MOSFET管抗静电击穿能力。

六画玄辉 · 发表于 2018-3-13 15:15

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册

x

请教下，我用APEC的MOS管，经常出现MOS管不知不觉就损坏的，我怀疑是被静电击穿，现在我想更换，不知道哪个参数决定着MOS管的抗静电击穿能力

Aubrey · 发表于 2018-3-13 16:32

什么型号？设计上是否合理、能否上图？

深圳—allegro · 发表于 2018-3-13 20:01

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

超級狗 · 发表于 2018-3-13 22:36

本帖最后由超級狗于 2018-3-13 22:38 编辑

Aubrey 发表于 2018-3-13 16:32
* R& m- Z. K$ x2 D: ?' k9 N什么型号？设计上是否合理、能否上图？

他是「合理」的懷疑！（簡稱「莫須有」）

无聊搞飞机 · 发表于 2018-3-14 09:56

看手册

灰狼 · 发表于 2018-3-14 10:01

在你怀疑的点加ESD试试

jkokomo · 发表于 2018-3-14 23:30

會是inrush current的關係嗎？

lingnanhu · 发表于 2018-3-15 09:12

看手册，估计是你的设计问题，特别是VGS，很多人设计都是把G极直接拉到0V 通断。这样在控制高电压时候，很容易造成VGS超过规格书要求造成损坏！

深圳—allegro · 发表于 2018-3-15 18:35

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

xiaojiguohe · 发表于 2018-3-16 10:52

看看学习下

zhangqing · 发表于 2018-3-16 11:42

学习来了

yuantao135 · 发表于 2018-3-23 11:03

学习一下

alienware · 发表于 2018-5-6 12:26

PN结击穿

上海轻骑兵 · 发表于 2018-5-18 17:21

受益匪浅!!!

帐号		自动登录	找回密码
密码			注册

深圳—allegro 深圳—allegro 当前离线积分 167 头像被屏蔽该用户从未签到	3^# 发表于 2018-3-13 20:01 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
深圳—allegro 深圳—allegro 当前离线积分 167 头像被屏蔽该用户从未签到	下载资料威望不够？点击查看获取威望的N种方法>>
	回复支持反对举报

深圳—allegro 深圳—allegro 当前离线积分 167 头像被屏蔽该用户从未签到	9^# 发表于 2018-3-15 18:35 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
深圳—allegro 深圳—allegro 当前离线积分 167 头像被屏蔽该用户从未签到	下载资料威望不够？点击查看获取威望的N种方法>>
	回复支持反对举报

推荐内容 /1