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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › DDR3的这些NC的到底要不要？
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DDR3的这些NC的到底要不要？

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Aubrey

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1#
发表于 2017-3-26 23:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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+ W  S! g! n+ w- |如图，参考的资料里面J1，J9，L1，L9，M7有两种不同的接法，问下这两种有什么区别？
/ T9 W. C+ F* q7 ~8 \7 y

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myiccdream

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2#
发表于 2017-3-27 08:51 | 只看该作者
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。) A: P; n8 E6 Z/ `
比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就能用到了

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Aubrey
您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:11

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WYL_GW

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3#
发表于 2017-3-27 08:52 | 只看该作者
如果没看错是美光的颗粒，资料写的很清楚，不连，你说的第二种接法我也想学习一下看看到底是用来干啥的。

nc.jpg (23.7 KB, 下载次数: 2)

nc.jpg

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超級狗

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4#
发表于 2017-3-27 09:48 | 只看该作者
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的（多了一根地址線容量變大）。
  • CKE0 是為了不同封裝管腳定義預留的，因為 Pin K9 也是 CKE0，推測是某種封裝的 CKE0 會在 J9。
    ; P9 D: M* l1 e1 Y2 W& o; `
+ x+ ?3 U1 I$ z/ f" q2 d

  _" K7 G# ~  l% J- ^2 |
! n; q( c& k' Z3 N' Z7 l9 a

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Aubrey
谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:16

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clp783

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5#
发表于 2017-3-27 09:51 | 只看该作者
路过，顺便看下。

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超級狗
支持！: 5
當心被流彈波及，有時候看熱鬧也會出事！^_^  发表于 2017-3-27 09:57

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Aubrey

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6#
 楼主| 发表于 2017-3-27 10:11 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2017-3-27 08:514 Y' b5 U; K6 g# I' U# z( D
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。& |3 e9 H1 y1 A" H" B7 D- |- P
比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就 ...

8 C! N& G! w  H6 l8 H. M您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和高低位之分
: g# y6 k  q3 [! M4 J! @. B
8 N% Q# t# ^' ` Datasheet_K4B2G1646F-BYMA [2G_F_DDR3_1 35V_x16 only_Samsung_Spec_Rev0 5 Oct15].pdf (696.2 KB, 下载次数: 10) Datasheet_K4B4G1646Q-HYK0 [1.35V_x16 only_4G_Q_DD.pdf (1.41 MB, 下载次数: 3) Datasheet_K4B8G1646D-MYK0 [8G_D_1.35V_DDP_x16_DDR3_Samsung_Spec_Rev0.0_Sep.15].pdf (928.14 KB, 下载次数: 3) 6 X% e4 a- D& D- ~6 ~* S& i; L. [& u

5 y) e, R, |- s# o2 T! d) f+ `9 l4 ]+ J" E0 i5 p8 u  j  g7 G
6 Z& ]) K+ O0 ~: L

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bingshuihuo
一般是兼容设计预留用  详情 回复 发表于 2017-4-1 09:24

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Aubrey

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7#
 楼主| 发表于 2017-3-27 10:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-3-27 09:48
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的（多 ...
    • / _' K" W2 v) D0 {: C7 S
    谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
    2 `8 Q; v* B. u& H) {; H

    点评

    超級狗
    多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代  详情 回复 发表于 2017-3-27 13:27

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    风的缘故

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    8#
    发表于 2017-3-27 13:24 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    超級狗

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    9#
    发表于 2017-3-27 13:27 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:163 V. E2 B  [9 G2 e0 p; Z
    谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
    : x$ x: i. a: D0 {
    多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代之。
    8 B# r' {0 M6 X2 i: Z
    0 ~% @! f9 o5 W1 e) Q兩個 4Gb 的顆粒，等於一個 8Gb 顆粒，算法上是沒錯，但要注意封裝的方式。$ I6 f% \) a$ @3 ]2 Q4 u
    9 Y( _6 K5 W+ q% T) j
    • 有的是用 CS0 和 CS1 讓你容量增加。（Data Bus 並接）
    • 有的則是共用同一個 CS，讓 Data Bus 增寬一倍。（CS 並接，例如 16 bit -> 32 bit）2 ]. }% g8 i1 Y6 e5 O

    : x; m6 s0 ?5 s" g0 l; U7 _* w
    & K: Z( o3 i4 {  N' k

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    WYL_GW

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    10#
    发表于 2017-3-27 17:16 | 只看该作者
    版主研究的好细致，学习了。

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    bingshuihuo

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    11#
    发表于 2017-4-1 09:24 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:11
    " C: X8 G) [& G1 ?2 g0 U) ~您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需 ...

    ' f' s* w9 `7 R3 U2 q一般是兼容设计预留用
    . p. x0 @, e8 T9 Z% S

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    yhg-cad

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    13#
    发表于 2019-11-14 17:57 | 只看该作者
    不错的解答，最近设计的3128也遇到这问题

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    anguchou
  • TA的每日心情
    开心
    2025-8-1 15:00

    • 签到天数: 2043 天

    [LV.Master]伴坛终老
    14#
    发表于 2019-11-15 13:09 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    无聊搞飞机

    该用户从未签到
    15#
    发表于 2019-11-15 17:48 | 只看该作者
    学习了

    “来自电巢APP”

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