i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

' J( w8 A6 l; dDDR Freq: 396 MHz
9 w% \; v. s* a; D
ddr_mr1=0x00000000
1 K- x, b; |% S+ pStart write leveling calibration...
running Write level HW calibration
$ i- x) U2 _8 U+ yWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
: G! h$ Y: E( F: j! M+ P7 a& J    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
   Write DQS0 delay: 7/256 CK
- `' X7 n* U4 F) N4 Y   Write DQS1 delay: 3/256 CK

) I7 V3 E$ h7 w0 L. B% r& tStarting DQS gating calibration
, W; c2 }- U: z! V, @, g$ h' y0 i8 p. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
$ h& }. P& F2 g2 J, W9 A: ?. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
2 o; d1 K2 \: M- w- g. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
4 U2 c: d8 j. u' a. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
  i% e5 T6 j; I; N& J& s. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
1 {1 e' }' a0 F1 `) C9 d! W1 c" H- ^. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
- O2 P  M! b3 _ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
2 q2 o; S8 [& O& L8 A5 ^dram test fails for all values.

3 R' I- v3 U) r5 gError: failed during ddr calibration

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

" m( N! y- \; T2 C: W* _试过，也不行
2 @4 p  f) F, s' C

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
" H: H: x' c0 n: G8 J生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的
( G( ?# ~& X3 ?

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz
' x+ d; @" ~/ a+ l
ddr_mr1=0x00000000
) }4 I7 a. l7 W8 @& kStart write leveling calibration...
7 V8 @- |* }: [1 p# Trunning Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
9 ^' L' q/ x- @1 e  M   Write DQS0 delay: 7/256 CK
# u  m' M) M7 R' e; b   Write DQS1 delay: 3/256 CK
# f$ U& J) l7 H" y6 e# u
/ S7 J' U# ]) r9 ]' y( }' IStarting DQS gating calibration
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
% s$ ~: \; C6 U$ s# l1 N5 Z2 _3 c. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
% K2 Z( \! j! ]2 l/ w& N( g. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
2 x( Z2 z- v( r7 B$ x9 J: }. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. h7 w# k% l9 ?- Z. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.
" T5 y- r3 x! B
Error: failed during ddr calibration

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
; m7 q2 n" o, i试过，也不行

- f7 F" C& O3 j. ^: l我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
8 i8 q( v! }. W$ l- L% {# d* A我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
5 l  j+ A3 @' D/ V
+ d1 g! K  U! x- u0 U9 j& Z

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。

https://community.nxp.com/thread/365106
9 @; z) G* H) B3 S1 J  a0 o7 M( N

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  ' g* ~; ]6 J2 q& F" k) u' qhttps://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  & }6 W- n! A9 t) k) o) X  P2 L10 : LPDDR2
  0 D3 \4 }, ~# T# u11 : DDR3
  $ d3 O- u) I: b8 j7 ^% y- U

3 F2 ^# z& ~: h; C7 w2 B

超級狗

1 \' W+ q' e3 l! \5 l

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
( ]' f9 T* H6 @填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。

  z5 F' t4 u7 N0 l* C# y$ ?! _如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。

8 I" Y. u% L* w/ _& s3 A8 O9 P2 h; j

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark