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[仿真讨论] 有关DQ_HALF_ODT50和DQ_FULL_ODT50的区别?

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1#
发表于 2012-12-24 09:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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现在做DDR2的仿真,遇到一个问题,IBSI模型中有很多标准,例如,数据管脚就有DQ_HALF_ODT50_667、DQ_FULL_ODT50_667等等,我想请教一下,“HALF”、“FULL”有什么区别?在什么场合使用呢,谢谢!

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2#
发表于 2012-12-24 11:31 | 只看该作者
请把IBIS文件上传上来看看,大家分析。667MHz下的两种模式

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3#
发表于 2012-12-24 11:33 | 只看该作者
“HALF”、“FULL”有什么区别?
4 A8 j2 ^$ I; B$ y9 s7 w半驱动及全驱动输出,HALF 输出阻抗较大,FULL输出阻抗较小,搭配你的PCB 阻抗设计,以终端信号振幅足够大,信号反射最小为原则。

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4#
发表于 2012-12-24 13:06 | 只看该作者
驱动电流的大小区别,
% T* S$ d2 E7 n5 s( c, k如果你的负载多的话,可以使用FULL,* r* q9 V$ t1 ^. d) z" ^& J7 g
少的话使用HALF

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5#
 楼主| 发表于 2012-12-24 17:03 来自手机 | 只看该作者
qaf98 发表于 2012-12-24 13:06  驱动电流的大小区别,  如果你的负载多的话,可以使用FULL,  少的话使用HALF

9 N1 q! {6 J3 U4 {' c* hDQ_FULL_ODT和DQ_HALF_ODT是DDR2的IO模型,怎么谈到负载的问题了呢?DDR2是控制器的负载啊,在写操作是时,控制器发送数据,DDR2接收数据,这时DDR2的数据总线的IO模型用带ODT的;在读数据时,DDR2发送数据,IO模型不要带ODT的。这样的话,您说的就不对了吧。

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6#
发表于 2012-12-27 09:19 | 只看该作者
yinning 发表于 2012-12-24 17:03 1 ^6 |" t2 ^! }) A- V
DQ_FULL_ODT和DQ_HALF_ODT是DDR2的IO模型,怎么谈到负载的问题了呢?DDR2是控制器的负载啊,在写操作是时 ...

2 V( F" b; p6 s2 Z
5 m+ d  n; n! ^& l- N4 X5 P- i不好意思,看错了!你说的对的。
7 w! h! J4 c2 x' w1 E
2 N/ P' O+ w+ J& v' u7 j5 Z: q一般的DDR2 DRVIE model DQ_HALF  & DQ_FULL,   DDR2 RECRIVE是 DQ_ODT75  or DQ_ODT150, or DQ_ODT50.+ o1 M. E; L; B
你说的那个有点奇怪。
) m: t' {1 n( N! D( v9 k要不告诉我们DDR2型号,我们去下载看看。1 {% l) z2 I7 ~9 s
一般IBIS文件里会对模型做简单说明的,你找找。
  • TA的每日心情
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    [LV.3]偶尔看看II

    7#
    发表于 2012-12-27 11:48 | 只看该作者
    那家的,把模型传上来,分析一下。

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    8#
    发表于 2012-12-27 23:17 | 只看该作者
    hello
    ( {. l4 I5 X, s. A* sODT是作为数据信号的端接匹配,通常情况下会按照端接阻抗的大小进行区分,不会进行HALF.FULL的区分。% L& T! h* Z( x' b2 j+ H" Z
    HAFL.FULL的区分一般情况下是作为发送端进行区分的,就像3楼兄弟说的那样~
    ( U# t: e' c. V/ q, g, n+ j; `7 H- Q4 p" O4 k
    如果这个model是I/O就能说通了,即作为接收端口时是用ODT模式,作为发送端口时使用FALF.FULL模式进行区分。可以利用两个model做个简单的替换实验就能知道是不是这样了。

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    icy88 + 5

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    9#
     楼主| 发表于 2012-12-31 15:02 | 只看该作者
    kaenii_nanjing 发表于 2012-12-27 23:17 ( Q9 S8 Q; A: `6 P/ m
    hello
    % Q: K- z* U5 G( m; v" A- _- e& i+ EODT是作为数据信号的端接匹配,通常情况下会按照端接阻抗的大小进行区分,不会进行HALF.FULL的区分。 ...

      B! Z9 [: |% u. O4 n, W* g就像你说的DQ*是DDR2的数据总线是IO,当DDR2作为负载时,ODT功能有效;当DDR2为驱动源时,有HALF和FULL两种模式,不知道这两种模式怎么区分的,我查了下,好像是驱动力的强弱之分,不知道是不是?

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    10#
     楼主| 发表于 2012-12-31 15:13 | 只看该作者
    qaf98 发表于 2012-12-27 09:19
    8 z6 r; }+ h$ Z0 A* r" T7 h不好意思,看错了!你说的对的。
    8 d, t4 a" b. U( V9 i/ O' a8 C* c3 I( l- l9 c4 {2 t
    一般的DDR2 DRVIE model DQ_HALF  & DQ_FULL,   DDR2 RECRIVE是 DQ ...
    + l! T& H6 ]5 h: o. ]$ u
    是美光的,MT47H64M16HR-3,顺便问一下,仿真地址和控制的时候,用的是哪一种模型。

    该用户从未签到

    11#
     楼主| 发表于 2012-12-31 15:17 | 只看该作者
    willyeing 发表于 2012-12-27 11:48 # H* ?5 F" E6 O5 Z/ N5 ]5 p
    那家的,把模型传上来,分析一下。
    ' P+ E$ G5 l9 e$ }; K7 J; D7 X
    请分析一下!

    u68a.rar

    322.44 KB, 下载次数: 18, 下载积分: 威望 -5

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    12#
    发表于 2012-12-31 17:52 | 只看该作者
    这里的FULL和HALF就是指的buffer输出时不同的驱动电流强度,和ODT没什么关系,至于如何选择FULL还是HALF得看你DDR驱动对应寄存器的设置。( e( c7 l# z% H# g% y0 q; w" W5 k% V

    ) l) x2 ]# Q" I! H; j! Z; Q# V5 Z8 v- @" y9 C+ H$ n
    0 r1 F2 t/ C1 e9 g! |: r0 _2 a

    ( @9 m. f9 ]+ } : t5 u- X8 k5 t' p) K: C
    4 a2 A3 s* i# j' W; |

    & {8 B; y+ Q0 z$ G/ ^. V( D $ Z6 g0 w2 `3 r

    0 H" T0 g% Y$ @5 |& @  j& S( ?& F  a. F7 s+ t* n8 w& C! P+ L, o
    " m# l4 r" X6 e- \! l( k
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    [LV.3]偶尔看看II

    13#
    发表于 2013-1-4 10:50 | 只看该作者
    yinning 发表于 2012-12-31 15:17
    0 A6 N1 @3 ^8 k请分析一下!

    3 x" z5 a/ p, j8 L% }' b" j5 N如果是hyperlynx的话有个model selector选择你要的模型就可以仿真了。

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    14#
     楼主| 发表于 2013-1-4 14:18 | 只看该作者
    yuxuan51 发表于 2012-12-31 17:52
    & Z: w9 E$ a/ ]4 {) U这里的FULL和HALF就是指的buffer输出时不同的驱动电流强度,和ODT没什么关系,至于如何选择FULL还是HALF得看 ...
    $ V& B5 n7 D3 D  O: y. s1 n8 C
    谢谢,明白了!
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