ]6 [! g$ E我忘了踢哀（TI）有這顆！
, X4 S( O9 }+ `5 Q" ]9 m5 X
: ?0 ~) b( U8 g4 r/ s# M官網說是 Low Cost，但到底有多 Low 我就不知道。

一般300K以下这个电路都可以。但是如果对上电默认电平有要求不知道能不能用
" n; H$ w6 g4 p9 v

超級狗

超級狗 发表于 2025-1-9 11:50
我忘了踢哀（TI）有這顆！
* W5 [2 K! e  w" V1 e2 U
, U7 w0 T$ p4 C- ~. y7 P2 q' K官網說是 Low Cost，但到底有多 Low 我就不知道。

2N7001T
9 ^3 v* [4 J$ q$ Q: t) q

• VCC isolation feature
  $ d4 B# x; g4 J# x. Y– If either VCC input is below 100mV, the output becomes high-impedance.
• I_off supports partial-power-down mode operation.
  7 q3 E, ^) l+ |+ T" s2 _1 y" q

專治漏尿（Leakage）病症！



' u" u/ g1 s* U7 k. J# u0 e

huo_xing

huo_xing 发表于 2025-1-9 13:19
+ y! o) n; l* h一般300K以下这个电路都可以。但是如果对上电默认电平有要求不知道能不能用

9 m" d' l/ r& ]3 _# z( Z上拉是在C级。在tx端增加一个100K电阻，vcc_ext没上电时，tx默认就是低电平。

guchenglihua

huo_xing 发表于 2025-1-9 13:19
2 V7 B+ [. G  X一般300K以下这个电路都可以。但是如果对上电默认电平有要求不知道能不能用

这个电路的TXD这条链路有点小问题，当VDD_MCU的电压比VDD_EXT小超过0.6V以上，那么TXD那怕输出是高还是会从VDD_EXT那边漏电过来，当然VDD_EXT没有超过MCU的绝对最大值是没什么问题，但有可能导致MCU的VDDIO电平有变化的可能。我就有用过一款芯片VDDIO是2.5V的，结果被3.3V漏过来变成2.8V左右，虽然不影响使用但是会对测试功耗的时候有影响。

huo_xing

guchenglihua 发表于 2025-1-9 15:29
( r9 ~) T% r% P9 c) N* v这个电路的TXD这条链路有点小问题，当VDD_MCU的电压比VDD_EXT小超过0.6V以上，那么TXD那怕输出是高还是会 ...

8 Q6 D3 `. D- F你这种情况选导通压价小的管子。一般电平等级都是1.8V和3.3V
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guchenglihua

huo_xing 发表于 2025-1-9 15:35
9 `9 k' A+ m$ S9 \; Y- v你这种情况选导通压价小的管子。一般电平等级都是1.8V和3.3V

4 `, m& v8 S# f4 F# f8 N& j毕竟1.8V和3.3V差了有1.5V，所以导通压降再小的NPN还是有同样的情况。这个电路不如用两个Nmos组成的经典电平转换电路而且还是双向通信的