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有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》

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1#
发表于 2008-11-5 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
RT & C. L/ X. [1 n  S& K5 n
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2#
发表于 2008-11-6 10:42 | 只看该作者
论点就错了,还讨论什么啊

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forevercgh + 10 tianya讲的极是

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3#
发表于 2008-11-6 20:48 | 只看该作者
哪错了??

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4#
 楼主| 发表于 2008-11-6 21:51 | 只看该作者
原帖由 tianya 于 2008-11-6 10:42 发表 , H0 c. [7 c/ R6 f3 p9 P8 g( z
论点就错了,还讨论什么啊
$ J! S9 O4 C' {

- _$ Y8 [+ H1 t3 Y, {" Ptianya说的太对了,论点就有问题。
! @, W8 J- e8 c& N& M并不存在ibis model适用频段的问题,只是看manufacturer愿不愿意花精力搞ibis model了

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5#
发表于 2008-11-6 22:22 | 只看该作者
对常见并行接口,如DDR2/3,做到精确,也不是很难,像Micron的ibis模型,都很准确;
- m9 B' M- D2 b" `2 e对serdes,之前ibis4.2的AMS,现在ibis5.0的AMI,都可以做到很精确,SiSoft做过AMI和SPICE的对比,可以看一下。

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6#
 楼主| 发表于 2008-11-7 09:36 | 只看该作者
micron在model supply和quality方面做得的确超好。4 s7 ?# G1 ?7 i0 ]  K1 o% c
好久没关注IBIS forum了
( J- a9 k  m8 Y4 R! b, h: y看来得过去学习下了( o$ y/ K# p- V- ?. H! R
感谢tianya

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7#
发表于 2008-11-7 13:17 | 只看该作者
崇拜!!!

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8#
发表于 2008-11-9 13:58 | 只看该作者
我觉得一般的Flytime仿真,IBIS 还是挺好的。. j7 L$ v; [% s' ]' X" ~: `
但是Overshoot就不好了。
2 M4 S$ Y; P( K8 R6 i4 n) AIBIS对于数字电路的一般就够了。2 }. M0 J( b# a# ~5 X8 [
不用太去关心 适用频段。
; u7 v6 y0 f1 }$ f% I0 o: p呵呵

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9#
发表于 2008-11-13 01:11 | 只看该作者
IBIS 是可以仿真高频的, 但这要看多高频率,3GHz一下还是可以的,但要想更准确,还是要用Hspice.

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10#
发表于 2008-11-14 11:36 | 只看该作者
模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

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11#
 楼主| 发表于 2008-12-2 09:23 | 只看该作者
原帖由 leixiaoyu 于 2008-11-14 11:36 发表
7 `4 H3 v" v0 E5 P% |: D模型都有带宽的,IBIS模型仿真带宽比较小,毕竟是表格格式的

0 d7 u1 q% a8 R; b+ v$ }8 Q
( N5 t8 ?: e6 ~4 A7 Z烦劳详细解释
2 T: a- Y# R( H  C
, x, `2 M" M2 F表格形式和带宽应该没有直接关系吧
- e2 h1 E$ L5 z. ]% o" \8 c
6 L- ^. J" ~$ \9 w倒是netlist会牵涉到带宽的问题

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12#
发表于 2008-12-2 21:43 | 只看该作者
当器件工作在晶体管的饱和与截止区时,IBIS模型缺乏足够详细的信息来描述,在瞬态响应的非线性区域,用IBIS模型仿真的结果不能像晶体管级模型那样产生精确的响应信息。然而,对于ECL类型器件,可以得到和晶体管级模型仿真结果很吻合的IBIS模型,原因很简单,ECL驱动器工作在晶体管的线性区域,输出波形更接近于理想的波形,按IBIS标准可以得到较为精确的IBIS模型。
* r7 x- F% K9 r2 @. J. e% g; X* R) {& ^$ R  q% }& l
由于IBIS模型不适用于描述有源电路,对于许多有预加重电路进行损耗补偿的Gbps器件,IBIS模型并不合适。因此,在千兆位系统设计中,IBIS模型只有在下列情况下才可以有效工作:
* S0 {2 x+ o! P' Z) L* q  1.差分器件工作在放大区(线性V-I曲线)
5 G: C$ V* m* p1 X0 _& s1 r1 h: \$ s  2.器件没有有源预加重电路
# X  t; n3 u# U8 O  3.器件有预加重电路但是没有启动(短的互联系统下启动预加重功能可能导致更差的结果)
6 d5 j4 d7 p8 T/ |  4.器件有无源预加重电路,但是电路可以从器件的裸片上分离。
, P; P+ {" Q+ E$ X* O+ ^% {; z  数据速率在10Gbps或以上时,输出的波形更像正弦波,这时Spice模型就更适用。

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13#
发表于 2008-12-3 21:56 | 只看该作者
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。

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14#
 楼主| 发表于 2008-12-5 09:12 | 只看该作者
原帖由 xooo 于 2008-12-3 21:56 发表 5 i; Q9 V: q" z+ A' }
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性,有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度,通常用于仿真1G内的数字电路。
; R) E# Z3 k6 t6 B  u4 C

7 z# I. s+ f# `IBIS就是个TABLE,表格大小应该不是主要的限制,至于精度,参照IBIS cookbook都晓得,IBIS模型对照spice模型的验证与校正也是建立IBIS模型的关键步骤之一。

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15#
发表于 2008-12-14 14:27 | 只看该作者
个人觉得,对ibis仿真精度影响最大的VT曲线。' \/ P/ q# J3 }& ^$ R5 y  `
所以对于接收端的modeling来讲,ibis在很高的频率段仍然能有很好的精度;  D: T2 B) `, K! M) Y+ Y5 J
而对于发送端模型,
% n: L1 C: z6 ~- o- [4 G一个是VT曲线的时间长度(T)决定了仿真的最高频率,对于高频仿真,T要很短,很难精确建模。( `$ G  K* \, v" k- m6 ]9 g
另一个就是ibis对真正差分端口的modeling能力有限(特别是PN不够对称得时候),而高速信号又一般是差分信号,并带有预加重和均衡,这些ibis都无能为力。& b- |; J2 X9 k
) T5 Q/ P: O& D5 i2 d
但是情况可能在ibis5.0以后会改观,因为AMI扩展使用时频域混合的方法来进行建模仿真,这大大增强了ibis的建模能力。# R6 @' o$ t" @3 ]3 n2 S7 C

5 g" {( Y) ?( R+ _说句题外话,一个模型重要的是它的质量,而不是格式。ibis模型经过精心设计,同样可以跑很高频率~~

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