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发表于 2017-6-5 17:09 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图中,VBUS前段Q1,Q2电路起什么作用,直接输入不就行了吗,为什么加这部分电路起什么作用  @& N" t  \5 }8 w

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recommend circuit.png

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发表于 2017-6-10 10:08 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-10 10:09 编辑
) I1 Q) z! u- O( o; X' w" k' b
yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43
  ^$ s* a! x. V4 G0 x感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗

; }0 i* e- v0 i! {4 k2 M) O6 }  t
  • SI2312DS VGS 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  VGS 只能承受 +/-8V 的電壓,你不分壓讓 17V 灌進來,莫死MOS)管就往生了!
    : X) q$ w) A- k3 v. {% d. {
- p3 ~# {) }$ n- v

9 n: D1 C8 }1 o7 b# W

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  发表于 2017-6-14 08:53
Q1的D、S的方向……  发表于 2017-6-13 17:12
用两个MOS管,是增加暖启动?不然一个PMOS管就能搞定了  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:47

该用户从未签到

推荐
发表于 2017-6-6 11:13 | 只看该作者
这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1,防止电池电流的倒灌。

点评

0.65V的门限是从哪看出来的?输入小于2.4V 也不对,这个参数算出来应该是小于3.9V Q2截至掉  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:38
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗  详情 回复 发表于 2017-6-6 17:43
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 15:06
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2017-6-5 17:19 | 只看该作者
    应该是保护和缓启动的作用。

    点评

    具体分析下啊  详情 回复 发表于 2017-6-5 21:49
  • TA的每日心情
    奋斗
    2019-12-20 15:58
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2017-6-5 21:49 | 只看该作者
    maxnnw 发表于 2017-6-5 17:19
    0 y% e9 i) }, H5 s1 S7 ^应该是保护和缓启动的作用。
    ; v! n  E) m) V% T: v
    具体分析下啊

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2017-6-6 10:01 | 只看该作者
    强烈关注此问题

    该用户从未签到

    6#
     楼主| 发表于 2017-6-6 17:43 | 只看该作者
    ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
    / X& d7 ~% N" w( g# O0 a这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1 ...
    , K9 n" `( A$ t# D' P% \. ~
    感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗8 M, k" ?- A) k1 i

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    [*]SI2312DS V 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。 [*]SI2312DS V 只能承受 1.8V 的電壓,你不分壓讓 17V 的電壓灌進來,莫死(MOS)管就往生了!  详情 回复 发表于 2017-6-10 10:08
    怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用,只有适配器电压建立了2.4V之后,整个充电电路才开始工作。Ps:聚合物  详情 回复 发表于 2017-6-8 09:14

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2017-6-8 09:14 | 只看该作者
    yangyuan 发表于 2017-6-6 17:433 l8 y/ f, j* }+ W, C
    感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗

    ' U5 Y! D5 z  n8 A怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用,只有适配器电压建立了2.4V之后,整个充电电路才开始工作。Ps:聚合物电池电压正常工作在3.0~4.25V之间,低电压保护在2.7~2.9V之间。
    8 v$ B: O( i" _& ~  v+ Y5 ~

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    支持!: 5.0
    支持!: 5
      发表于 2017-6-12 10:12
    受教了。十分感谢!  详情 回复 发表于 2017-6-8 19:21

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    8#
     楼主| 发表于 2017-6-8 19:21 | 只看该作者
    HengliangYau 发表于 2017-6-8 09:14
    4 z6 I' S* o6 r' @! C1 _7 k怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池 ...

    * Z8 F8 {$ E1 J9 e, U  n受教了。十分感谢!

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2017-6-11 10:38 | 只看该作者
    本帖最后由 xhy_hard 于 2017-6-11 10:41 编辑 . F. b2 _- X9 Y/ L! v0 U- r
    ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
    + Q) S& E6 \  W% e! C这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1 ...
      v- U4 `% c$ j4 W! C! l! `+ Q

    ; \1 Y: m) g% {9 S% L2 X; \3 ]$ V

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2017-6-11 10:47 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2017-6-10 10:08
  • SI2312DS V[sub]GS[/sub] 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  V[sub ...

  • $ A- v/ ]8 V8 i/ X+ V用两个MOS管,是增加暖启动?不然一个PMOS管就能搞定了' E$ [" H5 \5 n6 e, ^" c7 S

    点评

    一个做不了防倒灌的作用  发表于 2017-6-12 10:16
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