MOS管开关的问题

mirage_huang

线路中，R74阻值改成100K时打开T8，OTG_Power会塌陷，各位大神能让我明白为什么吗？

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kobeismygod

超級狗 发表于 2017-7-8 14:51
我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……

超人表示不服！
6 X9 y& v- t% l  H5 cC68其实可以看做OTG POWER的负载，问题就转化为了T8作为开关，其导通速度决定克C68瞬间抽取电流的大小，I=C*(V/T),可以得出在C68上建立相同的电压，用时越短，瞬间抽取的电流越大，也就越容易跌落，这个也是为什么好些负载电容比较多的电源需要加soft start的原因，因为不加缓启可能会出现OCP的问题。另外，看到楼主截图，如果没看错的话，有跌落的那张好像电源的slew rate也更大一些？？所以我感觉是开关开的太快了，以致闪到腰了
9 P5 _) L; r5 m( h' ]1 a

超級狗

kobeismygod 发表于 2017-7-6 14:42
4 B7 t: i- Y6 v, Y4 `9 X9 A; y电阻为100K的时候，T11可以很快速的把C极拉低，使MOS 导通，所以瞬间会有跌落，反之10K导通速度没有那么快 ...

我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……

1 \; S: K9 B* R5 y( O
8 t9 N' ~1 y) K/ g
/ v% e3 I$ b& F2 @$ `! S不是啦！個人覺得是 MOS 管 T8 開太慢，來不及對 C68 充電的緣故。
7 g; H. T& K- R* E4 \
& B+ x  g: S" R4 x# u% SR74 變大、照理說 MOS 管 T8 的開關速度應該會變慢。
* C, g7 z: P- }3 V7 F
8 a1 Z4 C# g* h不管 MOS 管或 BJT 管，各管腳內部還是有寄生電容的。

9 m8 V7 _+ N) g* Z8 r) L; |( M  J6 x

松哥无敌

kobeismygod 发表于 2017-7-6 14:42
+ c9 I! _. p0 b1 K; f9 \电阻为100K的时候，T11可以很快速的把C极拉低，使MOS 导通，所以瞬间会有跌落，反之10K导通速度没有那么快 ...

为什么100K跟10K差别这么大呢？原理是怎么样的啊，大神

kings9527110

第一个图是什么参数下的波形

i265

在T11的 C集串个几k的电阻看看  

中臣

开关速度太快了，后级电容C68抽载导致的； OTG_Power估计供电能力不强或 trace有点长了 ； 建议soft start，把R120换成电容；

Jasminetr

非常正确

way

可以把C68改为47UF电容，负载瞬间太重C68储能不够。

松哥无敌

强烈关注这个问题

松哥无敌

为啥R74阻值改成100K会这样了？？？？强烈关注这个问题

松哥无敌

我还想问个问题，PMOS管的上拉电阻阻值怎么选型啊？

松哥无敌

@狗版主

kobeismygod

- y! \) }. e2 ~% X" k
电阻为100K的时候，T11可以很快速的把C极拉低，使MOS 导通，所以瞬间会有跌落，反之10K导通速度没有那么快，可以再R74两侧加电容，从而降低管子导通速度。

松哥无敌

我顶我顶我顶顶顶

Lambor小盧

建議你使用MOS G極腳位 串連一顆 電阻 會比較好。

meng110928

电源输入端带载能力差,前端挂个大电容试试,不然可能会引起系统复位.