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[仿真讨论] DDR3的地址线的上拉电阻需要做等长设置吗?

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1#
发表于 2014-11-21 23:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
看到别人的约束里好像没有设置,不知道要不要设置?

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2#
发表于 2014-11-22 09:33 | 只看该作者
不需要  你要等长也没错

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3#
 楼主| 发表于 2014-11-22 12:23 | 只看该作者
cousins 发表于 2014-11-22 09:33
& V  _% m' ]  x不需要  你要等长也没错

! S  e# q! e5 _5 |/ Z7 m; h; D那这个上拉电阻走线的长短有要求吗?感觉太长了不好啊
. |; Y$ O- q1 t

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4#
发表于 2014-11-22 12:45 | 只看该作者
不是有种功能叫做write leveling吗,多和软件沟通沟通。4 J/ E" g! j2 e2 r3 q; X( [
若为daisy chain,则最远的ddr和clk做下长度控制,不要超出clk长度300mil以上。$ K/ N0 G+ z" H: U1 W6 O
若为T chain,全部都可以做不超过clk长度300mil以上的控制。
6 V) N; w4 A! y+ @1 [  p4 V& X至于等长,2T没你想得那么严格,1T你就以卡在100mil以下。

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5#
发表于 2014-11-22 21:11 | 只看该作者
cousins 发表于 2014-11-22 12:45: t% G) {' g; o: O& ~, I7 o' x
不是有种功能叫做write leveling吗,多和软件沟通沟通。
  [! T' f; P/ V若为daisy chain,则最远的ddr和clk做下长度控制 ...
# M& t0 |' u8 v) v" R/ ^
在这里不能用一个绝对的数值来表述,要看Leveling的能力,即算法问题,还有就是要看你设计的DDR3的信号速率,一般都是看leveling的调几分之几的CLK。所以这个才是决定你可以设计的skew是多大。

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6#
发表于 2014-11-24 10:51 | 只看该作者
Coziness_yang 发表于 2014-11-22 21:11! K3 ~* Y2 f( G- {
在这里不能用一个绝对的数值来表述,要看Leveling的能力,即算法问题,还有就是要看你设计的DDR3的信号速 ...

, \8 K/ Y0 Z$ `9 D1 j1 M# ]% B6 a那不如仿仿看,我所说的规则能不能满足你的大部分controller和ddr3的skew要求。
4 n/ X2 V' d$ J5 ~; p
. {2 W; [9 W" @' ]" ]- Y

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7#
发表于 2014-11-24 22:47 | 只看该作者
cousins 发表于 2014-11-24 10:51
# K: a. I" h9 j4 Y( W& u5 n那不如仿仿看,我所说的规则能不能满足你的大部分controller和ddr3的skew要求。

+ K. H+ [( I: A( l+ J1 K* ]300mil的skew就相当于51ps,而对于DDR3的1600Mbps的信号线来说,CLK的周期是1.25ns,所以对于300mil的来说还是没有问题。但其实在实际的DDR3绕线时,我们的设计基本是等长,基本放在100mil以内。
" H% |" L% s" Q+ A4 ~7 _" F( c5 p

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8#
发表于 2014-11-25 08:43 | 只看该作者
尽量短点,在300mil以内会好点,VTT以拉线的形式做,不用铺平面

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9#
发表于 2015-1-12 08:40 | 只看该作者
放在最后一边DDR那里,最好做等长

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11#
发表于 2015-1-13 19:13 | 只看该作者
末端匹配电阻,就是一个端接。和时序没有多少关系。不用作等长,但是有长度要求。走线越长,端接效果越差,一般要求500mil即可。
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