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【咨询】关于CMOS的锁定效应

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1#
发表于 2015-11-12 14:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x

  H4 B2 \5 p' l
& C( M1 Q* T. V+ v( X& Z& ^我想请教一下这句话。
4 V: J: u( D2 r' X! D看不明白,不是说CMOS是电压控制器件吗,输入是高阻吗? 还是我记错了?
" g1 I+ x& l# b2 V6 i

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2#
发表于 2015-11-12 18:07 | 只看该作者
百度上面好像有解释。。。

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3#
发表于 2015-11-18 21:19 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2015-11-18 22:26 编辑
5 F, c  Y) D* Z9 j( O2 b: n6 B& q$ s! U5 k( L3 O2 c( F
樓主如果是問 Latch Up 的問題,有一個簡單的解釋。
. y4 h7 R1 E1 Y; I, G5 I
1 _1 J2 K& T1 q. [CMOS 有電的時候才會是高阻抗,沒電的時候只是堆 pn Junction 的組合,說穿了就是一堆二極管罷了。( X- O5 j" w  R& w

" a9 q- H" ~! n& b6 ]

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4#
发表于 2015-11-18 22:25 | 只看该作者
一篇解釋 CMOS Latch Up 最淺顯易懂的文章!
5 ^  x  l3 V' W% b; v! Q5 m( L( n
5 p9 y" |/ z0 M; @" Z

14105c.pdf

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点评

多谢版主大大的狗粮  详情 回复 发表于 2015-11-19 09:24

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5#
 楼主| 发表于 2015-11-19 09:24 | 只看该作者
超級狗 发表于 2015-11-18 22:25
/ R1 A" C' H2 _一篇解釋 CMOS Latch Up 最淺顯易懂的文章!

7 Z* `/ {$ U7 T/ D% \多谢版主大大的狗粮

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6#
发表于 2015-11-19 09:58 | 只看该作者
啥叫内部电流,应该不是DS之间的电流把?
, I9 o/ f' P( m$ F

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7#
发表于 2015-11-23 09:45 | 只看该作者
这个其实是栓锁效应,即latch-up,造成该故障的主要原因是其工艺制造特点造成,使得P源级等效的晶体管与NP源级等效的晶体管、阱电阻、衬底电阻共同组成了正反馈放大电路,导致电流越来越大,如此时继续工作,管子温度升高、损坏芯片。7 Y+ d- e3 N! M4 W/ A% x! Z
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