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比较旧，但是够用，分享给大家% {/ V7 c; N( V% W! M/ k
j: G8 f, ] R j
2 U, U" P5 [# Y6 B# i2 ~- z. Z& [
《射频电路工程设计》详细分析了LNA、混频器、差分对、巴仑、调谐滤波器、VCO和功率放大器等各种独立射频模块的设计过程，以工程设计的角度重点讨论了射频电路设计中阻抗匹配、接地及电流耦合、数字电路与射频电路的差异、电压功率传输、宽带阻抗匹配、窄带阻抗匹配、RFIC及SoC、产品的可制造性等基本设计技术与方案；最后介绍了射频电路系统分析中的系统增益、噪声系数、非线性现象等主要参数。
% O( `' s8 G8 g8 n7 A& O0 j6 P* ?5 j( p% I8 m% ?0 o8 n
射频电路工程设计目录9 X1 G$ K8 r% S
8 t" k$ X0 c6 h/ x: v+ A第一部分 单个射频模块
3 @+ i z! i A+ o( c* h( {. j
$ ?9 U! Q/ \* ?$ d* ]3 i0 y第1章 低噪声放大器
2 i O" N0 T+ ^. O+ B. p1.1 引言. o' y3 L8 a1 @; a* \$ S
1.2 单端单管低噪声放大器
- w I; B/ |! j% L1.3 单端级联低噪声放大器2 w/ f- r. I# b. p
1.4 带自动增益控制（AGC）性能的低噪声放大器 P7 f7 S( _. Q% C6 l7 ?
参考文献
$ M* K4 {% O# Q9 S, Q! H- E+ C: d5 J* M- @8 ?7 Y' f
第2章 混频器3 r @% N9 I' V5 _
2.1 引言
- y$ h V4 X1 F6 e2 ` O2.2 无源混频器- y( Z5 p3 M/ m' }+ j$ L3 `
2.3 有源混频器! e }2 C& L; g& M
2.4 设计方案
0 w6 F6 d7 f, R% u3 u附录
8 N; S7 A0 v5 T8 S/ q参考文献
" S: `' E! b3 D- S& l
0 c/ E& Q* ]/ {0 F! C第3章 差分对, N+ f y5 a9 _/ f: X; O8 Q
3.1 为什么需要差分对# y- l) `5 b3 l
3.2 可以用一个电容来隔离直流偏置吗& _% B1 K3 S* n0 H* N& p5 k4 u/ a
3.3 差分对电路的基本原理5 [0 @1 Z/ a) t
3.4 CMRR（共模抑制比）
1 ]2 M$ `' t" U3 Q附录
& g2 w! k. Q; O参考文献. D/ r7 R5 n/ m
8 a/ B/ @) f( q8 d4 s
第4章 射频巴仑 o. ?1 O/ C" d. Y
4.1 引言
}( M$ }2 m- O2 r; e1 E4.2 变压器巴仑, r/ H3 L6 E; E$ T0 T
4.3 LC巴仑- K# e" C" i5 [, G: H
4.4 微带线巴仑& h* i( \* h; |
4.5 混合巴仑' ~# x$ Z6 S/ }8 k$ X
附录: {: x% }( E% H
参考文献
, I* n! Z- z! H
" R7 @+ e2 B9 ?2 n" ~ z4 K第5章 调谐滤波器
2 c0 `$ D- ]6 ?( L' ^& z" ]5.1 通信系统中的调谐滤波器
' L& K, P7 G! K8 ~5.2 两个谐振回路间的耦合+ P5 J* Y! u* X( V! W
5.3 电路描述
- H% m/ R3 Q0 c' u0 n5 V/ V5.4 第二耦合的效果
( Y$ e5 ~3 g e& ^9 _5.5 性能9 }( ^3 j! L9 m" Z, K
参考文献- U" l2 Z" I& O' w- v2 b0 C
. N' ]1 m+ u3 A7 A/ L
第6章 压控振荡器
, q. N& k/ d! k: [4 i1 z6.1 “三点”式振荡器% p5 k- v" D3 s* `
6.2 其他单端振荡器
" Y: ]) h4 X, v& `8 V4 s* o6.3 压控振荡器与锁相环
1 w k. H5 x/ q6.4 单端VCO的设计实例. ~9 t4 a, L& w1 Y2 [
6.5 差分VCO与四相制VCO
4 e e( m+ G% @2 i/ K* j参考文献
* T, p) X0 S* Z6 f) Y: \* Z
0 y8 V- B7 K- E0 ?/ R第7章 功率放大器
0 X- i; i# F4 U1 G: K: D' o7.1 功率放大器的分类9 a) p# M, w# H9 {' L9 z5 B
7.2 单端型功率放大器设计1 @. r B% u& g- A9 X/ n* Z
7.3 单端型功率放大器集成电路设计
" T1 x' K: n) |. w! R+ s7 V- @. y7.4 推挽式功率放大器设计
. u$ ~3 C8 s) ~$ N9 ^" g) D7.5 带温度补偿的功率放大器
; E% E3 u, ?0 @3 }7.6 带输出功率控制的功率放大器2 y& i1 V' t. v: \) f) n
7.7 线性功率放大器; B5 w9 ^2 e/ l9 R8 r
参考文献
0 P5 R8 I" l" b0 R" D! {8 V3 `3 m& a$ g/ ?
第二部分 设计技术和技巧
4 ?! f$ e3 ]: {$ Z
3 F! T4 D+ j* ]6 t) B第8章 射频电路设计和数字电路设计的不同方法
9 K4 f3 k2 q' g! ?! Z5 ^8.1 数模两类电路的分歧, p+ u& f& {1 b5 N7 k
8.2 通信系统中射频电路模块和数字电路模块的差别
" g1 X# }7 D1 q8.3 结论
4 X8 S& ^% C3 K& F8.4 高速数字电路设计的注意点' n) i5 `% ~0 y/ f9 ^
参考文献
. m: v9 e/ z1 I) Y7 X0 [7 d, P* a e9 ?3 ^2 e9 v
第9章 电压与功率传输$ U( f' c2 L/ R+ d5 J1 h
9.1 电压从源传输到负载2 {+ L4 m9 A: n$ e7 Y
9.2 功率从源传输到负载
( {3 p$ L2 E; |9.3 阻抗共轭匹配
p7 t/ G( ^9 N$ B9.4 阻抗匹配的附加作用3 v! F$ {1 ~% u
附录4 \6 |3 M$ ]4 e& s
参考文献
4 P" `* \# H2 u# o$ z
/ u a5 @+ z/ ]9 v: ~7 B第10章 窄带阻抗匹配
7 N" z/ D7 M+ z( q) f2 `9 o1 g+ ?( u10.1 引言, i+ P2 K) A! h9 ], U
10.2 借助于调整回波损耗进行阻抗匹配
, w5 ~3 |0 c _; N1 b10.3 由单个元件构成的阻抗匹配网络
, o8 f j% s0 a10.4 两个元件构成的阻抗匹配网络
6 _* n8 g3 k0 h( H10.5 由三个元件构成的阻抗匹配网络6 G D0 G0 ?! z7 k
10.6 当Zs或ZL不为50 Ω时的阻抗匹配- z: O3 K2 E: f
10.7 阻抗匹配网络中的元件! Q1 T4 w0 Q, @7 G' N( h
附录) n6 o- ]+ I; I0 N; z$ k
参考文献0 V& Y3 F# `; M0 _% Q
3 h6 p( w9 {) _, Q/ r9 X
第11章 宽带阻抗匹配+ K1 v7 b; z8 C+ N' N
11.1 史密斯原图上的窄带和宽带回波损耗
/ Y- t+ ]& C9 y& }5 S11.2 插入一个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化) z9 y Z, h2 ?8 S. P
11.3 插入由两个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化
6 G6 c$ q, ~& E& w: d! X11.4 UMB系统IQ调制器设计中的阻抗匹配
8 y) y: i% }) Z. M5 } i11.5 宽带阻抗匹配网络的讨论: z; B2 \+ ]6 Q9 K& p. s# m
参考文献
. g9 u% c9 f1 W" s7 z- t
8 W' ^9 T& u$ m: ?+ o B第12章 器件的阻抗和增益
! s$ z+ v8 ^+ a& N# L) k9 f12.1 引言
5 e9 Y: g# b' {' {; U12.2 密勒效应+ }0 ^: H/ M4 X- u- C+ g+ \$ a, J. K* u
12.3 双极晶体管的小信号模型" Y( I1 S; L3 r, B5 n
12.4 CE（共射）结构的双极晶体管
1 M$ V- c# d& p/ c7 x12.5 CB（共基）结构的双极晶体管. x5 `0 J$ z) r% M* |
12.6 CC（共集）结构的双极晶体管/ |" @/ @* z8 h7 W4 I. S
12.7 MOSFET晶体管的小信号模型" d9 v/ s4 w- y
12.8 双极晶体管和MOSFET晶体管的相似点7 w6 b2 i" l [ T# i: O) ?2 K- o
12.9 CS（共源）结构的MOSFET晶体管
* z2 Y2 q' g d: V+ F% l4 K4 w12.10 CG（共栅）结构的MOSFET晶体管6 m: \2 [ ?3 P4 _1 t5 @
12.11 CD（共漏）结构的MOSFET晶体管# ?7 f" ^ u1 ]; e+ U
12.12 不同结构双极晶体管和MOSFET晶体管的比较+ G* U: V6 e- H/ G
参考文献
& U- y; |. f( Y# N6 g0 D# q5 M1 Z, R. \- N: f; F: _) b
第13章 阻抗测量) _. G/ l; r0 [3 n _
13.1 引言
! U# M/ P) P/ g; o& F, w5 f13.2 标量电压测量与矢量电压测量6 g7 J9 {! T7 j8 R4 z1 Y' }8 \' t
13.3 采用网络分析仪直接测量阻抗
t7 \- c6 q; I5 }4 Z13.4 用网络分析仪进行阻抗测量的另一种方法! W! v0 d+ k) @
13.5 借助环形器进行阻抗测量; r% v: X3 a- U) T, M& K! d
附录
( ^$ A9 c# @; N# U# D! ?参考文献
0 _3 i6 ^: b7 @9 H* T, c! m; o, L7 O
第14章 接地
5 e& G3 Q0 f3 O: w1 M14.1 接地的含义% j* s8 j& s2 t1 v2 P
14.2 隐藏在原理图中可能的接地问题' m+ g) r; c5 }/ j/ h
14.3 不良或不合适的接地举例' O, z, o; i( r1 H
14.4 “零”电容
& j; L0 `9 ^& A- `1 G' ?! I; B$ k14.5 1/4波长微带线
; k" g# }) Y$ l- w+ K8 F6 A N附录
# z; B. [3 P P2 S% r& Q( \参考文献& D+ p9 Z/ M; }( P
: ^6 e5 b2 l# m ^0 f5 x' y: b第15章 接地面的等势性和电流耦合9 t; j7 O( Z' J, u+ q
15.1 接地面的等势性
1 Z4 D0 e) H+ I, J15.2 前向和反向电流耦合4 K7 r7 S( J* S( M
15.3 具有多层金属层的PCB或IC芯片1 ]; x6 @& D; a0 e
附录3 V/ T+ S: K# G* U" _: t
参考文献
$ c3 ~( M6 M9 o* c' O5 L) K1 M2 ]2 U4 L) i3 v6 d$ e, p
第16章 射频集成电路（RFIC）与片上系统（SoC）
$ O# w5 j. f: l; T16.1 干扰和隔离
' R5 ^( S8 t( S16.2 使用金属盒屏蔽射频模块
. |) n: j0 E3 D16.3 发展射频集成电路的强烈需求
6 q8 F1 ~- `" ?16.4 沿着集成电路衬底传输的干扰信号/ N9 P" o+ z% M* l6 R* w- W
16.5 抑制来自外部空间的干扰的方法
: n0 Z F$ W# l3 v16.6 在射频模块和RFIC设计中应遵循的共同接地规则9 J) m1 Q& {+ Y+ c9 Z+ X; h1 f$ t
16.7 射频集成电路设计中遇到的瓶颈
* f& G+ ?' y7 J0 N16.8 片上系统的前景" C1 i8 H( ?; k8 I
16.9 下一个是什么) f. q# u' j! W: Z7 W- J
附录
/ e/ e) e1 g+ ]0 P7 h* [' u6 n参考文献
& i# ~ [4 e6 c8 i
& I/ F( q0 W5 ?# K. n第17章 产品设计的可制造性6 B6 m, ~$ w+ Y
17.1 引言% F0 o2 a) G& w+ }8 H5 G6 K6 V
17.2 6σ设计的含义
1 [# ~* O" M1 l2 c17.3 逼近6σ设计* K) J5 d" A. ~9 Z3 O) u
17.4 蒙特卡洛分析
. x4 `- N, f! x) o4 H# D附录
, i! }1 V5 y" s' l, W; k参考文献
; p: T! a0 c8 B- B, J: b6 S* L( d( ?/ v: G* X
第三部分 射频系统分析0 Q2 A0 s% w/ }4 `
& S# S4 P. ?/ U3 `$ U5 C第18章 射频电路设计中的主要参量与系统分析
" u, v: P* ~! `& A" D* l4 l, M18.1 引言" G9 M, y: {" o' U( l3 X
18.2 功率增益
6 O5 N' w! l" u# ?/ _) J18.3 噪声
2 M" v! }' F6 Y6 w) K2 h18.4 非线性
9 x* C" X7 z q1 h+ T18.5 其他参量
: B, A' u" Z& K1 X: U1 V+ L18.6 射频系统分析示例
5 g( _+ P' h7 X' Y+ M3 W" K附录" C l8 U- [8 r" n( m
参考文献
9 u$ J1 y. {* t/ ` |
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发表于 2018-8-17 12:00
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