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[ADS仿真] ADS2012

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2012-11-22 12:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    主要特性与技术指标 先进设计系统(ADS)2012 包含以下最新的增强功能:
    3 ~, q& R, H8 U  s/ H/ v+ M1 \. A3 |5 V2 c. J' ^/ B
    •针对射频功率放大器设计的技术突破和创新 —— 包括多芯片模块电磁场 FEM 仿真、为新的 Agilent NeuroFET 模型提供支持、新型电热仿真器、ADS 负载牵引和放大器设计指南的多项更新。9 E$ @3 V4 y4 ?9 T! W* L# @8 h$ N
    •可用性改进 —— 包括轻松共享工作区(归档/解档)、停靠窗口、高效的搜索和导航功能、三维电磁场元器件集成。/ ?7 G' }! x% g1 `, R
    •提高与 EMPro 的整合程度 —— EMPro 2012 包括与 ADS 2012 的进一步整合,以及对仿真器的多项增强,以便改善产品性能和加快产品开发。
    9 U# @  H1 I; v. w2 z, _3 F) C/ _ % a& b! e/ Y) A; ]& C& D
    描述
    ) `' Z% J5 ^- A, W2 P9 S安捷伦先进设计系统(ADS)2012 具备新的功能,可改善所支持应用的工作效率,并为 GaAs、GaN 和硅质射频功率放大器多芯片模块设计提供突破性技术。
    & A% D% k* d0 N4 K1 j; v' B
    4 [% O0 @1 c/ C$ r! |' z5 g9 H, b* g& X技术突破和创新( \* Z- u  }% M% p" ]5 ]/ o% ~

    / l! `: w7 D& o, A  a( H- x" v针对射频功率放大器设计的技术突破和创新包括:1 l  J4 H% Y2 f5 u$ _' Z

    0 K6 _: ~3 |8 z•多芯片模块有限元方法(FEM)电磁场仿真可以分析 IC 和互连之间的电磁场交互,典型多芯片功率放大器模块中的导线焊接和倒装芯片焊接凸点。7 a% e: U! X0 g0 H
    •针对新型人造神经网络的 Agilent NeuroFET 模型(通过 Agilent EEsof IC-CAP 器件建模软件提取)提供模型支持,获得更精确的 FET 建模和仿真结果(例如大功率 GaN FET 放大器)。5 `, _0 K) ?8 U7 }
    •提高与 Electromagnetic Professional(EMPro)软件的整合程度。EMPro 中的三维电磁元器件现在可以另存为数据库单元,直接在 ADS 中使用。. x' p$ N" u! W: D
    •新型 ADS 电热仿真器。它以整合到 ADS 的全三维热求解程序为基础,结合了动态温度效应,以提高“热感知”电路仿真结果的精度。
    $ L5 Y* d; [1 H% {+ \•ADS 负载牵引设计指南增添了多项更新,包括失配仿真,用于表示器件或放大器对负载 VSWR 或相位角的灵敏度。& _: Q, a7 z9 s; s
    •放大器设计指南增添了多项更新,可轻松查看在特定输出功率或增益压缩上的放大器性能。5 w- g; n2 L# M/ w9 @
    更多新的功能1 T. A: J  {8 S1 ]# X7 r

    1 \# R) D& F9 G$ b- b! X用户界面和设计管理5 T! n  Y2 |& m# x9 V' g

    * J1 a6 _0 ^) q! [, [: S•停靠窗口和选项卡式窗口以及对话框
    : ^5 g. j& i. \•元器件搜索——快速查找设计层中的对象. d9 a; y4 ~  b9 h$ P0 Z) P
    •网络领航员——确认节点连通性. g! U, G6 P$ ?9 @1 Z* r! \
    •灵活的归档和解档——实现工作区的资源共享
    : j9 M" |# l2 }" |8 c* m0 h- R•增添了数十种原理图和版图用户界面改进
    & c$ g+ {' T! g. u•支持第三方设计管理/版本控制工具(Cliosoft)# @- k- I0 u  P9 m
    版图
    ) G0 o' j% M8 P+ P% @, S3 s
    1 B* n4 v3 b; t+ d& H4 E•创建多层互连——复制和扩大简单与复杂的结构
    ' d% T' C# [# \7 m0 u% ?- t* |•把元器件锁定在固定位置2 Q" t9 g& W0 v2 _# N2 L9 u* L
    •标尺和尺寸线的改进9 v! }9 }, q' x$ i
    •ADS 台式 LVS 的改进
    . f) I& C1 V' R7 `/ t! m  ?•版图命令行编辑器——启用 cookie 剪切器,能够移除版图中的全部导线
    / H" ~. n/ V/ W8 n1 O仿真
    ( ?' F* O" C* U. ]2 o9 T6 e! p3 _, Y. U# q+ F
    •更快的线性速度——自动启用线性控制器中的线性网络人字板(Linear Network Collapser)7 s3 o, z( d$ `" A2 \& L  R
    •改善聚合/扫描特性——如果遇到聚合问题,忽视并继续操作+ d( P+ ]5 ?8 }" {" o
    •并行计算——更快速的瞬态 GPU、仿真管理器使用瞬态/聚合 8 个一组许可证对并行仿真器进行设置和控制: M) i2 _7 d3 `& L; T
    提高与 EMPro 的整合程度9 _2 V( l7 U& _( Z
    9 g6 Q8 |! R8 B# S$ ~  B
    •与 ADS 进一步整合—— 通用数据库允许您将三维元器件内置 EMPro 直接放置到 ADS 原理图和版图中。EMPro 与 ADS 共享数据库,为两者的更紧密整合奠定了基础。EMPro 中的三维对象可以另存为 ADS 设计数据库中的“元件(cell)”,直接在 ADS 中使用。例如在 EMPro 中创建的 3-D SMA 连接器元件,其“元件视图”现在可以直接放置到 ADS 原理图中进行电路/电磁协同仿真,或放置到 ADS 版图(例如用于射频印刷电路板)中,在 ADS 中进行全面的三维电磁仿真。直接集成可优化设计流程,使电路设计人员能够更早地使用全面的三维电磁场建模能力。只有 ADS 2012 才能提供三维电磁场分析和射频/高速产品设计之间的这种互操作性。
    " d  P$ {$ Q; n•全新低频分析算法——改善 <100 MHz 的仿真精度(包括直流 DC)。高频电路仿真需要在直流和低频范围内生成精确、稳定的结果。EMPro 2012 还将在电磁仿真技术方面引入多项改进。全新低频分析算法可改善有限元法仿真在 100 MHz 以下(包括直流)的仿真精度。以前的 FEM 求解程序很难在直流和低频范围内生成精确、稳定的结果,无法满足后续的电路仿真甚至更高频率应用的需求。
    7 u( p2 h2 q8 N( k4 i•FEM 网格技术使速度提升 50%——安捷伦还提供增强的 EMPro FEM 网格技术,以便提高速度(通常加快 50%)和稳定性。
    + }) N9 ~6 Q' w, e: v4 BADS 2012 即将上市!
    ( O! r# F  h6 O; j5 y2 h0 O8 D8 E, O! S) d$ h
    ADS 2012 预计在 2012 年 10 月开始发运。点击试用和许可证选项卡,下载软件和/或申请免费试用。如欲了解该版本增添或改进的特性与功能,请参见先进设计系统 2012 更新。1 _' `3 p4 _  R& \7 ]8 k% f
    6 x0 m; z9 n( h1 Q6 Y
    如果您已经准备使用 ADS,请填写并提交演示软件申请表。' O! N6 n" ]( G5 R5 H
    + N! U  i8 A0 C6 K7 m* W
    查看其它的 ADS 产品版本。
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