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谈谈TTL和CMOS电平

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发表于 2008-10-11 21:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
谈谈TTLCMOS电平
TTL——Transistor-Transistor Logic   @! ]0 n2 @' @- B4 g# {: B+ i
HTTL——High-speed TTL " [6 W7 r7 Q; d* x" Y* s. o
LTTL——Low-power TTL ( m5 Q; D% w9 C3 l' h8 {
STTL——Schottky TTL " y8 \7 f, X/ {, t# d( Q/ N
LSTTL——Low-power Schottky TTL
# \& s2 S* {- }) hASTTL——Advanced Schottky TTL
2 n- \( ]3 ?8 S# e& y7 O" H  NALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL
% p& y! |8 B8 E8 p! VFAST(F)——Fairchild Advanced schottky TTL
  B0 x( a: `, kCMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor % B0 n) j1 y; }$ r& Q4 ~* K$ i
HC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT
TTL电平兼容
)
% ^$ K% U6 C( v, }; T# ~AC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT
TTL电平兼容)(亦称ACL
; z, K. X  _2 }/ g* u8 z, H
AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT
TTL电平兼容
) - ?' Z5 X: o, s! @
FCT——FACT
扩展系列,与TTL电平兼容

3 L+ D' d; K+ _3 o1 w: y! VFACT——Fairchild Advanced CMOS Technology
1TTL电平:
. i" `8 e9 F3 k/ r输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平

8 \& @; _; _4 q0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是
% K# W0 q6 e& Z! j% O0.4V

. E: D9 q" f7 @% `4 N2
CMOS电平:

- v4 w( }( o( u+ d1 G   1
逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
. ^) q- H2 D0 A4 d6 p
+ ]/ ^+ ]( F; g' J- h! a
3
,电平转换电路:
% Y7 o( W6 Q# _6 ]) F
因为TTLCOMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需
8 ^- ]- y3 y: n$ p
要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈 0 E+ m/ r6 A6 P8 H. f

+ q3 Q8 U7 j8 Y1 Z% R* N$ n4
OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能
: n5 Z" f) Y4 U( q& i! _  U
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱
* O# n2 A6 I) K; f动门电路。 4 _* V/ P0 V( Q

+ ]1 x" ^' ]: j* E5
TTLCOMS电路比较:
, y0 r, B- v- `# a+ p( b
1
TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
4 h: U5 h8 Q6 R; W+ y
2
TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
0 g( r! T  {8 b7 v1 h) e' `) I
    COMS
电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。

, O) K8 [9 U( I+ e) L+ _8 T    COMS
电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常

1 p9 ^* r9 z2 O( N. E' g现象。 ! g- [8 c9 `0 m
3
COMS电路的锁定效应:

0 K( ~1 s+ w1 P4 T   COMS
电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大

# q; `) v7 p/ C# ~' ?。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易& |0 a- ]' L8 A; V9 |. p
烧毁芯片。
. B/ M7 M$ i) V7 Q' r; C+ n3 U防御措施:

. E# o( {2 K) }* T' V   1
)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压。
+ v! v5 U- K& A* v4 I1 d
   2
)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。

3 [0 l9 r" d- I0 g   3
)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。

7 f# {& w3 u5 d" @, V8 C   4
)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电

: i# F4 W. s6 r6 K6 K7 C源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS
- i/ f2 o5 @3 g, l
电路的电源。
2 K( p& f* n% L& o
, O% m& q/ h3 ]9 O
6
COMS电路的使用注意事项
, h& C* h* g* p; m6 z! L. j: s
   1
COMS电路是电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以
/ b! g% ^( }+ I7 ]% r' i" ^6 v
,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
& g: o4 ?. r; Y   2
)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的

( ^! B' E6 n4 [4 ^电流限制在1mA之内。
1 M6 w1 Y7 f  d0 x! Y& }& c   3
)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。
8 N) e7 b2 K8 Q& l7 z5 m6 W
   4
)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0

& j9 O8 o  G5 [; t外界电容上的电压。 7 H) z0 C, x- H, f" ^, Z4 u5 ~# \/ z
   5
COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS
  
: }, i( v8 Q& w! ~6 R   
/ g5 \  d+ |; J' Z" p2 h7
TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理):
/ U/ S6 b/ r9 N5 C
   1
)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
( N. g# P3 H6 K, t3 G% e; l
" z7 R2 T7 ]. M- G/ r; h! I: G0 ^
   2
在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。2 W9 m9 [0 h7 r* `9 V: b
; a% ~  C; g/ M9 }/ U" V
" N  a  o; a0 u/ Z
8
TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出。 : t+ i1 y0 [* s" a* D: q3 z2 z
   OC
门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截
" C0 m( X' j1 o
止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也
% @* t, }2 d, g- o( M3 x& q1 ~就不是真正的0,而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出:OC门的输出就是开漏输出;OD
, s+ J/ R6 T5 C% I1 P
门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。所以,为了

/ f8 a7 y( J3 U4 I' i  }& e* h3 Z( i  C能输入和输出电流,它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/
( x8 p! t( r% o: W动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
1 X- W1 S% s6 _) w. s9
,什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别?

1 R' C/ Y- m' n   TTL
集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做OC门。因为

7 ]4 l: U% h* F4 L4 oTTL
就是一个三级关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。

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zyunfei + 5 感谢分享
Allen + 10 感谢分享

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该用户从未签到

2#
发表于 2008-10-12 16:49 | 只看该作者
呵呵,不错,谢了

该用户从未签到

3#
发表于 2008-10-12 17:02 | 只看该作者
看完之后再顶 ) S4 V* s: e8 m  C  E# X# O
平时自己都没注意过,这些细的东西最关键,再次感谢。

该用户从未签到

4#
发表于 2008-10-13 17:33 | 只看该作者
支持!!!!

该用户从未签到

5#
发表于 2008-10-14 09:25 | 只看该作者
谢谢楼主分享

该用户从未签到

6#
发表于 2008-10-14 13:23 | 只看该作者
谢谢楼主分享

该用户从未签到

7#
发表于 2008-10-15 00:06 | 只看该作者
支持搂主
: y; U# B" N, @) k: v/ w+ C非常感谢

该用户从未签到

8#
发表于 2008-10-15 00:25 | 只看该作者
茅舍顿开
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