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Controller drivering 問題

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1#
发表于 2015-9-29 22:18 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 dukekuo 于 2015-9-30 08:03 编辑 4 N# N( Y/ j2 ]4 _& [4 K

/ i. J0 C  {6 b$ R5 u請問各位先進在一般controller 所標示的 2 y" |  m* K$ A* `
4 y7 @3 r( X% {2 g1 U- T
Integrated 0.5A ~ 1A Peak Gate Driver
* }$ S. R" H% d  ~在上面的條件下通SMPS架構大概可以推到多少瓦特呢?- \/ h5 r" X. `% ~7 o

3 ]& }$ [/ V4 c" T9 w1 V有什麼公式可以去證明呢???還是經驗判斷??5 @8 U5 |7 d" o' n' v7 w) d! D: \

3 h# _# P, B* m1 M

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2#
发表于 2015-9-30 11:00 | 只看该作者
个人觉得,功率越大的MOSFET,GATE的输入电容越大。限制在输入电容。

点评

謝前輩提供寶貴經驗, 這也是考量之一.  详情 回复 发表于 2015-10-1 08:08

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3#
 楼主| 发表于 2015-10-1 08:08 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-9-30 11:00
6 y3 j( C" `/ c" @: K* _& s0 r7 w个人觉得,功率越大的MOSFET,GATE的输入电容越大。限制在输入电容。
: Y4 P4 I+ b5 j. e2 l
謝前輩提供寶貴經驗, 這也是考量之一.
, r' Q" S2 g  y) d. X+ U& f' N' g5 p/ D
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