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如何把芯片的EMI消灭在源头----从封装入手

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1#
发表于 2015-2-15 16:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 pjh02032121 于 2015-2-16 11:45 编辑 4 J- S4 \! e* ~6 b! t: ?
$ Q7 @0 i6 o8 _: F
下图是一块1994年的pcb,现在看来是很简单了,但是20多年前却是绝对的高大上。7 M1 ^) |* `0 i  `* C5 k
它是一个ECU(engin contol unit)模块,是Motorola(摩托罗拉)给Chrysler(克莱斯勒)专门定做的发动机引擎控制单元,地地道道的发动机心脏。' C% k, S3 k9 f, T' w* Y
(那个时代的巨头们的风采,啧啧...)& n' e. f4 J: z5 w$ Q0 {  ]
. B0 p6 l5 @7 z+ ~9 q9 M0 U
汽车电子对可靠性的要求,基本和军工是一个等级,所以对EMC的要求也是相当的高。
5 T& V7 Q1 J! M3 o6 o) C& Z2 C 6 [7 s2 P4 J5 u& Z8 A
3 G6 c! f: O  a, t" q9 x
图中红圈中是PCB上贴装的一个mcm芯片封装(QFP的,BGA技术还没商用),内部封了3个裸芯,三个裸芯具体的功能就不讲了。
) j1 D' ~0 P/ G3 H4 T1 `* \为什么要把三个芯片做在一起呢?(那时多芯片封装还极少商用,主要是成本高,技术不成熟)/ J0 ~; J5 }! @7 h0 A6 C
PCB上有大把空间,三个芯片单独封装完全可以放的下。) C3 I" |% B) W, \8 `+ Z
但是由于单独封装,芯片之间的互联路径太长,造成EMI辐射。问题解决不了,不得不尝试新技术mcm。# e' E9 d, d9 C& g
mcm将三个裸芯放在一个封装里,互联路径短了,信号辐射就降下来了。
( h# j( S  v# B* X& }- P; m: _' h2 B: u! J# c# D$ r$ n& i  p  v
下两图是他们在采用mcm技术前后的emc测试对比。# G/ {% Q8 b; G: I
8 v" ^/ M7 A" }! k
5 {  b3 `" R1 I! Q
所以封装的小型化,高集成度不失为解决EMI问题的一个好方法。% ]8 n! n2 [$ x" ~
未完待续...7 B4 k5 D7 L8 t8 t' o

! r" \! |( U; z, D继续
/ c' M3 ~% p) j$ Z* {芯片封装里的电磁辐射来自哪里,看下图是贴在pcb上的封装好的芯片,我们常用的芯片基本都是这种塑封封装。. K5 ?; V5 o4 `2 p" }
从外观我们看不出什么来,芯片被塑封料完全覆盖。: O1 h* O* f6 R& n2 g

. c1 u  h; p, n; s' J. {7 L9 o& A- v+ B  ?+ `, L; X
继续看下图封装内部的图片,可以看到封装内部的互联金丝、基板走线、以及芯片上的布线等所有的互联结构。
9 Z, z, @$ S# i- d塑封料只能对封装内部起到物理保护和化学保护,风吹雨打没问题。但塑封料对电磁辐射完去没有任何招架能力,所有的电路都是完全暴露在电磁环境下的。(可以想象一下,我们的pcb所有的封装塑封都去除掉后的样子,那是一大堆的光屁股裸奔芯片2 f: m# V- Y( v& q) w! J
封装内部的辐射直接到空间,空间的辐射直接到封装内,尤其高频的芯片,更易产生EMI问题。
- \$ \' Z' B* n
. V8 N" ^) c, P) S. W. O+ ]

该用户从未签到

3#
发表于 2015-2-16 10:43 | 只看该作者
20年前绝对是顶尖技术!
  • TA的每日心情
    开心
    2024-2-21 15:59
  • 签到天数: 313 天

    [LV.8]以坛为家I

    4#
    发表于 2015-2-16 13:31 | 只看该作者
    第一次看到芯片内部实物图

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2015-2-16 13:58 | 只看该作者
    20年前啊,想都不敢想,老外真是先进
  • TA的每日心情

    2025-10-9 15:01
  • 签到天数: 28 天

    [LV.4]偶尔看看III

    6#
    发表于 2015-2-16 15:31 | 只看该作者
    见识了,版主

    该用户从未签到

    7#
     楼主| 发表于 2015-2-23 13:22 | 只看该作者
    本帖最后由 pjh02032121 于 2015-2-23 13:37 编辑 : P$ d5 e( i1 }* |5 ]

    * z- _; b+ p! X! s& E继续3 n' o% l6 @7 ^5 n8 V$ W2 q! `4 ]
    小型化只是减小了EMI,并不能完全完全消除,所以sip封装有时候需要进一步的做EMI工作,终极的隔离屏蔽措施。% J. @1 K- O5 P
    下图分别是屏蔽盖、供形屏蔽、金属封装的。" z' _2 J& H1 Y

    1 R# a- B" E1 D, Q* V* h4 Q2 q屏蔽盖,有效的解决EMI问题,无论在封装级还是在系统级都是常用的,也是成本最低的措施。
    ) X2 l4 x! G1 p# {
    ( ^* N' g6 ^3 B) T; ?0 Q, N3 U
    0 s! M" y) P# k8 e8 j5 ]5 d3 F共形屏蔽,在塑封的表面溅射一层金属,并与IC载板的地层连接在一起,这样所有的元器件都被包裹在屏蔽层内,与外界电磁环境完全隔离。
    4 a0 ^/ }/ `" V
    + y& @' |' H- Q. `" e2 c4 s5 H8 J7 q1 ^
    金属屏蔽,用金属壳体将芯片等完全密封起来,屏蔽效果最佳,成本也高。( ~9 F4 q" j7 l. ^

    4 o- K  o) @' s, M最近几年最IC载板内埋器件的厂家也越来越多,这也是在封装级解决EMI的一个独到方案。
    ) F& L7 Q- W- H% _# K' Y详情参阅:https://www.eda365.com/thread-105112-1-1.html5 c; q- ]) H  g; U5 I2 y
    - Y6 w( h# j7 K# B! w
    - |; T5 D# M5 D: |' u4 g
    对sip来说,采用屏蔽盖和共形屏蔽层,将封装内部电路与外界电磁环境完全隔离,对去除EMI效果相当好。
    ( s1 `9 h( U5 V( X$ j0 A; a但由于屏蔽层距离芯片太近,处理不当却会适得其反,引起封装内部电路的相互干扰。# G9 ~" `6 k) ]( u
    如下图分别是共形屏蔽和屏蔽盖挖空处理,即将敏感部分或干扰源部分的屏蔽层挖空(与地平面分割原理类似),防止引起封装内部干扰。
    7 X/ ?! I& W1 J, i   
    - H6 N: A% E- ~9 e/ o3 r
    + ^9 ^% l! Q) H! e  y# R1 ~
    ! l- j! k6 \, r& g8 p

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2015-3-11 09:29 | 只看该作者
    以后都内埋了,做LAYOUT的还有价值吗?

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2015-3-11 10:17 | 只看该作者
    20年前绝对是顶尖技术!以后都内埋了,做LAYOUT的还有价值吗?

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2015-3-15 09:06 | 只看该作者
    可望而不可即的,都没接触过这方面

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2015-3-16 09:55 | 只看该作者
    很好很强大的技术啊

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2016-2-22 16:49 | 只看该作者
    太厉害!最近看到新闻《苹果已委托星科金朋和艾克尔负责iPhone 7主要芯片的EMI屏蔽处理》,是不是就是用金属层隔离呢?这种方式能够实现所说的“能更精细地组装电路板,一旦芯片之间的安装空间减小,多出来的空间就能用来安装更大容量的电池”吗?还是采用的内埋的方式?求大神不吝赐教!

    点评

    内埋成本太高了,iphone7主要还是采用溅射金属--共形屏蔽。  详情 回复 发表于 2016-2-22 20:06
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