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本帖最后由 Quantum_ 于 2018-6-25 21:19 编辑 / p3 L4 m1 d% `0 X7 g# I
) L* C/ j$ ^/ m; @9 J+ ?1. 第一次, 阅读SI 报告, 有如下几个问题.) d4 d3 C, ~1 q+ [- E0 c' [- }
a. 如图所示, 其中的1T, or 2T 是什么意思. (*本人不是SI 专业)8 P" j2 Y+ ]! e, l
b. 图片2中, 所示的时间261ps 是指什么时间.
) m" X6 s3 n& e) [ c. 为何图片3中的worst case 不是261, 而是324 ps? C/ @( F- A5 X2 F/ b! R( H" [( p0 d
2. 通常, DDR SI 的目的是什么, 主要有哪些参数或者指标? (这里指后仿, 即PCB走线已经完成)
) u% r V; E/ W" T( O/ S: g6 e$ a" n
3. 图片所示的Fail, 是哪个/哪些因素引起的? 该如何改进?
7 h9 A; t8 ^+ Z a. 是走线长度有问题吗? 长了, 还是短了?
! j7 d- n8 J, B4 ~: L: Q b. 可是, 我查看长度表格, 却是正常的范围.
$ d5 v- x S3 D d c. 另外, 如果是长度有问题, 为何U13, U14 (Fly-by在u12之后)的2个devices 却又没有问题.9 m- K& C4 A% N }/ L: P
* R/ V6 [* R0 g- }; _3 g+ D$ {& _以上,谢谢!7 V# e% d5 ?+ r B9 z# S$ {6 E
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