请大家帮忙分析一下这个MOS切换电路

jasson

电路如图所示，主要功能是一个双电源充电切换电路，现在碰到情况3的问题，导致充电不正常，请大家帮忙看看。
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kevin890505

8 e+ |+ B. y) K  z  \个人猜，你的时序+参数搭配刚好没考虑到掉电微观过程的（掉电不是瞬间的，有斜坡）切换问题。这个电路比较常用，但是总体来说，一般的逻辑是你VIN掉电，然后Q1,会因为Vin没有而关闭，同时在跌落到某个阈值打开Q3.
细化看你的参数，首先电池是有电的吧？想象下Vin从5V开始慢慢降，降到4.2V等于电池电压，此时Q1，2仍然是导通的（mohm电阻），Q1要关闭，Vin端必须继续降低才可以，但是Q1此时导通，所以Vin就从Q1,2的获得这个电池的4.2V，无法降低了，就是说Q1自锁了，从而Q1一直保持开启状态。电压下不去，你的Q3,4应该是没法导通的，所以Vin2应该过不来。
测试下此时各个节点的电压确认下，标在图上看看，按道理应左侧和中间节点都是4.2V，右侧5V，右侧Q3,4处于关闭，左侧Q1,2打开，三极管Q5也是打开的。
仿真图，多的三极管是用来模拟Vin悬空的。

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结果，可以看出，Vin悬空后，情况和猜测的一样。可以看出V3黄色的电压升高后，按道理Vin应该没电了，但是此时Vin跌落到4.1V（因为我串了电阻）左右=BAT点电压，Vin2=5V一直不会变。
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方法就懒得说了，只要你保证在这个过程中找个逻辑强制把Q1，2关闭就可以了。
& O/ ]! O" T( \8 ~/ ~- Z) P

kindzx

jasson 发表于 2017-8-29 20:18
  w/ Z* ]1 W8 k防倒灌
) f2 o$ I2 @# u! H+ S, x9 Z
7 ^/ J; o9 B: k1 T! I5 ?[size=15.5556px]防倒灌为啥不用肖特基二极管，用mos内置的二极管压降大，另外也存在mos导通的情况，这样就没有防倒灌的功能了吧？
3 j5 f" i, D6 o$ t( L/ [9 Y9 E. L' l3V就可以完全控制导通的N-MOS管(60V/12A) MOS(场效应管)/STD12NF06LT4 编带

1. http://www.szlcsc.com/so/product/details_93709.html

复制代码

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wach

1、首先从电路上看，J1和J2同时插入时，J2是不导通的，但是呢这时候Q3 Q4级间电容是要充电，【通过VIN在电阻R2】，如果断开J1，那么这时候级间电容需要放电，Q5会被导通，进而Q1 Q2导通，3401体二极管压降如图所示，这时VIN电压在4.2V左右2、3401导通导通电压如图，此时处于刚刚导通状态

weihuaping118

你好，把R1加大一点接到+5V吧。通过了MOS的二极管有压降。还有就是你VIN有4.2V的话，应该会影响Q3,Q4的导通的吧。你看看。两边都插电源，应该不通才对吧。

zxk

1、你说的情况3，充电不正常的现象具体描述一下，从电路上看，应该是冲进去电了。还是只是vin1的电压不对？
  r6 b8 O  H: q% Y% c2、充电电路的两路汇集口，可以增加两个单向二极管保护一下。

xiaowenwu1989

从电路看不应该有4.2V,    找找4.2V哪来的

wach

1，首先从电路上来看J1和

jasson

weihuaping118 发表于 2017-8-29 00:25
你好，把R1加大一点接到+5V吧。通过了MOS的二极管有压降。还有就是你VIN有4.2V的话，应该会影响Q3,Q4的导通 ...

7 c+ f6 F' P" {: G" AJ1突然断开时，VIN端的电压变成4.2V，导致Q3和Q4处于不完全导通状态

dqwuf2008

关注

jasson

wach 发表于 2017-8-29 10:01
  Z7 R0 Y2 c' U# z1、首先从电路上看，J1和J2同时插入时，J2是不导通的，但是呢这时候Q3 Q4级间电容是要充电，【通过VIN在电 ...

0 ?$ e5 j' o5 t嗯，谢谢指点，该怎么解决呢

wach

jasson 发表于 2017-8-29 11:06
) X1 k. H9 Y' }5 W' d3 M嗯，谢谢指点，该怎么解决呢

; k$ A# `& A4 T+ ]2 x$ [  }你把R3电阻加到3k试试，尽可能不让电容对三极管造成影响

xbin

Q1 Q4干啥用的？

jasson

xbin 发表于 2017-8-29 13:53
8 r3 v9 D" L5 }! c( y3 B" l4 FQ1 Q4干啥用的？

, I5 A. N  [: n) x7 O! G/ m防倒灌
, l3 O' Q' m/ K

ksvhxd

把Q5换成2N7002试试，R1去掉，R2,R3换成0欧姆，R5换个阻值大点的，4.7k应可以了，有个1mA左右的泄放电流可以了，个人觉得Q2,Q3都是多余的。

xbin

jasson 发表于 2017-8-29 20:18
防倒灌

[size=15.5556px]防倒灌为啥不用肖特基二极管，用mos内置的二极管压降大，另外也存在mos导通的情况，这样就没有防倒灌的功能了吧？
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