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为什么P沟道MOS的VDS电压做不大

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  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-19 16:57
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2017-9-15 17:49 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    请教为什么P沟道MOS管的VDS做不大。N沟道的MOS VDS可以做到几百V甚至1000V,P沟道的MOS的VDS通常在100V以内。是内部什么构造影响VDS的值差距很大。

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    好問題!啃了一晚的狗糧才找到答案。@_@!!!  发表于 2017-9-16 00:56

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    超級狗 + 3 先給樓主加 3 分,答得出來的給 5 分。

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    发表于 2017-9-17 22:49 | 只看该作者
    ; l" B8 C6 @7 T7 p8 W1 n1 l
    http://www.360doc.com/content/16/0902/13/35356821_587762820.shtml$ A8 S. u: \6 x

    . e: R: C/ B3 S% C* `高压PMOS也有见过
    2 _1 J4 ^; Q& Z9 g9 h( @  t. L) U
    " s# T+ D4 E  Z1 `2 A. j

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    補充說明,為何 N-Channel MOSFET 比 P-Channel MOSFET 容易做到,答案就完整了!^_^  发表于 2017-9-18 08:58

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    2#
    发表于 2017-9-17 09:59 | 只看该作者
    强烈关注这个问题

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    4#
    发表于 2017-9-18 10:39 | 只看该作者
    在常温下N 沟道中的电子迁移率大约是P 沟道中的空穴迁移率的2~3 倍,在要求同样的导电时间下,只有把PMOS的宽长比设的更大一些,才能达到要求,这也就解释了同样面积的沟道,NMOS的导通内阻更低,工艺上做起来更容易,成本也更低小,PMOS较低的电流驱动能力,工作速度比NMOS要慢。
    ' C. l1 C7 n2 D. n+ d) a* U4 p3 i厚度会影响降低击穿电压值,同样体积,PMOS比NMOS厚度大耐压值低。

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    小弟只能做錦上添花的工作! 由於電子(Electron)的移動率(Mobility)比電洞(Hole)高,因此對於降低電阻,n 型雜質(n-TypeImpurity)的效果會比 p 型雜質(p-Type Impurity)來得好。 然而提高雜質濃度(Im  详情 回复 发表于 2017-9-18 13:01

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    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 高手在民間!

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    6#
    发表于 2017-9-18 13:01 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2017-9-18 17:58 编辑
    - i* T; I. w4 ^* S0 n4 p7 l# D
    Aubrey 发表于 2017-9-18 10:39: a( e6 \! K5 O) [3 o
    在常温下N 沟道中的电子迁移率大约是P 沟道中的空穴迁移率的2~3 倍,在要求同样的导电时间下,只有把PMOS的 ...

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    小弟只能做錦上添花的工作!

    2 x, Y* D1 ^+ \/ q* r& z/ J
    由於電子Electron)的移動率Mobility)比電洞Hole)高,因此對於降低電阻,n 型雜質n-Type Impurity)的效果會比 p 型雜質p-Type Impurity)來得好。
    5 \7 h  U* _' a" W& c) c
    然而提高雜質濃度Impurity Concentration),並非降低半導體電阻的萬靈丹。電子學也提到,當雜質濃度(Impurity Concentration)超過極限後,過多的載子(Carrier)移動時發生嚴重碰撞,反而會使移動率(Mobility)下降,這時半導體的電阻不減反增。
    5 Q% v! w5 f/ I; S. @2 {
    若要維持同樣的阻值,所需要的 p 型雜質(p-Type Impurity )濃度會比 n 型雜質(n-Type Impurity)濃度高很多。因此使用 p 型雜質(p-Type Impurity),會比 n 型雜質(n-Type Impurity)更容易達到飽和濃度。

    ' l+ S" R. @  e. i& a: [P Channel MOSFET 並不是做不到耐 VDS 高壓的規格,而是做出來的 RDS(on) 會讓你不想去用它。RDS(on) 過高,除了功率損耗Power Loss大之外,也讓半導體更容易發熱,壽命跟著縮短。
    3 F4 l% b3 Z# q2 L

    Carrirer Mobility.jpg (56.93 KB, 下载次数: 0)

    Carrirer Mobility.jpg

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    8#
    发表于 2018-4-7 09:29 | 只看该作者
    为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大-透彻详解 .pdf (1.19 MB, 下载次数: 1) $ b  f9 `: Z: b/ B* r. R  O
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