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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题
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i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

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gwei_0210
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10

    • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II
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    1#
    发表于 2017-8-18 15:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊8 d+ z& k3 X9 D

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    總有錯誤訊息吧？>_<|||  发表于 2017-8-18 15:48

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    EDA365微信号及QQ群号！
    Aubrey

    该用户从未签到
    2#
    发表于 2017-8-18 16:01 | 只看该作者
    生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

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    gwei_0210
    填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10

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    gwei_0210
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10

    • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II
    3#
     楼主| 发表于 2017-8-19 13:11 | 只看该作者
    天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

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    gwei_0210
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10

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    [LV.3]偶尔看看II
    4#
     楼主| 发表于 2017-8-19 13:12 | 只看该作者
    & V6 d0 ^- o% K8 z" ^; L
    DDR Freq: 396 MHz 3 d  B+ v) j$ D8 n5 m9 F/ H

    5 a9 U- Q0 |( x8 z; `! `3 {ddr_mr1=0x00000000
    ( P+ O$ g; }7 @( h5 D3 }& P1 f7 _Start write leveling calibration...$ p( r* R1 \" O) ^3 p
    running Write level HW calibration4 U% S9 b$ N" [* ~1 x3 L0 s- f6 O5 k
    Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    + ?& _; u& L* H2 t; U$ Y$ y% F    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    - a+ Q$ n! T& i+ W    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008" n& g. u/ Q3 |( S
    Write DQS delay result:
    9 |2 q2 F: o2 K3 G1 [! C2 `9 {   Write DQS0 delay: 7/256 CK  ?! A9 x7 [; K( Z5 I
       Write DQS1 delay: 3/256 CK: y5 M% l- l) n" @" r! N3 h
    - N+ M% e8 z" t5 T$ e# I5 ~" }; ~
    Starting DQS gating calibration4 l1 \$ U5 Y! U' L# h
    . HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
    4 e' V7 N# ~7 n  [7 V. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011( F& Z& L0 d+ F( F7 p4 X
    . HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011) }2 `$ X: @! q5 t6 O3 G( K
    . HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
    ) L+ \8 r4 [/ [6 g$ x: M8 P/ u) I. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011( X  g! l6 a% ?$ x8 h2 d* r" B' q
    . HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
    - B, Y; O5 \6 ~+ s1 t, g. A. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
    + b; }8 e* [2 U3 W8 A. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x000000111 _# @- \& I0 P
    . HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011+ o' u# \8 S$ {+ U: G) v
    . HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x000000116 c! @6 B  F! [! l: k% Z# x
    . HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
    . G7 a  d& b9 P: N" B: ]. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
    # I7 D7 o; {! Y! W# {. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
    8 |) J, `! }% A, t. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011' e. m: L/ a' v% j' e" y
    ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
    / K  ~& J' n9 s' v% ~9 q6 ]& ndram test fails for all values.
    ' D1 k* m& w: D9 v+ }* C$ t$ w, i) N+ v2 C8 {! l
    Error: failed during ddr calibration3 e3 j5 R5 o8 S4 d

    3 a& N1 j- y) _' C0 _4 U

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    Aubrey

    该用户从未签到
    5#
    发表于 2017-8-21 09:58 | 只看该作者
    4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

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    kele1983

    该用户从未签到
    6#
    发表于 2017-8-21 10:41 | 只看该作者
    可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

    点评

    gwei_0210
    试过，也不行  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10

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    gwei_0210
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10

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    [LV.3]偶尔看看II
    7#
     楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
    kele1983 发表于 2017-8-21 10:41# D- F9 P# }" S4 l7 E6 z
    可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。
      j" X/ t$ o( C# K$ x* ^4 J' b& D
    试过，也不行- t% a6 v4 Q) _: `- W$ C

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    kele1983
    我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。 还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:37

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    gwei_0210
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10

    • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II
    8#
     楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
    ' f; M: l. A: H7 h: F9 ~2 M" ^生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？
    + A. x) H5 K6 J5 n* J8 l8 Y
    填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的! m8 `0 B- |, D6 W+ W) n4 ?0 v

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    超級狗
    走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟這改變，阻抗有可能會受到影響。 如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。  详情 回复 发表于 2017-8-21 14:28

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    gwei_0210
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10

    • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II
    9#
     楼主| 发表于 2017-8-21 13:11 | 只看该作者
    DDR Freq: 396 MHz ! V4 F3 l# [$ Y8 S0 V

    4 o6 I% }1 y- S0 c' v2 Addr_mr1=0x00000000( s3 W9 E& E3 ?5 P" f% E
    Start write leveling calibration...
    * M/ \0 M" t' }& L# U) jrunning Write level HW calibration
    ) r8 t0 S2 i7 b6 ~. ]9 e9 a: d/ fWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script4 Z/ M7 x3 H# G9 J  j: r, Z1 n" X. D
        MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    # z5 v3 p6 k7 M& p8 B5 i1 ^    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
    * W2 d4 I# S3 j! h+ v! ~5 ~$ m$ R9 n6 XWrite DQS delay result:& e$ {/ C' G) v9 G
       Write DQS0 delay: 7/256 CK- }  {, i: y5 q) G3 E/ H
       Write DQS1 delay: 3/256 CK5 X" f) c. _" y( f8 N2 w
      H2 J3 U' M9 ~& k9 m! q; m' j# F
    Starting DQS gating calibration0 H. k3 f- C9 s7 T
    . HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
    % {- i3 u. Y' c7 W. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x000000114 s$ u$ J6 h; p; \/ Z- l" I2 `
    . HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011) Y& w" o" A1 p) T4 o( X/ K* @6 R: w
    . HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011, H# ]$ c0 f$ U6 M
    . HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x000000116 d5 l2 I! f3 ^4 S- e6 s
    . HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
    2 C% U- Y0 ]" m/ v2 A5 }. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
    5 W) g  A: s1 F2 o1 Z* C. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x000000115 u) y  Y: ]! G2 C
    . HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011& H1 S4 E2 |, _$ F: i+ e; M/ p
    . HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
    2 |( a4 L3 b, r: O- C- X9 k. \. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
    ' o1 e' j, }* V5 E. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x000000110 u5 T! P0 ^2 @, H9 c
    . HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x000000118 L- l1 P1 P1 F6 N4 I
    . HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
    0 `9 d0 W( x6 Y0 t) o/ L. vERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!6 I/ n. y5 q6 u3 U8 z  f
    dram test fails for all values.
    7 g% C  K9 N9 }2 H4 J& e$ ?, c, \9 E' a' M3 _# F* M+ a
    Error: failed during ddr calibration
    ! d+ r  ^( G3 }4 [8 o) K# J

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    kele1983

    该用户从未签到
    10#
    发表于 2017-8-21 13:37 | 只看该作者
    gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10, ~; Z! N& G' U
    试过，也不行
    % o+ @2 z& Y+ v' I
    我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。& n: x% z2 V& O& }0 E" _
    还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。7 K3 G9 o: u1 c0 Q# ]7 D
    我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
    - s9 v: O3 {- t4 p9 j4 ]  L. i# m% h% C  Q  t

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    参与人数 1威望 +3 收起 理由
    超級狗 + 3 很给力！

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    超級狗

    该用户从未签到
    11#
    发表于 2017-8-21 14:18 | 只看该作者
    挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。: M# z1 F' {- }: _/ N' s! x" z

    2 s1 \+ {2 n' d6 k# }# a. uhttps://community.nxp.com/thread/3651060 B/ m6 D3 i) e: q# U
    ; W: q1 \! s' Q1 a

    ' c+ _4 h' L, c% K# ~1 A( t/ O
    • Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
      * N! p( R' f. c; K8 j# a' Ihttps://community.freescale.com/docs/DOC-93819
    • Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
    • Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
      ! A- t3 }& w! Q" n7 o+ q10 : LPDDR2
      " S* J: b# J2 q2 Y  e# c) H/ c11 : DDR3
      ! r/ U; K" \- `, {; Q  ]) j" H( r
    ) [& F  Z" O: h% y- W8 B7 k
    5 {( X/ w6 o) a; ?

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    超級狗

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    12#
    发表于 2017-8-21 14:28 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2017-8-21 15:39 编辑 5 p: t3 C5 t1 q% [, T& S6 V
    gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10) u# \- P: \( C
    填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

    : p, O' ]  ~& u5 {" W2 p 走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。$ o4 J' w& Z3 B; v2 }+ m) H! i
    % T) W; X. o3 `' a  n$ w9 a. b9 K/ h
    如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。( b7 c% M: C& q
    ; C' X" w6 V8 F* P, C, r* Z
    " C0 P; g% a1 Y: s; k

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    duzz

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    13#
    发表于 2017-8-21 16:40 | 只看该作者
    狗版主，这么翻译飞卡要气死

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    支持！: 5.0
    超級狗
    支持！: 5
    肥死卡好！>_<|||  发表于 2017-8-22 08:16

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    gwei_0210
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10

    • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II
    14#
     楼主| 发表于 2017-8-21 16:54 | 只看该作者
    已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

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    zxk

    该用户从未签到
    15#
    发表于 2017-8-22 07:16 | 只看该作者
    路过，学习一下 mark

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