FLASH被异常改写的问题分享

stm32f103zet6

stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样
) a' N6 F2 N' x# u  c- k- f0 v它们的共同点：
1，统一排地址：但地址不一样
8 B2 S0 n, V# _- _7 o2，编程方法和的函数一样
2 Z- k' `7 k5 O% q9 r1，先HAL_FLASH_Unlock();开锁写
2，Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32)；写
其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32)；
3，HAL_FLASH_Lock();锁住写
" u/ }( o8 p$ |8 j; |3，擦出方法和函数一样
% l. f1 D* J( YHAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)
% L* t2 L% L9 U, c0 g& r4，读方法和函数一样
6 a& T( R7 W2 w0 O% }Read_eeprom_int32(uint16_t addr)
不同点：
4 [; i! X+ X! c6 ]: C( d) \+ Z地址不一样：
EEPROM：0x08080000开始的2K字节
FLASH： 0x08000000开始的空间（大小型号决定）， 其中你想用的FLASH空间。

cat12620

楼主说的很对