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本帖最后由 zhongyiwaiting 于 2012-10-8 19:44 编辑 2 l" h' q% ?! ?$ t+ B, s3 M) d
, N) V' `+ B2 ?. l3 O+ u顶起!. s3 G3 B, B' k3 }! Y
看目录,这本书应该是侧重IC版图设计的吧!' k& O3 l! Z% v1 }' }4 {& ^3 c
8 e& r( B( J9 ]: F. O* _SEE:http://www.tushucheng.com/book/3083082.html" r- I, m% B S Z7 _% D
7 w( e7 y9 c; [0 e
内容提要:% ?4 Q4 i1 a& P
李扬、刘杨编著的《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》介绍了SiP系统级封装的发展历程,以及当今最热门的SiP技术,并对SiP技术的发展方向进行了预测。
1 N1 M* E, x Q% [. b2 Z本书重点基于Mentor Expedition Enterprise Flow设计平台,介绍了SiP设计与仿真的全流程。特别对键合线(wire Bonding)、芯片堆叠(Die Stacks)、腔体(Cavity)、倒装焊(Flip Chip)及重分布层(RDL)、埋入式无源元件(Embedded Passive Component)、参数化射频电路(RF)、多版图项目管理、多人实时协同设计(Xtreme)、3D实时DRC等最新的SiP设计技术及方法做了详细的阐述。在本书的最后一章介绍了SiP仿真技术,并通过实例阐述了SiP的仿真方法。
, P/ U/ ] B6 T+ l, L0 Z' M2 u9 E0 u《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》适合SiP设计用户、封装及MCM设计用户,PCB设计的高级用户,所有对SiP技术感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能解决方案的科研工作者。目录:# H- i. y# @, ?1 }6 n
第1章 Mentor公司SiP设计仿真平台
5 x2 ~. o, X$ ^& R3 q* i9 R1.1 从Package到SiP的发展 9 O) M9 Q8 S0 L, f( _2 Q" d; C
1.2 Mentor公司SiP技术的发展
0 K" q8 @2 q4 E1.3 Mentor SiP设计与仿真平台 , e% v0 n! O. x
1.3.1 平台简介 . d! G; ]+ [, a: o; y
1.3.2 原理图输入 ; u8 v& S1 Y4 \3 D7 C& q
1.3.3 系统设计协同
. b$ u c4 f# [; s2 _0 }. }/ z5 ?1.3.4 SiP版图设计 - a) x! |+ `$ t/ I# b1 d* r
1.3.5 信号完整性和电源完整性仿真
2 O% d# Q" A: F( n0 |+ k9 m1 Y1.3.6 热分析仿真
1 c; W8 A% J. k. Q% b! [ F1.3.7 Mentor SiP设计仿真平台的优势和先进性
* t* W: n( v* e- I9 ?1.4 在Mentor SiP平台中完成的项目介绍 - k1 O% t4 }, Z# W7 V
第2章 封装基础知识 ) u* r6 |9 e/ k( `# O! F( |
2.1 封装的定义与功能
+ n8 b/ W& j4 n5 w2.2 封装技术的演变与发展
4 p" h2 H# E- \+ \' U2.3 SiP及其相关技术 - D, N& Z$ ^- ~1 |! X' l
2.3.1 SiP技术的出现 0 w! w$ ^) A8 t! x D
2.3.2 SoC与SiP ' r% g6 w5 u: q
2.3.3 SiP相关的技术
3 m% ~( h% D0 L0 f4 m2.4 封装市场发展
% I8 }7 B! ~4 R" p2.5 封装厂家
+ { K, ?# F1 R t2.5.1 传统封装厂家 & Q' U/ l# H. ?9 ]
2.5.2 不同领域的SiP封装企业 3 |! J( h2 |4 L9 X
2.6 裸芯片提供商 4 S0 d* Q1 E0 W0 C9 M/ H
第3章 SiP生产流程
* w. H) v0 [, U( o7 r2 }" [' Y3 R3.1 BGA—主流的SiP封装形式
2 F/ _4 W6 I* ?4 h3.2 SiP 封装生产流程
' k5 K) ?# k& Q) z3.3 SiP封装的三要素 ; ~2 D6 i3 X* A$ N$ I* I9 C
第4章 新兴封装技术 + L0 c4 d/ P6 ]- c3 j( \
4.1 TSV(硅通孔)技术
+ N' l. g C/ R* y6 |5 ?4.1.1 TSV介绍
2 s0 m$ O8 V6 j( Q3 [" @/ B4.1.2 TSV技术特点 5 d& @, B3 i, K* A# i, G
4.1.3 TSV的应用领域和前景 * b- R( f/ g7 O. h4 j; c$ m
4.2 IPD(Integrated Passive Device)技术 0 [* b% S' |1 t0 T& S) M! Y
4.2.1 IPD介绍 ! Y, L, f9 ^. z& @5 T/ y
4.2.2 IPD的优势 # P. ~1 c- U. E9 a) K2 \
4.3 PoP(Package on Package)技术 # g }/ v$ `6 W/ @: Z8 v
4.3.1 3D SiP的局限性
; T. z6 R3 P! {; K9 f1 m4.3.2 PoP的应用
4 e: \9 q2 E4 ?4.3.3 PoP设计的重点
: T. B8 ]9 l! t2 C* Z4.4 代表电子产品(苹果A4处理器)
+ {3 q; {( \' S8 B- }第5章 SiP设计与仿真流程 1 j# {. O, i- k1 }
5.1 SiP的设计与仿真流程 2 m, O/ x/ m8 p5 ^2 o
5.2 Mentor环境中的设计与仿真流程 & Z" D* o! M" Z' P8 K
5.2.1 库的建立 # A- ~' G0 m0 \. o3 S9 z
5.2.2 原理图设计 " r' l0 O% S$ R( P
5.2.3 版图设计 " V, l: v: }" {
5.2.4 设计仿真 ; ]# Y: [0 ]2 L2 e: b$ S
第6章 中心库的建立及管理
, B p. } J. `8 ^+ v1 B1 a6.1 中心库的结构
* k6 M" ~. f8 R/ C) F7 E- H( [6.2 Dashboard介绍
+ j+ o9 d3 @- e% O6.3 原理图符号库的建立
( x! O0 o- C+ a6.4 裸芯片Cell库的建立 ! Z8 H* k, a$ W* ?3 D
6.4.1 创建裸芯片Padstack
' h ^: [$ P% a. n1 W6.4.2 创建裸芯片Cell . L% y2 v; `/ z( ]3 B9 @0 i
6.5 BGA Cell库的建立 8 \0 q" B( Y4 b4 h8 w2 z
6.5.1 创建BGA Padstack
) h- B, }( | {, }2 X+ U6.5.2 手工创建BGA Cell . V! T: Z7 x; @, `
6.5.3 使用Die Wizard创建BGA Cell
: _ U5 A, g. W' E3 Y4 `) m6.5.4 LP Wizard专业建库工具 * _" U7 {* I/ w |6 m
6.6 Part库的建立 " o3 @: L; [0 P
6.7 通过Part创建Cell ! h1 s7 n$ c8 J
第7章 原理图输入
y$ I; ^% U5 s8 ~7.1 网表输入
! L4 d! U! y( c+ w7.2 基本原理图输入
# c' a1 B: a2 m0 o- k( r+ s, m/ I7.2.1 启动DxDesigner ( X* W1 R" W, f$ w( P
7.2.2 新建项目
" h2 M' U3 D0 I6 p+ S1 {7.2.3 设计检查
# S7 c, a. i/ L8 Q7.2.4 设计规则设置 1 G$ v! b) {5 A
7.2.5 设计打包Package % `& f8 a3 {! ~; @* m) t; f, _
7.2.6 输出Partlist
4 ], J' Y8 E5 s3 m! ]1 c7.2.7 原理图中文输入 # w" P$ ]7 l) v7 ~, @# R' n# _4 }
7.2.8 进入版图设计环境 2 j4 M ]# ?7 {, S4 |
7.3 基于DxDataBook的原理图输入 - N% {+ d1 C+ U# [* n& n
7.3.1 DxDataBook介绍 1 A. ^" c, p$ v9 a+ E$ z( x: [6 b
7.3.2 DxDataBook使用 & W6 c3 b8 p0 [+ v: _
7.3.3 元器件属性的校验和更新
& y2 S2 |$ s8 D* w1 ]7 L) f0 P6 V第8章 多版图项目管理与原理图多人协同设计 ]4 T5 K2 D9 e1 z. ^
8.1 多版图项目管理 0 s* m o1 J( \5 v5 W
8.1.1 SiP与PCB协同设计的需求 3 {9 r% M) ?. a! J# g; n
8.1.2 多版图项目设计流程
, n4 G: {% Z( M( q% d2 W: L' i8.2 原理图多人协同设计
1 D3 Q9 h) C1 `- u( ?* X8.2.1 协同设计的思路 $ Z- h- P1 q$ c p0 d
8.2.2 原理图多人协同设计的操作方法
5 m1 X: Q" y$ X" t* I! W0 _第9章 版图的创建与设置
7 O; O- v" J- \" ^' b( ]8 {0 ?9.1 创建版图模板
2 j' @+ O5 V# @2 a9.1.1 版图模板定义 & m- o9 E/ n9 W# T% M4 ?0 h3 a3 p) V
9.1.2 创建SiP版图模板 4 c% m* b& c, H- f4 Y
9.2 创建版图项目 ! \8 t) T" O" v
9.2.1 创建SiP项目 ! u. O2 [! Q% ~% E6 @0 m. e
9.2.2 进入版图设计环境
; o# e6 `0 e2 v0 ?( [+ h9.3 版图相关设置与操作 9 a% Y# Z1 N5 m+ b4 P
9.3.1 版图License控制介绍
1 H- Q) m$ ~/ t+ E3 v, E9.3.2 鼠标操作方法
' s2 C( B$ J+ K1 K9.3.3 三种常用操作模式
( X: C2 i- \5 N4 E8 s# p9.3.4 显示控制 Display Control : A8 B0 A. u8 X- O
9.3.5 编辑控制 Editor Control 8 b4 u3 |( K; l0 ~' N" ?* h, G
9.3.6 参数设置 Setup Parameters 0 x" j. B k/ U o2 Y
9.4 版图布局 : G, h8 {8 T5 S% o
9.4.1 元器件布局 % B& i% B, {* N+ `- H9 a1 X) ?
9.4.2 网络自动优化
; o9 M7 \0 `( O! z9.5 版图中直接查看原理图-eDxD View , t$ L; F0 D8 H( t+ s) G6 ~( m) ]
9.6 版图中文输入 " |+ o8 N+ A# N4 y( u
第10章 约束规则管理 9 c# W: d Q+ z6 m/ F- I! N
10.1 CES约束编辑系统 " V) I! c4 E1 x+ W' {3 e
10.2 方案Scheme
- Q' W3 p4 T; C1 X5 F& c- S2 j10.2.1 创建方案Scheme ; s& u: G+ X6 K) x* P" L3 Q. Q: Z! i0 [
10.2.2 在版图设计中应用Scheme 4 G9 M+ O1 c: ^& s0 k4 {
10.3 定义基板的层叠及其物理参数 a n+ A- |! V* w
10.4 网络类规则 Net Class $ i4 _+ `) n, v% T' f: _' i
10.4.1 创建网络类并指定网络到网络类
* \; T) W7 ^1 H* b/ F6 n9 t. o10.4.2 定义网络类规则
4 n/ v# u8 C$ l4 H5 t- a10.5 间距规则 Clearance
/ L1 |, B9 c" C! S+ Q. ?9 y10.5.1 间距规则的创建与设置 * V& p6 u1 D# d; t" c, G% p
10.5.2 通用间距规则 $ `+ @+ S: M2 _3 w
10.5.3 网络类到网络类间距规则 8 G& l# q8 x" i
10.6 约束类 Constraint Class % \/ [1 z1 u' t) Z0 D
10.6.1 新建约束类并指定网络到约束类 7 I, G( |1 @9 }' q5 S
10.6.2 电气约束分类
3 u4 ^! l( x& D" g- `. c10.6.3 编辑约束组 - p- B2 l% B" d4 o% _, p
10.7 CES和版图数据交互
0 J: x# }; E# [1 G第11章 Wire Bonding设计
7 K& T# g) H. |, a11.1 Wire Bonding概述 / A( _. @6 I! S/ X: b
11.2 Bond Wire 模型
4 {- v* n) J* e11.2.1 Bond Wire模型定义
+ c5 M) L: b! b11.2.2 Bond Wire模型参数
4 L% `! ^7 B# y. E11.3 Wire Bonding工具栏及其应用 ; N/ }7 q) I( C& L7 \. l
11.3.1 手动添加Bond Wire
5 ~* b( t* K4 B3 y! b! S9 l: R11.3.2 移动及旋转Bond Pad 7 B6 k2 x8 ]2 y7 T! ~' p( A4 T
11.3.3 自动添加Bond Wire及Power Ring
6 z# O* }8 d2 q6 A" W11.3.4 Bond Wire规则设置 L) @& ^8 P4 {5 F, f- a# \- V
11.3.5 实时Bond Wire编辑器Wire Model Editor , Y8 s* ?1 J2 g/ s! J" z2 Y5 e
第12章 腔体及芯片堆叠设计
7 }# ^( ~ }) n: z$ J12.1 腔体Cavity
0 T4 E1 }* y& y: X12.1.1 腔体的定义
0 P: V0 g- _: x12.1.2 腔体的创建
. i3 J2 S+ v1 x$ Q- }5 ~12.1.3 将芯片放置到腔体中
+ v8 F6 b9 J2 L2 C! u2 p12.1.4 在腔体中键合 4 e# C" @) ?5 L* K
12.1.5 埋入式腔体设计及将分立器件埋入基板
% V6 U/ Y$ |7 v/ } H( p& ~12.2 芯片堆叠
N# g8 d& D) G6 w! t# ]5 v5 P% y7 v12.2.1 芯片堆叠的概念
8 Z& D w$ |1 S12.2.2 芯片堆叠的创建 ! }% A. z9 O/ E+ e9 f
12.2.3 并排堆叠芯片 ; E4 a. E1 w* x/ G% K. i* l4 T
12.2.4 调整堆叠中芯片的相对位置 + o' Z6 s" z H% _5 x6 y
12.2.5 芯片堆叠的键合
$ R6 ?! D2 N$ g2 ~0 I: A! ]: G第13章 FlipChip及RDL设计
6 q' a% P2 q& F2 M4 `: q13.1 FlipChip的概念及特点
1 Q+ s; ?, P% Q: e" x13.2 RDL的概念 , u I" U+ T) b( ]; l, A/ {5 E0 X
13.3 RDL设计 ; U6 j! W/ t) L# y# Y* _, }: r
13.3.1 Bare Die及RDL库的建立 , `$ G# v& U. ?% \5 i$ ?
13.3.2 RDL原理图设计
! P6 \ q0 S2 k/ I- H g) e13.3.3 RDL版图设计 4 {$ A7 b5 M+ O5 `1 P& k
13.4 FlipChip设计
/ D3 o0 t- m6 C* Z13.4.1 FlipChip原理图设计 + B' L) }4 ]( N3 r1 K# p& y- \
13.4.2 FlipChip版图设计
; B5 f O( x( c第14章 布线与敷铜 ' |( t. C+ L# P
14.1 布线
6 c- s+ |; r# h, s2 U14.1.1 布线综述
Z _& p0 f. a14.1.2 手工布线
$ z( i1 j5 m9 Z$ p& h* A4 w) _14.1.3 Plow布线模式
: ~( y3 X' a' Y: |* {14.1.4 Gloss平滑模式 3 N M g3 ?! i4 B' E3 U9 ]0 O9 f
14.1.5 固定Fix和锁定Lock ; ?" a$ i7 v8 D% A. d; X
14.1.6 层的切换
/ Q8 g r J/ f' \14.1.7 移动导线和过孔 ?0 h0 C: y- t* N9 Y
14.1.8 电路复制 : H6 m: f# b7 k: ?3 U# L
14.1.9 半自动布线
9 q, p+ K; H3 O! B14.1.10 自动布线
; U: `( r* @2 G0 {+ \) c- e14.1.11 差分对布线
% Z8 U- D( D6 o! G6 a14.1.12 长度控制布线
2 \+ l# ^5 a/ d) A& z( k14.2 敷铜
+ ~! K2 q; x4 x! V2 z' S) O14.2.1 敷铜定义 ( k$ }% k$ j) b5 o5 t M
14.2.2 敷铜设置
0 r9 ]/ Q' ` m9 l. C14.2.3 绘制敷铜形状 9 g9 V% H# G! s9 O) n. _. p( Y
14.2.4 修改敷铜形状 9 W. V3 L+ Q" A
14.2.5 生成负片敷铜 ! n0 x0 d# t7 q4 H6 ]& Z
14.2.6 删除敷铜数据 % K- }0 i9 @' P+ |% T0 E9 j
14.2.7 检验敷铜数据 ! q: m) N5 G/ P( l+ f z: ~% j
第15章 埋入式电阻、电容设计
$ e8 b& i7 f; M1 z. m3 y15.1 埋入元器件技术的发展 : _& e6 d) Y+ h$ R: [
15.1.1 分立式埋入技术
- A7 L2 A3 M4 S, ]15.1.2 平面式埋入技术
9 L2 k" s1 M( e+ ~. [ [: L" E$ k15.2 埋入式电阻、电容的工艺和材料 ) W8 ?( U, W1 T9 E' K
15.2.1 埋入式电阻电容的工艺Processes
9 J' L) C, k4 W1 H' g15.2.2 埋入式电阻、电容的材料Materials
/ a1 _5 T9 c5 ?( R, [- U' |, a1 A2 e15.2.3 电阻材料的非线性特征 - Q, e( d$ A4 W. J5 V' W# b
15.3 电阻、电容自动综合 0 n n( X- j4 ]7 @/ l( `
15.3.1 自动综合前的准备
) E2 R: y* P3 w0 ]: Q) K15.3.2 电阻自动综合
8 `0 K O" @$ G" J$ L* I, C15.3.3 电容自动综合 2 H6 `5 r/ O: n9 [) P
第16章 RF射频电路设计
2 @7 B9 E% N' y0 ]' q8 N6 v2 R, v16.1 RF SiP技术
0 Q$ ]# f+ X/ {( U8 w: o16.2 Mentor RF设计流程
/ s3 T: J0 h6 o5 F" D" G+ b4 i16.3 RF原理图设计 8 R7 l0 V2 F; X' \4 `% w
16.3.1 RF元器件库的配置
) _7 k- k3 G* F2 ]......
+ T" Q' P( _5 x, P+ M3 h Z
! g0 R. d* j L6 l- ]& F N |
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