请教关于金手指处理方式的问题

EDADQP

请教大家一个问题，就是关于板卡上有金手指部分的内层铜皮如何处理的问题。一般常规是全部掏空，这种方式 是否能满足任何 情况下的 应用需要。如果不掏空 是出于什么考虑。谢谢！

菩提老树

不一定能满足所有的情况，因为厚度不一样。不掏空可能是为了省事。

EDADQP

菩提老树 发表于 2015-12-7 12:31
( O; K! O  t/ E/ K7 i7 |不一定能满足所有的情况，因为厚度不一样。不掏空可能是为了省事。

厚度问题 是不能忽略的。这个要出问题 那就太不应该了。 就是这掏空 不掏空 是纠结的关键 不掏空是否会带来什么不良问题不
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菩提老树

EDADQP 发表于 2015-12-7 15:20
0 @9 ~, V6 g8 f5 Z厚度问题 是不能忽略的。这个要出问题 那就太不应该了。 就是这掏空 不掏空 是纠结的关键 不 ...

# l& T1 ~& G- j掏是肯定的，陶不掏空就要看实际的情况。不陶的话可能有问题，阻抗不连续就是其中之一

mengzhuhao

挖了就是为了阻抗匹配
大厂的板子都是这么做的吧

EDADQP

mengzhuhao 发表于 2015-12-8 08:12
" o, m2 o: M* w8 r+ J8 w7 F挖了就是为了阻抗匹配
大厂的板子都是这么做的吧

郁闷的就是  一个四层的插卡 工厂给出的意见是要求第二层掏空 保留第三层 . 目的就是控制阻抗  。领导居然采用了。

mengzhuhao

EDADQP 发表于 2015-12-8 10:52
0 `# a5 {9 q) s* E4 b+ @郁闷的就是  一个四层的插卡 工厂给出的意见是要求第二层掏空 保留第三层 . 目的就是控制阻抗  。领导居 ...

) F1 u/ N  m$ F$ J如果只有一侧有信号线的话 也可以理解为隔层参考


! y+ H' [% P9 i- J

tanghao113

+ t* i) H! J' i* x6 T3 w+ A7 s9 ^; o
你可以从两点来看。
一是边沿速率特别快的情况，这时金手指为一段宽的传输线，阻抗自然下降，只有挖空并隔层参考才能保持阻抗连续。
4 ~# C7 f9 \' Y, T6 D二是边沿速率不快，这时金手指就等效为一集总参数的电容，看这个电容是否超出规范要求。若超出，也要挖空参考层来减少电容效应。
8 k& a; \2 X& L( A4 b
: h4 E# p: L, e从这两点来看，挖空的都是会比不挖空好的，至于挖多大，还跟厚度有关。具体实际情况需要HFSS或Q3D仿真。

EDADQP

tanghao113 发表于 2015-12-9 09:59
! `2 N: D- M* Q3 k: }  M你可以从两点来看。
( @& P  h" O3 }1 h一是边沿速率特别快的情况，这时金手指为一段宽的传输线，阻抗自然下降，只有挖空并隔 ...

' c+ e; V8 f5 v3 `5 @根据第一点情况 产生一个问题， 当速率快的时候 金手指pin的部分 如同粗线。这样会导致阻抗偏低。那类似 这样情况的其它smd的插件 是否也会由于pin比较宽从而影响阻抗的大小呢.

cousins

我所知道的以往的不掏空做法，是为了给旁路电容和去耦电容的较短的地路径，但是只适用于较低速率的金手指接口，此时EMI比SI要难处理。
2 ~. q- ]: A. S) G高速率下都是优先净空保证阻抗连续。
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EDADQP

谢谢大家的讲解