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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑
; V8 p5 C$ \: c$ @0 }" c) [
6 i5 {0 \% F) T3 A8 t
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
6 z7 Q% ^9 l7 R1 a! J7 P

+ q: _; o! V- p
9 m6 }; T, b- c# w0 K# }: |
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :

- R1 b. G% }2 Q3 E" I

( ]) E* S; X- j( Q* }. m  U
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨

8 e0 d9 b( I6 T* R1 k- H: v+ G

+ @0 y) a/ b& `+ s  A! Z0 t  w/ k. H
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

9 E7 g; A$ y$ l8 ?; G

. u4 r2 R1 R4 p% T9 y2 k# L) c- e
: z1 O& T+ @0 j: c
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低4 R" D/ e+ H3 |3 Y0 r( Z

3 V9 i: m% t* v9 D* e$ J
; H. j( d! Z$ E
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
' d/ a& _' \, S* p( v3 R, {

# r& s8 Q2 P( F

* O1 }8 Y* ^  a; E) v
+ _3 b3 _* E; E' k$ w
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流
9 b- z- ]; a9 K* X( M9 ^. }* e  e8 x( W6 b

3 q  F5 P: w3 r7 \# G
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)

0 u  L4 B: T) E9 p( r; T
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
8 N, N2 P' \9 c! [
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

7 Z: K, T$ j4 M- D: q6 M, j

$ N+ I  U- i9 z2 X
7 `' [. B% h, `( A& a! R4 r
这是为什么呢?
, z+ m# R& \6 K% |
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,7 ]  K: i% V. V2 P. l. L: {9 X  Z
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。) T6 B5 \$ ]* A* Q$ N7 v5 Y5 k
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
  i0 l! V* {( {8 j' a

, c2 ~! ~# N1 j
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

5 a; F. d3 v5 I- A

" k" i) c! y' g1 V

% k+ h+ x  O5 s+ \
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

+ p$ {& X- v& L+ J
% o3 K2 n( z, ]1 y& L
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低

6 W+ M) c7 ]& B% Y
0 p0 w0 w0 r, U5 w

- r7 m( X$ l% ^8 h. r) ^! E* ]
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

# B$ {6 p9 e6 K& g  |- E; u& I
) [4 n+ O. n' ]3 M$ T. `; e
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :

/ G0 `8 _# R6 E- n0 a* l
4 w" X0 m3 V7 d2 Q5 |  o
) l$ r. J8 x: ?0 o* [( l
而当电压极低时,其Cgd会变大。

  @. R! T0 m. H  v; `" B5 x
                        

, q, I# B/ t9 F7 g* h
$ f1 l6 T$ v0 D+ J3 G
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差
. I, y( Q3 t. j5 ^- [/ O, h# U: G' N( v" Z

2 B' I8 R5 |7 G( C2 R% m
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

$ o4 K0 x. K; T# o. o* v  Q# r
5 B% u! _: J/ a) J8 t' q; W1 A% V
3 {% t% C' F( ]3 Y# w$ w
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)

9 t3 f( Y0 |4 n, R+ l! C, G! Z# @

% E; w* f  N5 m/ Q4 |8 G  U& r
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下* ]% L0 G  J& m; L! Y
: X. ?* f3 N, n* w

+ T/ O/ Q; Q1 |5 d( S* u
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
" V( I! s8 k6 f

+ [2 R# {0 Z6 W6 |6 u' f/ M% Q6 ?
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
. a7 j& n1 `/ S2 Z% j- D0 X9 m8 K
/ P5 [& L' N0 f/ C$ E! ~8 u
# F' v# c+ O% [9 c
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :

  U/ `9 u5 l( r9 m/ N$ k- G% L
9 Q! @2 i- l. c; P; N
我们作以下6个实验

" t% E9 }8 F3 U, j4 o8 r& q- X8 V

- B4 r9 n1 W4 g, Y! `

/ Q3 A7 n- N2 z" I0 L6 `% {
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大

- f9 B5 v$ F( [0 @- T/ k0 _" f& u$ h$ a5 T3 T% N! I5 B

: y) Y2 Q3 x' y& T# G
6 \& ]' Y5 P  V, L+ M: m. J8 m# Y4 m) g" ~  F0 k+ I/ @$ k
, B% }* A/ b0 U/ q8 l! m

- N# x0 h; ^6 ~) m) Y
0 l' K. y/ k; J" O8 I& I  @
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
* ~8 k* k% s' @; J8 j
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化8 f$ K8 s( R/ u0 l( j1 V- u

8 V3 ~# y% c8 [$ ~6 }& i/ I. i7 h- Z. m7 X3 P

. @$ y& {2 o9 q, Y$ }# Q+ b+ ^% \, d
3 x. {2 r4 y" I
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

! M. [' E  N2 W+ X4 Q1 Y8 x3 V) h5 ]9 Q8 E
/ m9 H* U4 L4 r# E

$ K% Y( s: q+ F; q4 X) b4 C
5 r$ W! S% f$ a$ N  C8 a4 q0 B; t2 k; U! D0 V8 |

/ I2 j/ Q" }6 l: i6 x

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该用户从未签到

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发表于 2019-10-14 09:07 | 只看该作者
谢谢大神的分享,又来复习大神的杰作了

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发表于 2016-3-31 11:39 | 只看该作者
好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

该用户从未签到

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发表于 2017-9-21 11:29 | 只看该作者
好资料,谢谢楼主分享

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5#
发表于 2015-3-9 10:51 | 只看该作者
很好的贴,赞一个~

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6#
发表于 2017-3-23 17:09 | 只看该作者
好资料谢谢
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    发表于 2019-10-12 16:34 | 只看该作者
    谢谢楼主分享" K. b  Y; e6 c$ |4 M

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    13#
    发表于 2020-5-5 17:07 | 只看该作者
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