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谈谈TTL和CMOS电平

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发表于 2008-10-11 21:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
谈谈TTLCMOS电平
TTL——Transistor-Transistor Logic
: @, Z& x; w$ D$ NHTTL——High-speed TTL 4 g% I. {2 E. l1 N6 |
LTTL——Low-power TTL
1 d* ?( x* N' oSTTL——Schottky TTL 4 G, ^7 A% T4 z* x& y6 b' G
LSTTL——Low-power Schottky TTL
) t1 f3 ^3 Y; S' v2 P  c) aASTTL——Advanced Schottky TTL
/ G- F; R( h, H  dALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL $ d. t  V' ]" _9 W' V5 K+ w5 A
FAST(F)——Fairchild Advanced schottky TTL ( [% |* B  t# G2 Y
CMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor ' l% o6 t8 j8 z6 V" H: @
HC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT
TTL电平兼容
)
. w. ^0 i% _* [) |2 X, HAC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT
TTL电平兼容)(亦称ACL
, D+ r6 q& q8 h$ }4 Q
AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT
TTL电平兼容
)
$ A, `' Y4 W3 s& Z6 BFCT——FACT
扩展系列,与TTL电平兼容

! V% W9 q6 w% I6 E/ P7 w4 t+ u/ _0 jFACT——Fairchild Advanced CMOS Technology
1TTL电平:) k; V% v  t" {% k0 c6 m
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平

! b- w- v6 |; Y1 Q8 Z0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是
6 |) H3 C# G  A! u( B) _0.4V

" B# v2 n, i3 }+ e2
CMOS电平:

: O( Q0 T6 O# f1 F( r: ]1 g$ A   1
逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
% b7 u! p6 U# V: ^4 h( B) x- S7 M
0 o3 ^/ I4 M' @+ v/ F7 q' f
3
,电平转换电路:

7 V* F/ Y+ }% {% r: D因为TTLCOMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需
+ ]% `' G# r' q7 L
要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈 * [5 ]) \& ?( D; @' Z2 D4 O

. t0 i2 S* D2 W/ _' j) s' O4
OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能
7 X* t3 _" E) g0 o6 H
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱
% E9 V! z! W% i动门电路。
8 X- L5 a( N8 E( u5 T; I" E
5 k6 @1 z# \. ^$ w: L5
TTLCOMS电路比较:

  r: I6 H# l( F, q" K1
TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
9 F5 D- f( V; W& p/ d6 p
2
TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
+ @- v/ w( `$ c6 P( c! M! y
    COMS
电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。

" D# ]* L: y5 |# s4 v0 M    COMS
电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常
! J: o, Z0 i% v
现象。
) z" p& e# G' w" Y4 w8 G  w' |8 G# I5 h8 D3
COMS电路的锁定效应:

& R" i) W) G6 z4 O0 J   COMS
电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大

6 O: i: B5 N/ H( f/ F。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易
# |( [8 [+ w6 a7 k* c3 n# D烧毁芯片。3 c3 N' H  V* c2 ^0 y
防御措施:
! l3 ~: x7 W7 y% Z2 }
   1
)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压。

, l9 q9 _0 z2 Z, _   2
)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。

4 w  l$ G2 s" ]& M   3
)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。

  I' W" }+ W; o% V2 w   4
)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电

% m0 y0 M6 R, e% B, |源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS1 V; D) a: R) B* c* h/ g( Y+ Y' i4 k
电路的电源。

5 l  i! g0 o7 k( t9 [. o; x+ K3 P3 L# k  p0 I# I% E. ^, h. y; B
6
COMS电路的使用注意事项
+ u* K2 z# `4 \+ @1 j; C
   1
COMS电路是电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以
8 P) Q9 ~$ h( S: v0 @  U$ c) K; }1 H
,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
( c: f5 J7 [: ]. a9 h   2
)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的

: Y* M: \( M, c$ c7 v: c电流限制在1mA之内。
2 l- W3 d- ?) s' u1 D1 y   3
)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。

1 _" [0 j# V1 V   4
)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0
+ a: K5 [  I# t
外界电容上的电压。
7 V5 v9 }8 H% u1 o* {   5
COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS
  2 n9 y4 y3 K4 I2 w3 O; g" H! w
   
2 G3 }5 t& N, }4 p5 Y7
TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理):
3 P) t$ R# t8 u- [9 f
   1
)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。

/ `) Z; h6 k% ]% |* d2 P, t; F8 P0 |+ e1 ]2 Z/ u0 g
   2
在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。$ l! {% ~& E* K. G
% h" P5 J3 B* V& h

/ {* H  d# c' |$ ^# v# L8 |- @8
TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出。 8 `; J7 C/ @  a" ]1 m
   OC
门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截

: Q+ ^& Q. N% C' D( J' G9 Y; v止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也$ K9 o9 D9 _. V' f
就不是真正的0,而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出:OC门的输出就是开漏输出;OD
4 s0 N# G+ l$ b+ d  c6 @
门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。所以,为了

' `. N: K: _# Q) y" {" z能输入和输出电流,它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/, p9 {3 \9 z# g6 R+ ?# S
动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。 ! [' ?$ q0 ]# T$ ^1 n' s4 ~
9
,什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别?
/ L( z! q9 T7 R
   TTL
集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做OC门。因为

+ }% \& ^6 L& K' sTTL
就是一个三级关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。

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zyunfei + 5 感谢分享
Allen + 10 感谢分享

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该用户从未签到

2#
发表于 2008-10-12 16:49 | 只看该作者
呵呵,不错,谢了

该用户从未签到

3#
发表于 2008-10-12 17:02 | 只看该作者
看完之后再顶 6 H. O- m; V; J! u( ^
平时自己都没注意过,这些细的东西最关键,再次感谢。

该用户从未签到

4#
发表于 2008-10-13 17:33 | 只看该作者
支持!!!!

该用户从未签到

5#
发表于 2008-10-14 09:25 | 只看该作者
谢谢楼主分享

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6#
发表于 2008-10-14 13:23 | 只看该作者
谢谢楼主分享

该用户从未签到

7#
发表于 2008-10-15 00:06 | 只看该作者
支持搂主 4 F* ~; T  V; i" g
非常感谢

该用户从未签到

8#
发表于 2008-10-15 00:25 | 只看该作者
茅舍顿开
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