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求助:关于DCDC电路中MOSFET的开关损耗的分析计算方法。

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1#
发表于 2015-11-27 12:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近在看一些DCDC BUCK中关于电源效率的资料,发现里面只是有一个图示,效率对应温度、电流等参数的变化。那么问题来了,这些效率值,是带着外围电路的(MOSFET、电感、二极管),还是仅仅是IC本身的?
+ [3 T. V+ [' v$ Q. `% N$ I. L( ~4 }7 u# k# N& Y+ }5 L4 y
另外谁能给我发一个文档,关于MOSFET开关损耗的详细分析计算,谢谢了。9 y4 e" @/ A9 C. _' ?

该用户从未签到

6#
 楼主| 发表于 2015-12-4 12:12 | 只看该作者
超級狗 发表于 2015-12-3 22:11
- e+ x2 O( j* F$ i6 R請享用!
( ^/ E1 h& ]3 J( W1 Z
感谢狗哥,有了这个做理论基础,评估电路腰板更直了!!!* n& x+ h2 Q3 y5 a" a# }
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    [LV.9]以坛为家II

    9#
    发表于 2017-2-20 16:54 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2015-12-3 22:11; h0 \+ b" q9 h! @( ~
    請享用!

    : p+ m( G  _2 m好资料,就是吸收慢点," `, S7 V$ w4 g, R$ |; j

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    10#
    发表于 2017-2-22 13:38 | 只看该作者
    喝了这碗枸(狗)杞(鸡)汤!
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