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楼主: EDA365QA
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2017年7月23日公益PCB评审报告节选

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16#
发表于 2017-7-27 12:15 | 只看该作者
pcb 发表于 2017-7-24 14:49, B7 y; L/ _' i7 V4 |1 P
DDR3没有这个要求
# |2 G" C, X9 T  L% p
对,我也看到DDR3没要求DQS和clk有相关联的
1 w% G  f$ ~# o. R3 _4 ?

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17#
发表于 2017-9-6 11:46 | 只看该作者
EDA365QA 发表于 2017-7-24 08:41
) {* g6 w( k6 p: ]' n/ ]4.  DDR下拉都应在末端.

! p/ d" L1 y" @9 k是指的vtt的电阻吧,这个端接电阻放在哪里应该看走的拓扑吧,如果是fly_by,就需要放在末端颗粒,现在看这个图走的是T型拓扑,是不是放在中间的T点位置?% E/ H- r7 @0 L0 D& G% S' t6 c

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18#
发表于 2017-9-6 15:05 | 只看该作者
EDA365QA 发表于 2017-7-24 08:414 o' H. U9 d8 X1 G2 s* A
5.  时钟与DQS差太大了.

. O. h" H' c+ u% D* q看图片,地址、控制、时钟线走的是T型拓扑,而数据线走的是点对点的,那么时钟和每组数据线的dqs该怎样控制,datasheet里应该有写等长控制要求,这种的应该是到每片颗粒的时钟线长度比到该颗粒的dqs长一定的数值是吧。
& Y) Q5 y' ~; Q1 f, e% O7 g
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