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有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》

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1#
发表于 2008-11-5 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
RT
2 W- U' L  w7 i+ b" o% ~  j凡积极参与讨论者均有积分获赠

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2#
发表于 2008-11-6 10:42 | 只看该作者
论点就错了,还讨论什么啊

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forevercgh + 10 tianya讲的极是

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3#
发表于 2008-11-6 20:48 | 只看该作者
哪错了??

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4#
 楼主| 发表于 2008-11-6 21:51 | 只看该作者
原帖由 tianya 于 2008-11-6 10:42 发表 1 r; q4 c* \- t/ _: A8 `- W
论点就错了,还讨论什么啊
) F3 U/ y! m' r" g" w

+ i8 L! y( L" Htianya说的太对了,论点就有问题。
' ^( t  I4 P" ]# @2 ^: ~! W并不存在ibis model适用频段的问题,只是看manufacturer愿不愿意花精力搞ibis model了

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5#
发表于 2008-11-6 22:22 | 只看该作者
对常见并行接口,如DDR2/3,做到精确,也不是很难,像Micron的ibis模型,都很准确;0 E. z5 f( `8 Y* ^, t8 w; m
对serdes,之前ibis4.2的AMS,现在ibis5.0的AMI,都可以做到很精确,SiSoft做过AMI和SPICE的对比,可以看一下。

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6#
 楼主| 发表于 2008-11-7 09:36 | 只看该作者
micron在model supply和quality方面做得的确超好。
- U* T( J$ H5 l: Z% p* W& J好久没关注IBIS forum了
9 H' h) X& \* R/ |看来得过去学习下了
, l9 [5 c2 K6 n' G; D$ ?/ M' [6 ?7 Q感谢tianya

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7#
发表于 2008-11-7 13:17 | 只看该作者
崇拜!!!

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8#
发表于 2008-11-9 13:58 | 只看该作者
我觉得一般的Flytime仿真,IBIS 还是挺好的。
% K7 u3 j: O3 k/ W# U但是Overshoot就不好了。
1 q8 W  O1 q& E; Q1 M: }& ^IBIS对于数字电路的一般就够了。' {+ f: |4 }; ~# W) S6 y3 Z
不用太去关心 适用频段。
; e4 R3 [& C" c4 k& ]呵呵

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9#
发表于 2008-11-13 01:11 | 只看该作者
IBIS 是可以仿真高频的, 但这要看多高频率,3GHz一下还是可以的,但要想更准确,还是要用Hspice.

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10#
发表于 2008-11-14 11:36 | 只看该作者
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

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11#
 楼主| 发表于 2008-12-2 09:23 | 只看该作者
原帖由 leixiaoyu 于 2008-11-14 11:36 发表 * Q5 q) e% s" v& V. j5 ^4 S
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

& Q! Q/ X  p+ A; w; o) M/ @, o6 @* c% {2 ?4 I& f0 \
烦劳详细解释
( ~, Z- i6 q# r( h
& ^# w1 m  G6 _; u4 j! z表格形式和带宽应该没有直接关系吧8 C% a% Y: D. z3 W! q- b
( |2 ?% R: `6 }0 O! a. F+ P" h
倒是netlist会牵涉到带宽的问题

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12#
发表于 2008-12-2 21:43 | 只看该作者
当器件工作在晶体管的饱和与截止区时,IBIS模型缺乏足够详细的信息来描述,在瞬态响应的非线性区域,用IBIS模型仿真的结果不能像晶体管级模型那样产生精确的响应信息。然而,对于ECL类型器件,可以得到和晶体管级模型仿真结果很吻合的IBIS模型,原因很简单,ECL驱动器工作在晶体管的线性区域,输出波形更接近于理想的波形,按IBIS标准可以得到较为精确的IBIS模型。
5 l: F" l( T  r# |6 ]; |# }; d% m
由于IBIS模型不适用于描述有源电路,对于许多有预加重电路进行损耗补偿的Gbps器件,IBIS模型并不合适。因此,在千兆位系统设计中,IBIS模型只有在下列情况下才可以有效工作:
: J% P( M+ P+ O6 G" H  1.差分器件工作在放大区(线性V-I曲线)
2 K. [" |$ S) K  2.器件没有有源预加重电路
4 @2 f$ q: \% T( S: y5 @5 i8 x  3.器件有预加重电路但是没有启动(短的互联系统下启动预加重功能可能导致更差的结果) 7 c: V2 b) g$ \+ Y# A6 W2 e$ [
  4.器件有无源预加重电路,但是电路可以从器件的裸片上分离。
, o, f$ Q! |1 u) n5 A# P0 A, _  数据速率在10Gbps或以上时,输出的波形更像正弦波,这时Spice模型就更适用。

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Allen + 10 谢谢参与

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13#
发表于 2008-12-3 21:56 | 只看该作者
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

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14#
 楼主| 发表于 2008-12-5 09:12 | 只看该作者
原帖由 xooo 于 2008-12-3 21:56 发表 0 O+ K% D* n& V+ G2 \2 p
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

' p/ w3 }% e9 L) a5 ~. w6 F% w3 K' v  Y, U
IBIS就是个TABLE,表格大小应该不是主要的限制,至于精度,参照IBIS cookbook都晓得,IBIS模型对照spice模型的验证与校正也是建立IBIS模型的关键步骤之一。

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15#
发表于 2008-12-14 14:27 | 只看该作者
个人觉得,对ibis仿真精度影响最大的VT曲线。+ i! I9 m2 e6 V6 I" C$ N& r8 t
所以对于接收端的modeling来讲,ibis在很高的频率段仍然能有很好的精度;6 |2 H9 \9 N& \; e* z( [7 [5 i
而对于发送端模型,+ i; b' B* R% T$ n. h
一个是VT曲线的时间长度(T)决定了仿真的最高频率,对于高频仿真,T要很短,很难精确建模。% b8 d5 g7 S+ F& S1 @
另一个就是ibis对真正差分端口的modeling能力有限(特别是PN不够对称得时候),而高速信号又一般是差分信号,并带有预加重和均衡,这些ibis都无能为力。) F; ~. x% N5 b  p1 `7 q

0 A) N' R; W- U. v但是情况可能在ibis5.0以后会改观,因为AMI扩展使用时频域混合的方法来进行建模仿真,这大大增强了ibis的建模能力。" a) n! d% O* W( I6 t1 u

7 J* w" w' @7 {; T/ @) i7 z说句题外话,一个模型重要的是它的质量,而不是格式。ibis模型经过精心设计,同样可以跑很高频率~~

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