| 本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑 4 m" O- r/ [4 }' y1 i. _: C& q 
 2 u% o/ P! ?. u3 R6 OACLR肯定是受输出功率影响啊
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 5 h4 x3 v+ i( ]* {$ \3 _- O) U, [$ s- I" [0 V' p" s
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 0 o/ S' E- U7 T
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 1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应+ `& i8 ]. u- o+ K' c! QP! P7 @( I6 L
 
 ( D' S$ ^7 i- K  B1 G
 
  2 `, v2 n; I, T$ l
 7 _$ E) n3 R! s3 g! q  {2 Z5 h& {
 # X0 d1 K8 K" N! i) P# ~, d
 而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :8 x9 G& w* E! {+ ?/ k, M
 6 A* W6 V/ d5 T' b: }' B
 0 p9 f  X3 Z( M
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   而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨; ]+ a/ I5 K5 V  z  E  c9 Y$ J) T: t+ ?9 u. o+ o1 G# N
 
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 d# i% n/ v3 F( G
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   而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小   所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物 测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3 % q: `; P: N7 v, X
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 $ g! K* ]2 b; X* |# L! X2 r) x& g
 由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区 或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低, C2 d. B$ {3 w- c; {' M
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 2.       另外  厂商多半会有PA的Load pull图 " b2 E; J0 N! Y; M/ @& c$ h  H
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 2 D( f' c8 ~+ }
 
 由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off 这是因为PA的线性度与效率  是反比的 你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大 反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差 所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆 以兼顾ACLR跟耗电流, S* T8 x: X1 P3 W  p 
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 3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络 因此其PA须靠Back-off   来维持线性度    当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)& c& a. F3 c' Z* I% p  K# @4 f0 }% @8 q! _( Y" d" U; n+ ?% |
 
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 而WCDMA的方块图如下 , t$ [/ @3 |8 ^8 o7 {
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 PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss 统称为PostLoss  如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm) 一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 : 7 K1 |, R2 j+ Y; z, j! S
 
  . n# H) K9 F# V  m
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 如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点    当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化* b9 z, h/ o, j7 ~9 [% Q; z$ r' h4 e+ Z' g. z2 f" X' `' L( t
 
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 4.       " S( O( K* u  h5 L
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 由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull 如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远 亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差 加上PA是最大的非线性贡献者 如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差 一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHz的ACLR, 都要求至少-40 dBc,: k1 O9 v9 q& X6 @3 f1 q8 u8 z! K! g  i0 y0 X/ p9 b6 g
 
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 亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc (由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低  再次证明ACLR与输出功率有关) : v$ L) w$ q  h" t( m; t4 g
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 5.       LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3 进而使ACLR劣化。 ! g" T& ^% u, Z6 a& d! r3 ]5 y
 " \  S) {" W' U% Y
 所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉, 可降低其IMD3 进一步改善ACLR。0 f8 N! o  f- ~& H 
 Y( U% o) M- _% q
 而若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声, 因此理论上,使用BAW的ACLR,会比使用SAW来得好。 % a$ O8 w. T9 \
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 而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好 * ]1 Y3 X9 }' j# u" H, N$ J0 o
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 当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。7 `5 u* e" O0 }' z1 d* ]
 而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。 ( k  u) w& ]$ _7 }2 F3 T8 ]
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 这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,* X8 N3 r* i3 D% S
 PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR, 主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。8 Y: j, P% l' }
 换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小, 其实PA前端是可以不用加SAW Filter的, 8 N/ u( F! l! w$ }; d0 ?& b5 q- Z8 {* e* P, Q+ r  m; G
 ! D$ v* [0 i* C: m4 n/ W
 
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 但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR, 但若其PA输入端SAW Filter的Insertion Loss过大    意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围 (若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 : + @) ?2 G4 H" {
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   而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :   3 f! V* ?% R" A+ W3 O( o- M7 ?1 b9 S; f; i" B2 [5 o; X+ Z
 
 若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差 那么PA输出的ACLR  肯定只会更差 当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案 但成本不低 4 a  J. U' b9 T( B
 " u; u, K8 a$ Q% Y
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 6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差 " g/ r$ K  k. J; \. E
 9 s. o9 B$ C4 u$ ?  D) U1 `
 N) I8 D) L; M5 ?6 B2 u6 S
 这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容, 即Cgd, 如下图 : . u/ @& c2 u( B
 . M+ v- D+ j0 ]: Z/ d) I1 N( N: Y/ S/ Y6 e) n  A0 T
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 而当电压极低时,其Cgd会变大。 $ X0 s9 k7 g3 e2 P" \
                          上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,4 f3 G8 J2 s* ~$ _# h) V# D
 2 u7 r% Y4 ^1 O+ ]- |因此部分输入讯号,+ ^. g! i1 S- [/ @9 l
 会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真  K7 K. W. L9 o/ A' Z  _8 D
 简单讲  低压会让PA线性度变差/ R/ J% E# h4 D0 k
 因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小" P) j$ B8 Y+ g& ]
 那么ACLR就会差
 T+ Y7 {# c0 j4 x当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要- _8 w& B8 S) p4 R6 k2 w
 否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差  i' V1 D! N. ]9 _4 N9 C
 那PA输出端的ACLR   只会更差# Y+ b: U' u9 ~5 v" J0 n
 
 6 Y; k8 U7 Z1 p
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 7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度 ) k5 e* V; e! |& K1 L: s' E& \
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 而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多 (因为提升了PA的线性度)( S( o  V: E( `9 D9 ]
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 因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下; y8 Y1 J; K3 v4 G8 ^( E* @2 ~9 q3 q3 z
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 8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter   其功率电感与Decoupling电容关系如下 : " t8 c3 r( E+ H. m) x
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 由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2 座落在主频两侧 $ n, X4 }# `) h: ]( X
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 虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处  理论上不会影响正负5MHz的ACLR 但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise 其带宽都很宽   大概10MHz 因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz (WCDMA主频频宽为5 MHz) 换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise    故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR6 X- {3 R3 w% g: L; z 
 . d. {- f( s% V' L* ^3 ~
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 因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise 便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR 故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise 如下图 : ; ?1 G6 Z! }  [6 K
 3 a! m' c0 z  Z( h5 \2 W, m/ Q0 `  i/ Q3 s6 v
 
 我们作以下6个实验) Y9 S0 e# J. Z; n) Y9 _* W  v 
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 5 Y- I( x7 ^) x3 Y9 X+ E
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 * j, m3 \" I' z" s9 s$ g
 就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz 我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4 其1MHz的InsertionLoss都变大   这表示在DC-DC与PA的稳压电容之间   插入电感或磁珠 对于Switching Noise  确实有抑制作用 而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善 由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大 ; ]6 C0 c3 I4 c0 j6 B
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 9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容 绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言 是低阻抗路径   若共地 则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感 直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化 换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用; v" J9 [+ \- |+ y% S: O( j5 T5 T& G2 l6 {
 
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 而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop 使PA线性度下降  ACLR劣化 ' X) t/ {4 {7 Z' |* ]9 [+ B; B9 P# G
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 ) t: Z4 s& }3 t) c2 E0 U# B" t& j6 Z1 R0 O8 w3 ]; P
 
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 因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向4 K( E; [0 L: o7 A9 s# X" X0 l 
 1.     PA输出功率 2.     PA Load-pull 3.     PA Post Loss 4.     PA的输入阻抗 5.     PA输入端的SAW Filter 6.     Vcc的IR Drop 7.     校正 8.     DC-DC converter Switching Noise 7 M3 F% C3 a' V1 B9 {
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 ; d  m! _0 S, y5 |- R. G3 j. e
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