MOS管开关的问题

超級狗

kobeismygod 发表于 2017-7-6 14:42
电阻为100K的时候，T11可以很快速的把C极拉低，使MOS 导通，所以瞬间会有跌落，反之10K导通速度没有那么快 ...

- Z3 a' [# \" z5 U+ t! l我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……


) B: I" w8 _% t7 ?
不是啦！個人覺得是 MOS 管 T8 開太慢，來不及對 C68 充電的緣故。
/ ~: B. u$ @7 ]' L/ w
R74 變大、照理說 MOS 管 T8 的開關速度應該會變慢。

+ }+ I) A! d9 j* T3 h" P" L( c不管 MOS 管或 BJT 管，各管腳內部還是有寄生電容的。
$ |: Y  n. C0 {

超級狗

USB 2.0 VBUS 旁路電容的規定
# u$ G7 z, ^5 D7 W5 F% j# ~2 N, \
5 J. C. d& z  X) p- \3 i順便給這份文件好了！

+ W5 J1 x7 Q, D, i$ [% R

付官星

如果是因为R47改为100K造成的，那就是T8的控制斜率太大造成的，办法：1、减小R47;2、增大C67

松哥无敌

超級狗 发表于 2017-7-8 15:39
/ L0 z: `. y9 J$ F3 EUSB 2.0 VBUS 旁路電容的規定
) O$ y& M1 @/ H3 Z8 F" o
順便給這份文件好了！

: j1 J& A9 {. l# L  B狗大叔我对的你崇拜又加深了一分。。。

fashaoyou

T8打开太快了啊，加soft start试试

kobeismygod

超級狗 发表于 2017-7-8 14:51
8 D4 m. {; m* R$ d8 l2 K我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……

! x9 }, ]" @0 g# }8 \" \超人表示不服！
3 e4 C6 K! T* a( WC68其实可以看做OTG POWER的负载，问题就转化为了T8作为开关，其导通速度决定克C68瞬间抽取电流的大小，I=C*(V/T),可以得出在C68上建立相同的电压，用时越短，瞬间抽取的电流越大，也就越容易跌落，这个也是为什么好些负载电容比较多的电源需要加soft start的原因，因为不加缓启可能会出现OCP的问题。另外，看到楼主截图，如果没看错的话，有跌落的那张好像电源的slew rate也更大一些？？所以我感觉是开关开的太快了，以致闪到腰了

mirage_huang

非常感谢各位的回复，后续还会验证这个问题，谢谢！

lizudong

100K时 电流小，三极管放电能力更快，也许可以这么理解

zrqiu1314

学习了