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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

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    1#
    发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
       在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。8 n: z! H8 u" l2 ^0 i( {* L
       我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!! r! R& q2 G7 O* H5 g

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    该用户从未签到

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    发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑 4 m" O- r/ [4 }' y1 i. _: C& q

    2 u% o/ P! ?. u3 R6 OACLR肯定是受输出功率影响啊
    ; i$ V9 c7 q# l% E. K$ ^% q  r
    5 h4 x3 v+ i( ]* {$ \3 _- O) U, [$ s- I" [0 V' p" s
    3 d9 z" I$ a3 b3 S& x* P7 {2 j
    0 o/ S' E- U7 T
    ' p) m, K5 @+ V  J1 d. c
    1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应+ `& i8 ]. u- o+ K' c! Q
      P! P7 @( I6 L
    ( D' S$ ^7 i- K  B1 G

    2 `, v2 n; I, T$ l
    7 _$ E) n3 R! s3 g! q  {2 Z5 h& {

    # X0 d1 K8 K" N! i) P# ~, d
    而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :8 x9 G& w* E! {+ ?/ k, M

    6 A* W6 V/ d5 T' b: }' B
    0 p9 f  X3 Z( M
    , g$ `- n7 i& h+ f1 [" @9 c
    而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨; ]+ a/ I5 K5 V  z  E  c9 Y
    $ J) T: t+ ?9 u. o+ o1 G# N

    & N* `( n$ O7 d$ V( d2 }

      d# i% n/ v3 F( G
    1 Y6 W% z% k0 O8 H  D8 G# k
    而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
    所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
    测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3
    % q: `; P: N7 v, X

    1 e4 _* N$ W5 U: G5 D$ d5 @% _' T

    $ g! K* ]2 b; X* |# L! X2 r) x& g
    由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
    或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
    , C2 d. B$ {3 w- c; {' M
    " w8 c# u* P; F# H
    5 Q2 p" k. Y1 p) x0 L6 g; d5 R0 X7 H/ m: ^: t" W, ?

    , c# y8 w6 V6 k7 y* w$ T( u% P! S4 s- s9 |

    ; ~0 Q, E4 _6 }! |4 i
    * B, d& D- L) A2 _8 ~! I- ^! A" y) K! U8 p$ ?9 o: u
    2.      
    另外  厂商多半会有PA的Load pull图

    " b2 E; J0 N! Y; M/ @& c$ h  H
    6 V% F+ o1 ?4 k, |

    2 D( f' c8 ~+ }
    0 K+ ^$ @& [" A" [* R0 G  }: t
    由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
    这是因为PA的线性度与效率  是反比的
    你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
    反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
    所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
    以兼顾ACLR跟耗电流
    , S* T8 x: X1 P3 W  p

    / k9 ?" I& S% H/ ]0 b: D% K) ?
    # N3 J0 u/ Z' F1 c3 g
    3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
    因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
       当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)
    & c& a. F3 c' Z* I% p  K# @4 f0 }% @8 q! _( Y" d" U; n+ ?% |
    ; \0 z. v5 ^% B- w: V

    5 N: W9 K1 M0 p9 _: P8 V( I/ P
    而WCDMA的方块图如下

    , t$ [/ @3 |8 ^8 o7 {
    : |  k# w; ~' H8 p5 n

    5 j/ e' }3 H( Y+ e. B4 b+ ~& d
    PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
    统称为PostLoss
    如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
    一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :

    7 K1 |, R2 j+ Y; z, j! S

    . n# H) K9 F# V  m
    , e0 O- C0 b5 q9 r) F
    * d* y3 }: P4 r4 U- ^4 [

    3 f. ^' }$ d+ s, {, u: V
    如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
    当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化* b9 z, h/ o, j7 ~9 [% Q
    . z2 f" X' `' L( t

      [; \" x" _" T. P. j
    ; z$ r' h4 e+ Z' g

    8 T6 w" d) t" C5 I5 l2 j' b: A( Q: a8 {! M- k9 D) w
    " h3 F0 u  H; g' C( y8 e  {' z

    2 `) S# w; w& D0 R/ b8 C8 C6 h! D7 V
    0 R* v1 ~  V6 p; g
    4.      
    " S( O( K* u  h5 L

    " H% Z3 E2 e  M, q( N
    由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
    如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
    亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
    加上PA是最大的非线性贡献者
    如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
    一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
    都要求至少-40 dBc: k1 O9 v9 q& X6 @3 f
    1 q8 u8 z! K! g  i0 y0 X/ p9 b6 g
    1 o9 p9 x% F0 B( V

    6 f* y4 l: ~: Y+ [4 G/ r0 V
    亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
    (由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
    再次证明ACLR与输出功率有关)

    : v$ L) w$ q  h" t( m; t4 g
    8 H0 h# s% ~, h/ ?9 @# V# T/ \4 R$ A
    2 {$ d5 P- L: M/ n& j" E
    5.      
    LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
    进而使ACLR劣化。
    ! g" T& ^% u, Z6 a& d! r3 ]5 y

    " \  S) {" W' U% Y
    所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
    可降低其IMD3
    进一步改善ACLR。
    0 f8 N! o  f- ~& H

      Y( U% o) M- _% q
    若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
    因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。
    % a$ O8 w. T9 \
    , C  t2 I$ i* P* [2 a

    # [( x5 U1 y9 m
    而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好

    * ]1 Y3 X9 }' j# u" H, N$ J0 o
    $ D, V5 j& F8 X6 t! b+ R' I  p

    ! M% N9 \3 @; y* B4 H- T- |; a
    当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。7 `5 u* e" O0 }' z1 d* ]
    而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

    ( k  u) w& ]$ _7 }2 F3 T8 ]

    4 L9 r0 C( O. }) }5 k* o4 o3 e
    6 f( Q' ]# C! y) n6 x$ J
    这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,* X8 N3 r* i3 D% S
    PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
    主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
    8 Y: j, P% l' }
    换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
    其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

    8 N/ u( F! l! w$ }; d0 ?& b5 q- Z8 {* e* P, Q+ r  m; G
    ! D$ v* [0 i* C: m4 n/ W

    % b3 I3 U+ x5 y' {% H1 O# l0 F! u" Q! a

      N% @3 w; g8 [4 I" |. f

    6 H$ |. u( y% C  ~% i
    但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
    但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
    意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
    (若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :
    + @) ?2 G4 H" {
    3 S$ Z- a4 e* P$ C7 z) P6 C. Y7 g
    而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

    ; i" B2 [5 o; X+ Z
    3 f! V* ?% R" A+ W3 O( o- M7 ?1 b9 S; f
    若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
    那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
    当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
    但成本不低
    4 a  J. U' b9 T( B
    " u; u, K8 a$ Q% Y

    5 s6 H8 p) L* b  U* m
    6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

    " g/ r$ K  k. J; \. E
    9 s. o9 B$ C4 u$ ?  D) U1 `

      N) I8 D) L; M5 ?6 B2 u6 S
    这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
    即Cgd, 如下图 :
    . u/ @& c2 u( B
    . M+ v- D+ j0 ]: Z/ d) I
    1 N( N: Y/ S/ Y6 e) n  A0 T
    ' S+ c/ J% y5 J  }2 f, i1 r

    ; A5 D  R: s* l: a5 i: u1 s+ m# R. f
    9 p* E1 z; Z# g+ y9 R! a
    而当电压极低时,其Cgd会变大。
    $ X0 s9 k7 g3 e2 P" \
                            

    4 f3 G8 J2 s* ~$ _# h) V# D
    上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,
    2 u7 r% Y4 ^1 O+ ]- |因此部分输入讯号,+ ^. g! i1 S- [/ @9 l
    会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真  K7 K. W. L9 o/ A' Z  _8 D
    简单讲  低压会让PA线性度变差/ R/ J% E# h4 D0 k
    因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小" P) j$ B8 Y+ g& ]
    那么ACLR就会差
      T+ Y7 {# c0 j4 x当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要- _8 w& B8 S) p4 R6 k2 w
    否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差  i' V1 D! N. ]9 _4 N9 C
    那PA输出端的ACLR   只会更差# Y+ b: U' u9 ~5 v" J0 n

    6 Y; k8 U7 Z1 p
    ; l! c9 B$ b- B+ f, |; n: J
    3 U) d- o4 d& U/ w; T/ _  D  X
    - u9 R: H; e* O( G; F' }2 Q

    : b9 I  ^; X/ K
    " q! l) A- `# i* D6 Q+ O  f+ ^7 U  O9 v9 g. v9 M! m3 ~

    ( q. ?. k/ n1 B3 e! c$ z: f
    6 s; i* ]+ t$ ]  Q/ d. M
    ! I" j! u3 t; O1 p3 G2 [
    . M" ?7 }7 g3 |  S2 K
    7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
    ) k5 e* V; e! |& K1 L: s' E& \
    8 C4 K+ F: D( Z* C8 I0 Z
    而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
    (因为提升了PA的线性度)
    ( S( o  V: E( `9 D9 ]
    7 x4 P2 X- G( x  b4 T& M

    3 B7 M5 X# o. ]* x4 _2 v3 L* U8 o6 z
    5 ?5 l( }1 g: b9 l# H/ s3 q8 z( U% K
    因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下; y8 Y1 J; K3 v4 G

    $ J7 m# l5 Y% a" M- k" U
    % Q- f# k2 g- T) C4 N, X( K
    7 G8 I+ U, T, a2 e
    8 ^( E* @2 ~9 q3 q3 z
    ' r8 J2 k; @$ x
    2 ^& J% w# _  e# P0 q% {
    - ~" e7 Z! A" C5 I: H- x

    & Z/ q8 \6 q5 b, E% R
    8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
    其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
    " t8 c3 r( E+ H. m) x

    : e. O4 {3 [  |- U, {
    $ H" Y* \1 t- v+ f% x' l1 y/ w
    由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
    座落在主频两侧
    $ n, X4 }# `) h: ]( X

    - b1 }7 I! N4 p2 I& `- Y5 k, G0 u
    0 I: w' A. \9 q& [1 g7 M
    虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
    理论上不会影响正负5MHz的ACLR
    但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
    其带宽都很宽   大概10MHz
    因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
    (WCDMA主频频宽为5 MHz)
    换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
    故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR
    6 X- {3 R3 w% g: L; z
    . d. {- f( s% V' L* ^3 ~

    5 ]! o7 |& e2 @! @
    因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
    便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
    故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
    如下图 :
    ; ?1 G6 Z! }  [6 K

    2 W, m/ Q0 `  i/ Q3 s6 v
    3 a! m' c0 z  Z( h5 \
    我们作以下6个实验
    ) Y9 S0 e# J. Z; n) Y9 _* W  v

    - `: z8 v+ x5 ^1 l6 \: x

      }/ K/ @- H4 U/ p% ?
    ' R3 a! X' t, I
    3 V' V, r; J4 t- A! S" p

    5 Y- I( x7 ^) x3 Y9 X+ E
    " f  a( s* i! Z. O; ^* j) O/ x

    * j, m3 \" I' z" s9 s$ g
    就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
    我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
    其1MHz的InsertionLoss都变大  
    这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
    对于Switching Noise  确实有抑制作用
    而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
    由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大

    ; ]6 C0 c3 I4 c0 j6 B
    / z$ B% V! H) \  g( b; V* b9 Y

    9 ~; Z0 b$ f# K, j3 D- {" N9 @5 i5 u" K3 a" \7 M

    + F) Y8 O% h4 j% Y1 O. d/ N1 G

    : n" Q( j8 M8 h6 a9 d+ n# Z( s" i% k* z- s- R& K7 e/ Q
    ! }: k, x6 Y# ^
    9 v; e, B- W; X# y4 \4 p
    9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
    绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
    是低阻抗路径   若共地
    则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
    直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
    换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用; v" J9 [+ \- |+ y% S: O( j
    5 T5 T& G2 l6 {

    ( P7 b5 h. \- W' M0 ]1 t: X' F9 X0 ]
    7 i. B  K& g4 }6 q4 Y# L

    ! d- {7 u; T6 E* h  y: F' F
    而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
    使PA线性度下降  ACLR劣化

    ' X) t/ {4 {7 Z' |* ]9 [+ B; B9 P# G
    4 v4 C4 ?( f+ Q# U. S8 Q
    ) t: Z4 s& }3 t) c2 E0 U# B" t& j6 Z1 R0 O8 w3 ]; P

    ; ]. I% C/ K1 n" r

    . ~6 \' h. E$ K1 [1 s
    * C6 Q9 F8 D9 j8 K' O, E% _
    因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
    4 K( E; [0 L: o7 A9 s# X" X0 l
    1.     PA输出功率
    2.     PA Load-pull
    3.     PA Post Loss
    4.     PA的输入阻抗
    5.     PA输入端的SAW Filter
    6.     Vcc的IR Drop
    7.     校正
    8.     DC-DC converter Switching Noise

    7 M3 F% C3 a' V1 B9 {
    5 p, L: y) z; n. Q0 j" _
    ; d  m! _0 S, y5 |- R. G3 j. e
    $ A! e$ F0 h) y; s4 w9 v" l* I9 X6 f$ Z* ?

    % V0 ]- \- d9 v- A# @; z6 d7 B2 g
    3 Y2 E. X! m* O& E

    点评

    支持!: 5.0
    支持!: 5
    不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
    支持!: 5
    虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
    谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14
  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    3#
     楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
    criterion 发表于 2015-3-8 16:32* L* _( g/ X2 z7 `( N8 T
    ACLR肯定是受输出功率影响啊
    1 V1 y: u& q+ r1 E& B
    谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!
      W- N6 {- Z6 J( a

    点评

    另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑 " {7 V7 V- [0 d4 N7 E3 O' i
    [url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]
    ! i+ D) j# ?9 T6 F/ w
    ! S4 w! R& z! z+ w1 q- i7 s

    7 S# l, V5 g0 r" P' i% t* N* ^0 c, O7 b& a8 B

    / V6 _' g6 i6 B5 w/ ?1 ~; x7 t! g! k0 `. P5 Z

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