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请教一些仿真的问题

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1#
发表于 2008-11-4 16:16 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近刚开始学习PCB仿真,遇到很多不懂的地方,特来请教各位大虾~6 M& ]" ^$ t8 F/ B  s  e  R

& K5 |' C* o+ U6 X9 \+ x1.信号的过冲和下冲:+ }4 }8 Y- s+ a, Y
假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?  {4 F6 E& A4 C; l: k
下冲的要求是不是以不跨越阀值为标准?
" z. V6 T" r. K2 z8 ^9 S5 D. l* ~
, Q6 F6 [5 r% b' B" H1 P. [( F% h2.时序问题:
+ S7 W* O, S; S% s+ ~4 O8 uSDRAM的时钟信号一般是从ARMFPGA等CPU芯片提供,而CPU芯片的时钟又是由晶振或钟振提供,那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?% s9 G- {- o- b# U- D8 }# w2 E8 k

0 `  s; l/ r$ g5 z用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?
0 U  {* y. N' n+ q& D6 Q4 e7 S+ M: I
数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗?

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2#
发表于 2008-11-4 18:08 | 只看该作者
假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?:: g) n& p# z7 _2 @9 W* i
电平*时间的这种约束的芯片比较少,通常可以按照这个来约束,一般DDR会这样说的。7 K  X- ?2 Y  @( _0 l
1 {& V2 ~6 O* @1 s5 T
那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?- a" a( m- T) s9 q, m4 m
:这个给SDRAM的时钟,通常是CPU倍频得到的,就是CPU的系统时钟过一个PLL得到的。
2 u: o! d) m# @6 b  E, w$ j" W; \. w; x8 w  T& j' d; V
- |- V+ ~+ S, J2 n6 ^
用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?: 不能看出来,这个是做信号质量,不是时序分析。
* ]9 N5 S3 U5 N9 h3 l
8 |, F" J$ O  ~! X . c) v0 V. {* F* \. r* m
驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?这个看你的时钟和数据的关系。! y5 X/ t" Z9 U+ g) u
9 _8 N: e8 W, c+ X

  ?$ j! {. V" h) \数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗? :这个你要仔细看手册,就是的D触发器采样的基本原理。余量可以等于0.

该用户从未签到

3#
发表于 2008-11-5 20:34 | 只看该作者
hyperlynx所能得到的就是buffer delay。5 B2 m  M6 `; i0 `
Tco是由包含内部逻辑延时的。IBIS反映的只有buffer信息。
2 c/ u' J  R! n; `不仅hyperlynx不能仿真出Tco,其他SI仿真工具也不行  U' B1 H  }1 o) G" F
当然如果你有spice模型就可以得到Tco。而芯片厂商提供的Tco参数是通过实际测试校准得到的。

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4#
 楼主| 发表于 2008-11-6 09:27 | 只看该作者
谢谢两位斑竹的解答~
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