MOS管开关的问题

超級狗

kobeismygod 发表于 2017-7-6 14:42
, L9 s' h# b( i电阻为100K的时候，T11可以很快速的把C极拉低，使MOS 导通，所以瞬间会有跌落，反之10K导通速度没有那么快 ...

: Y1 w+ D$ M% {我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……


- {* R5 H# H& N- B8 A
- R# H1 j# |# M" Y5 u0 P3 M不是啦！個人覺得是 MOS 管 T8 開太慢，來不及對 C68 充電的緣故。
- S) L" \+ y* c
R74 變大、照理說 MOS 管 T8 的開關速度應該會變慢。

1 ^: H7 s- [  f7 c' {不管 MOS 管或 BJT 管，各管腳內部還是有寄生電容的。

超級狗

USB 2.0 VBUS 旁路電容的規定

順便給這份文件好了！
; P5 T! v7 g5 A6 m% j5 q
; t0 _6 y/ U. g* V7 j

付官星

如果是因为R47改为100K造成的，那就是T8的控制斜率太大造成的，办法：1、减小R47;2、增大C67

松哥无敌

超級狗 发表于 2017-7-8 15:39
" Z- D$ t" O+ YUSB 2.0 VBUS 旁路電容的規定

順便給這份文件好了！

% O! v7 u/ f4 @( W狗大叔我对的你崇拜又加深了一分。。。

fashaoyou

T8打开太快了啊，加soft start试试

kobeismygod

超級狗 发表于 2017-7-8 14:51
我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……

& X% j# v8 |* d9 r: v8 v超人表示不服！
. s( n9 v6 t' o' M* ~( }* dC68其实可以看做OTG POWER的负载，问题就转化为了T8作为开关，其导通速度决定克C68瞬间抽取电流的大小，I=C*(V/T),可以得出在C68上建立相同的电压，用时越短，瞬间抽取的电流越大，也就越容易跌落，这个也是为什么好些负载电容比较多的电源需要加soft start的原因，因为不加缓启可能会出现OCP的问题。另外，看到楼主截图，如果没看错的话，有跌落的那张好像电源的slew rate也更大一些？？所以我感觉是开关开的太快了，以致闪到腰了
) A$ e4 G2 x2 r$ h& J

mirage_huang

非常感谢各位的回复，后续还会验证这个问题，谢谢！

lizudong

100K时 电流小，三极管放电能力更快，也许可以这么理解

zrqiu1314

学习了