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2012年IPC第一届PCB设计大赛(中国区)作品点评。只代表个人意见。& |" u3 a6 r }4 y5 C$ m
7 c8 m" h- w% D先来看下冠军的作品0 P* j) D3 b2 O' I- s2 t9 R
1.光绘设置好,看图自然就方便多了,我们选ART03(黄色)看地址的走线,拓朴结构走得蛮顺,上面DDR颗粒之间绕线很少,且误差都在+/-30MIL内。还有一组DDR3数据线(红色)能做到同组同层,看此层线间距很均匀等长也很美观。空的地方都铺上了地铜与POWR04的电源耦合非常合理。& B8 d+ _$ ?& ]: o( P: g: }
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2.再来选ART06看下走线。一部分是地址线(黄色),另一部分(紫色)是DDR3的两组数据线也是做到了同组同层,所有走线没有跨分割(平面层都是整个平面),地址线分两层走比较合适,做到线间距均匀合理,蛇形线也很美观,此层空的地方也有铺上GND,这样能考虑到板子的信号质量和板子的平衡防翘曲。
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9 I3 }7 O# F/ [3.选TOP加上丝印来看,TC3216钽电容能均匀整齐的摆放到板子上,且每个焊盘都有两个VIA。此层空余处也有铺GND并打上了地孔。
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4.选BOTTOM加上丝印来看。地址线的上拉(黄色)电阻长度很短,有一组DDR3数据(红色)也是同组同层走,还有一根REF线左右穿插稍微有点绕。
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+ e6 C9 M2 f& n1 l7 J5.所有DDR3的数据线误差都是+/-10MIL,在这么有限的时间内等长、文字、设置光绘都能做得如此的到位是非常的不容易!
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! V# @% |4 ]2 J( x; ?5 L* |/ Y q- s6.我们整体看下电源,DDR1.5V的电源供电在CPU下面有点过远,这是美中不足,布局时考虑不够全面。
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下面来看下亚军的作品6 D5 M! o/ v' q" Q4 _& T
1.光绘没设置好,我们只能选ART03加开板框来看了。地址线(黄色)看起来右边的空间很充足,感觉线之间有点紧凑,DDR3颗粒间的蛇形线有两处重叠,估计时间来不及了,红色线和紫色的两组DDR3数据线走得非常好,同组同层没有跨分割(平面都是整块)线间距也很均匀。空的地方没有铺铜,估计时间不足。1 t) v; [& z$ m
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$ r: A3 |; }1 Q1 U+ U2.选ART06加开板框来看。此层的地址和数据线都做到同组同层,地址和数据也是平均分配到两个内层,此层看起来感觉非常美观。 d+ B' l+ C- r( G5 a7 u5 V& h
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3.我们开所有走线层和丝印层来看。TC3216的钽电容都有均匀的布局,VTT上拉供电路径很短,电源部分都有先过电容输入,过电容输出,DDR3/1.5V电源供电也很近,电源控制部分也很短.CPU在右边DDR3的出线也很好接线,这是一个非常完美的布局。REF走线只有12MIL要是再加粗点更好。9 Q9 _# f& }5 S/ J; S& H
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下面再来看下季军的作品
* t) d" {; _9 S s1.我们开L3层来看。地址线(黄色)走线很靠板边,红色和紫色DDR3的三组数据线走得有长有短,明显是空间太紧张。现在接通已经是很不错了,等长应该是没有空间做了。季军此布局欠考虑,是影响布线的关键。
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2.我们接着看L6层。黄色地址线右边有希希的几根,DDR3颗粒之间的线太密了,线没有合理的分层,紫色DDR3数据线只有DQS差分在TOP层走很长才在此层换,相对来说这组线走得比较好。' ?% _* O. S+ e, ?' }7 t
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3.我们接着看BOTTOM层。地址线(黄色)在背面这么多小滤波电容的情况下真是太难走了,最左边RST/OTD两根地址线已经不是走菊花链,已违背DDR3的设计要求。; T N2 B, Q. a3 h1 o
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4.我们接着看TOP层。有一根黄色CSN0在其它层没法接,就在此层绕来接通。红色的DDR3数据线也是参差不齐的换层。还有TC3216钽电容摆在CPU上部没有多大意义。; O, i/ ?0 u: t
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8 ?$ l; N# B0 j% O: t5.再来看电源部分。12V电源输入到MOS管处只有12MIL线宽,输出也是一样过细。1.5V经过电感到电容再给DDR3供电太远了。与亚军的相比布局正好是倒过来了。
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9 R8 {$ r( [( |7 ?9 T9 F往下看VTT部分的供电吧!. |9 I; l/ g. ?# a2 a- Y
U7输入1.5V转出VTT,没有经过两个TC3528钽电容滤波进来,这里是设计上的失误。
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- I& ^! W; K; E. x% w9 P3 K再来看DDR3REF。' }. F$ S' b3 D7 P/ o
REF电流小于100MA,没必要用一个平面层分割来处理,这样走在L6与BOTTOM层的线就会跨分割,信号完整性的考虑欠佳,估计以前设计DDR3太少了。
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