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1,缩短高频元器件之间的连线,设法减少他们的分布参数和相互间的电磁干扰。+ l3 N0 ^. L* |
2,易受干扰的元器件,如IC远离强磁场,如变压器
# E2 L) g8 p. h7 @8 i" Z5 J" x$ [3,某些元件或导线之间可能有较高的电位差,注意安规距离3 D/ u+ E' X$ Y5 u! ?
4,对温度敏感的元件(如IC)远离发热元件。特别是电容。; m. E1 ^- c' Q, z3 Z3 d
5,元件离板边不少于2mm,至少1mm
* r; t1 |# g! {& l- H5 c6,模块化电路布局,尽量缩短各元件之间的走线8 o/ J9 b' m+ d' M# M' z
7,输入输出电路比免相邻,平行
( s0 `9 t" g2 W: V8 Q! q4 H8,注意电流大小来按排走线宽度
: J8 W0 E' c4 P/ D0 F" g9,尽量比免大面积灌铜" p2 K6 j" f) v0 \6 P
10,注意环路* O# L$ V* w1 q+ b3 L) U4 ^
11,地线分开
9 A. s% a) {+ [8 n% c12,接地加粗
" L- \+ q6 k }13,单点接地& [- P+ t/ x1 T9 }
14,功率走线尽量最短化
4 z# }" Q+ I+ P; s15,采样线,驱动线,同步信号线,反馈线注意重点处理
# C6 f2 p" \1 k16,注意磁场回路. X$ B% ~5 w- j; H+ i, W' {# `. ~
17,电流环走线
' J3 V8 R* {7 Q1 M18,滤波电容的走线处理4 {4 F4 |# m, d% ^- O
19,RC吸引回路靠近开关管
5 ~& A6 B! F0 c. ~5 a+ e1 S20,...2 s7 j" [0 E- E: x8 d6 c
...
% F- d8 H: y& l7 f$ {0 O+ C/ a...1 K+ @9 I0 ^! c% v# S5 I
...
9 t* z. n& Q5 T! ]7 I50,信号线不能从变压器,散热片,MOS管脚中穿过。 |
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