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有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》

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1#
发表于 2008-11-5 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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RT / j) G8 \. U$ R5 A, Z
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2#
发表于 2008-11-6 10:42 | 只看该作者
论点就错了,还讨论什么啊

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forevercgh + 10 tianya讲的极是

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3#
发表于 2008-11-6 20:48 | 只看该作者
哪错了??

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4#
 楼主| 发表于 2008-11-6 21:51 | 只看该作者
原帖由 tianya 于 2008-11-6 10:42 发表 , K$ V: E. z5 v2 q" i
论点就错了,还讨论什么啊

6 z6 p+ U; o* {1 x& e3 o" h  c8 _& d( N
tianya说的太对了,论点就有问题。 2 n2 l3 ^& e! W$ I. {7 A
并不存在ibis model适用频段的问题,只是看manufacturer愿不愿意花精力搞ibis model了

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5#
发表于 2008-11-6 22:22 | 只看该作者
对常见并行接口,如DDR2/3,做到精确,也不是很难,像Micron的ibis模型,都很准确;
) X( k# j: u, X% q. Z: x  @对serdes,之前ibis4.2的AMS,现在ibis5.0的AMI,都可以做到很精确,SiSoft做过AMI和SPICE的对比,可以看一下。

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6#
 楼主| 发表于 2008-11-7 09:36 | 只看该作者
micron在model supply和quality方面做得的确超好。  x# I  T; O3 l, Z4 {) j. T+ A8 C
好久没关注IBIS forum了 " ~" g4 ?( l1 E1 c0 k
看来得过去学习下了
1 R4 A8 E& j: ~( G0 m感谢tianya

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7#
发表于 2008-11-7 13:17 | 只看该作者
崇拜!!!

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8#
发表于 2008-11-9 13:58 | 只看该作者
我觉得一般的Flytime仿真,IBIS 还是挺好的。# W$ p" W+ I: Q5 b
但是Overshoot就不好了。; b5 L6 N- }$ B. `
IBIS对于数字电路的一般就够了。" a5 M. o! W& ^* _
不用太去关心 适用频段。7 z5 K* a2 \6 i+ h( ~' d
呵呵

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9#
发表于 2008-11-13 01:11 | 只看该作者
IBIS 是可以仿真高频的, 但这要看多高频率,3GHz一下还是可以的,但要想更准确,还是要用Hspice.

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10#
发表于 2008-11-14 11:36 | 只看该作者
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

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11#
 楼主| 发表于 2008-12-2 09:23 | 只看该作者
原帖由 leixiaoyu 于 2008-11-14 11:36 发表 ; y/ k) w' b4 V4 T4 ~' V
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

, f8 ~/ n: M6 k* Y4 c( h6 S& O
3 C8 i% m& |9 t; S3 q8 e( r; N4 n烦劳详细解释 , P/ w  C  t/ _3 C$ W4 d
& r* A. C% O2 G+ v; Q2 }( x
表格形式和带宽应该没有直接关系吧5 H7 F; g, r8 B; l; h

& s3 Z) n6 X1 c$ W9 {$ U倒是netlist会牵涉到带宽的问题

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12#
发表于 2008-12-2 21:43 | 只看该作者
当器件工作在晶体管的饱和与截止区时,IBIS模型缺乏足够详细的信息来描述,在瞬态响应的非线性区域,用IBIS模型仿真的结果不能像晶体管级模型那样产生精确的响应信息。然而,对于ECL类型器件,可以得到和晶体管级模型仿真结果很吻合的IBIS模型,原因很简单,ECL驱动器工作在晶体管的线性区域,输出波形更接近于理想的波形,按IBIS标准可以得到较为精确的IBIS模型。 + a( i( D+ q& R* `
: t0 u9 {7 K$ l4 l. P/ C2 z' l/ K! r
由于IBIS模型不适用于描述有源电路,对于许多有预加重电路进行损耗补偿的Gbps器件,IBIS模型并不合适。因此,在千兆位系统设计中,IBIS模型只有在下列情况下才可以有效工作: + p+ `8 W$ x: r2 D% v* X, v
  1.差分器件工作在放大区(线性V-I曲线)
4 o2 Y1 |! [3 F9 G  ^  g1 K) }  2.器件没有有源预加重电路
# ~  L1 \7 @! f0 M: g- L* B1 {- K  3.器件有预加重电路但是没有启动(短的互联系统下启动预加重功能可能导致更差的结果) 3 X# \6 x" r# A( c$ S
  4.器件有无源预加重电路,但是电路可以从器件的裸片上分离。 9 e" q! ~+ i$ k  `6 z9 w
  数据速率在10Gbps或以上时,输出的波形更像正弦波,这时Spice模型就更适用。

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Allen + 10 谢谢参与

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13#
发表于 2008-12-3 21:56 | 只看该作者
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

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14#
 楼主| 发表于 2008-12-5 09:12 | 只看该作者
原帖由 xooo 于 2008-12-3 21:56 发表 6 X4 w9 P) Z  ^. Q
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

0 E% ]1 r/ }7 Z( o$ |, P8 n- J' E" R3 h& n* f5 |+ F
IBIS就是个TABLE,表格大小应该不是主要的限制,至于精度,参照IBIS cookbook都晓得,IBIS模型对照spice模型的验证与校正也是建立IBIS模型的关键步骤之一。

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15#
发表于 2008-12-14 14:27 | 只看该作者
个人觉得,对ibis仿真精度影响最大的VT曲线。/ j- y. N3 S. }$ t% G
所以对于接收端的modeling来讲,ibis在很高的频率段仍然能有很好的精度;
& b" i. F% t$ v, L3 L4 t' ?2 m6 J而对于发送端模型,
! c6 B( H5 U; D一个是VT曲线的时间长度(T)决定了仿真的最高频率,对于高频仿真,T要很短,很难精确建模。! u# J% l9 d8 B
另一个就是ibis对真正差分端口的modeling能力有限(特别是PN不够对称得时候),而高速信号又一般是差分信号,并带有预加重和均衡,这些ibis都无能为力。. d+ s* C3 U5 B2 c% d" y
* V' d4 ]" Q* P( |* x% N
但是情况可能在ibis5.0以后会改观,因为AMI扩展使用时频域混合的方法来进行建模仿真,这大大增强了ibis的建模能力。
8 Y. j3 C3 T6 Z- s0 q9 U
( o5 {9 g) w" {4 @" Z" x; D5 k* t说句题外话,一个模型重要的是它的质量,而不是格式。ibis模型经过精心设计,同样可以跑很高频率~~

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