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比较旧，但是够用，分享给大家' F3 B B5 ^( c- Z- g" E0 j# K% m% H
- F$ }/ X6 c, H! {, n; B @0 B
3 b4 z" G( j% X8 V1 c
《射频电路工程设计》详细分析了LNA、混频器、差分对、巴仑、调谐滤波器、VCO和功率放大器等各种独立射频模块的设计过程，以工程设计的角度重点讨论了射频电路设计中阻抗匹配、接地及电流耦合、数字电路与射频电路的差异、电压功率传输、宽带阻抗匹配、窄带阻抗匹配、RFIC及SoC、产品的可制造性等基本设计技术与方案；最后介绍了射频电路系统分析中的系统增益、噪声系数、非线性现象等主要参数。
$ K; |6 g3 {4 f6 q1 X1 c" @3 E
5 S& R7 m! @3 }: G) M射频电路工程设计目录
+ ]6 c, r5 S! R, p" }
, } A3 \; U' [, s4 s" l& D0 e第一部分 单个射频模块$ t* w- d8 e: W: u
* t1 d. _0 {/ Z$ w8 v) {
第1章 低噪声放大器
. K% z0 K; Y W0 x$ V1.1 引言
% o' }0 Q% @1 M# h, ]9 f8 ~& K1.2 单端单管低噪声放大器
E. g& F6 e. T2 f4 G {9 r1.3 单端级联低噪声放大器# U( j& Q" l m# J' e
1.4 带自动增益控制（AGC）性能的低噪声放大器
/ \6 Q* x4 Q: B# E7 E0 C% v参考文献
w+ J. ?; g' L( ]6 y0 H" Z, d: H2 P4 F4 `/ h1 x/ j; |8 A5 v" S
第2章 混频器
- Y( T, t5 w. s) O2 T2.1 引言
, d" I5 @6 l3 n- [/ T) u" o2.2 无源混频器
. s7 M9 \3 R1 a5 w; r) w2.3 有源混频器
. k6 k, j% W3 g5 ` x4 ], J% O2.4 设计方案
9 k: Z# o3 v7 B7 m# S7 w9 F附录+ R, x7 Y* |5 P, g0 f( W+ A
参考文献, H4 ^0 h+ u5 b+ [
' }% r- D' g+ o; S% @8 E$ |第3章 差分对, e: w. ?" n0 b8 j. R
3.1 为什么需要差分对
. u; p C8 T l0 j- m6 Y! }7 ~3.2 可以用一个电容来隔离直流偏置吗. P! d( k' D6 G5 N2 r1 r
3.3 差分对电路的基本原理6 T$ Q* d/ e' } R/ {
3.4 CMRR（共模抑制比）
( L9 \0 l0 Y& ?/ u8 `! f附录) V! T' a. Q8 ^2 c
参考文献
, _- t" Z9 G" D( |
' X+ Z; [ B! b第4章 射频巴仑8 \& z' p+ R; v. L+ h. I8 S
4.1 引言9 u. G$ M' p5 p+ H
4.2 变压器巴仑; g0 ?7 f( } b4 d' ~( _- [6 ~
4.3 LC巴仑
, k! m+ g6 d, A6 f4.4 微带线巴仑
) }2 h! y: e, B4 a. f. C& Y# P3 w4.5 混合巴仑
# M/ M* i3 |7 m附录
1 X3 K! I& Y- Q& O+ d. V! r. r参考文献# O1 I' m: n. P, {
8 ~) F M- j( i2 m! f8 a2 S第5章 调谐滤波器
+ d6 S" J, r/ }( _( t6 L: ]5.1 通信系统中的调谐滤波器
" @( o e; j& w9 W7 o" {( M4 r5.2 两个谐振回路间的耦合! L8 z& K# w) j M2 }+ i
5.3 电路描述: I) R, a* Y9 Z. n. @9 e2 S; E
5.4 第二耦合的效果 e5 d: Y% @. P/ Q0 j' q
5.5 性能0 A" i; }" N" x* ~4 Y
参考文献
: |9 k9 e. P& d9 R# K9 \; O8 [ N8 P1 a' _
第6章 压控振荡器
$ Y- C, m* ?1 b# e7 l3 T5 v6.1 “三点”式振荡器5 y8 `5 [- e5 Z$ O% b4 ^
6.2 其他单端振荡器0 A& A; S; g3 s( s+ H/ U
6.3 压控振荡器与锁相环
, O' i; K# d: s9 J* y$ v' I1 H6.4 单端VCO的设计实例
8 V W! i- T: P% ]/ f6.5 差分VCO与四相制VCO0 w3 ~ Q. e# P. F$ A" g
参考文献2 f2 I, Z: g- ]! v8 W; D6 K
6 W3 R( J7 y w5 M3 g* t' u
第7章 功率放大器6 S; ~2 A D* R2 p- F7 ]& \
7.1 功率放大器的分类+ h2 u1 q. j2 c6 N
7.2 单端型功率放大器设计0 T) n! L2 K6 r' [
7.3 单端型功率放大器集成电路设计) x% x; n- i" W! x: V0 O1 v% f
7.4 推挽式功率放大器设计9 h) i C% }7 u; Y% `8 W
7.5 带温度补偿的功率放大器- j3 e. [9 _$ y& `+ Q E0 m
7.6 带输出功率控制的功率放大器1 h% J* Y$ ~, I$ q. C
7.7 线性功率放大器
' {; }; p( Q& p, ~( \; S参考文献
; f- o8 a; H/ I' H( s1 E; E1 G% r+ s
- y5 a4 b9 `4 g3 t8 H- y/ N3 q0 q第二部分 设计技术和技巧
~0 i4 ?( @: N; S$ ^" d. h) I- K- W0 P- O) ^+ n* Z
第8章 射频电路设计和数字电路设计的不同方法
; B4 M+ d% p5 m) L5 I! R8.1 数模两类电路的分歧
6 N; m' C Q, e$ F4 j8.2 通信系统中射频电路模块和数字电路模块的差别. Z0 \& K* s, q4 n
8.3 结论
1 T& |2 J! R0 I+ G% h8.4 高速数字电路设计的注意点
! [5 i( w( c6 `参考文献 `/ A) C5 d$ b j, o$ y# S
9 k: S& T& s1 G3 u, X: f7 Y第9章 电压与功率传输
: Y" d& e) ^' T+ U9.1 电压从源传输到负载
3 d# o: \" I5 N3 J! S9.2 功率从源传输到负载' n# o$ \" H, z: Q8 Y9 U: x5 q
9.3 阻抗共轭匹配" T" n8 T4 |8 ~! @* C- ~9 f9 y
9.4 阻抗匹配的附加作用% v1 F6 c$ |3 _4 D- ?8 d5 g. q
附录) g& u" }' P% M1 N$ j- M
参考文献
0 S4 a0 D$ k! C8 J, M/ b: ^* R- a4 w+ K9 I- g0 m5 r
第10章 窄带阻抗匹配) x7 A; P4 [0 H# Q$ o$ f7 U
10.1 引言
, K; n% y5 T% v$ x0 \$ i( O10.2 借助于调整回波损耗进行阻抗匹配
o! {) ]* f- `) Q6 _2 }. c10.3 由单个元件构成的阻抗匹配网络
; G! J. D0 ~ v4 U( Q- o8 L10.4 两个元件构成的阻抗匹配网络
3 o* F0 _; r. y10.5 由三个元件构成的阻抗匹配网络' M) i. R5 C) M4 j$ B2 Q
10.6 当Zs或ZL不为50 Ω时的阻抗匹配
* d8 _5 f* b9 q& g+ C( o10.7 阻抗匹配网络中的元件
: l/ O2 j k1 a2 p, i' J) j附录6 |: F" e6 c b1 T! G1 h( {1 X
参考文献
) }2 } K- z" @. n0 w1 R
8 _. J4 R: h6 i9 ?, C! c第11章 宽带阻抗匹配
& S& w0 k) s. f11.1 史密斯原图上的窄带和宽带回波损耗
" _. k$ E1 f. l3 l: Q11.2 插入一个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化
( P4 g- W; E8 K11.3 插入由两个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化9 B5 ]+ P3 h6 b; v+ `9 M1 U G
11.4 UMB系统IQ调制器设计中的阻抗匹配9 e1 B' X& O; c( J
11.5 宽带阻抗匹配网络的讨论# T* Q' z$ W9 P, n3 m; F- x
参考文献- K/ E8 o+ T" B: W. p4 R
$ O/ E5 N, d4 [4 e4 i, s' Z第12章 器件的阻抗和增益! Y0 ^3 A3 n$ _8 z
12.1 引言* Q; g3 U- n4 {
12.2 密勒效应
5 i5 O2 m! x0 B! G3 M# x12.3 双极晶体管的小信号模型! R0 u+ w1 F4 \* Y7 X& h+ ]
12.4 CE（共射）结构的双极晶体管
4 A& C6 \4 k6 K/ A: }) v2 G7 B3 D12.5 CB（共基）结构的双极晶体管
- f; E* ^3 Y. \ _. h12.6 CC（共集）结构的双极晶体管
- x3 [' d2 Z' R6 B. `- R& i/ _12.7 MOSFET晶体管的小信号模型: Z4 R) d% ]& _) b7 o# s4 p3 h
12.8 双极晶体管和MOSFET晶体管的相似点
( T. W$ |6 N' _4 b% r12.9 CS（共源）结构的MOSFET晶体管& h1 ]# H. |8 }8 O) A$ T8 g# |
12.10 CG（共栅）结构的MOSFET晶体管, L9 A# D5 n0 t& X
12.11 CD（共漏）结构的MOSFET晶体管
$ @# z3 x4 W7 T) e; m5 q& g' \+ E; P12.12 不同结构双极晶体管和MOSFET晶体管的比较
8 c/ y" G8 U* H3 F8 G. K参考文献2 Z' y; u+ A+ S" ~% N \3 V
2 {5 C" Q' _( T# N V0 ~2 g2 A% i
第13章 阻抗测量$ u# B" \/ r! [3 U: V6 `
13.1 引言9 G: |8 \- d N1 O. y5 g
13.2 标量电压测量与矢量电压测量
1 l2 z# i( _0 P6 {) {0 ?13.3 采用网络分析仪直接测量阻抗8 C) j- [8 E1 K. ?4 s G) L
13.4 用网络分析仪进行阻抗测量的另一种方法
# i" N, d/ z+ o, f5 Y2 w; d13.5 借助环形器进行阻抗测量
. n% m3 l+ r* e6 A2 e8 Z! ~) m附录7 H, a; d; `$ a" B# {6 R
参考文献
2 L# V: c' v% b- A8 h2 |' w
- K" m% p2 s5 Y4 i- z+ @第14章 接地1 G) y: j, P$ I, g+ z
14.1 接地的含义" i2 [0 S0 |7 ~
14.2 隐藏在原理图中可能的接地问题
! [+ u! W8 e! q% C9 h7 ]14.3 不良或不合适的接地举例
6 s2 [( O3 F% j& T4 w: [7 Q14.4 “零”电容
4 ^ p1 I6 v5 ?! `5 v% [+ i* T14.5 1/4波长微带线0 ?. P; P1 u6 v+ ~( L% ~' b
附录
! k) j" t; T- ?9 {+ f参考文献1 W: C- t* z7 f0 Q
' \. n( Y" e( ?5 b
第15章 接地面的等势性和电流耦合
- Q! I( c, a7 r4 y. x1 p7 s: Z15.1 接地面的等势性8 u1 g3 p% H0 ? c* O" v0 A
15.2 前向和反向电流耦合# T% S- W& U5 c7 E3 @7 Y7 l
15.3 具有多层金属层的PCB或IC芯片
0 ?( x5 a( C- O9 v! ]附录
% I5 v4 T7 {3 F0 b& z9 t- E参考文献8 ^& H f6 U! r5 E' B) x
4 V% q% n) e; }( z第16章 射频集成电路（RFIC）与片上系统（SoC）
2 S( {2 ~$ K, N. L16.1 干扰和隔离; g& A9 P" L/ C" d
16.2 使用金属盒屏蔽射频模块
! E* F _: p9 U! M2 `. h16.3 发展射频集成电路的强烈需求+ u) L/ u, b) H+ T3 N3 I
16.4 沿着集成电路衬底传输的干扰信号
0 P4 u$ V1 Y/ j% a16.5 抑制来自外部空间的干扰的方法
# w+ Z7 ^8 b+ p16.6 在射频模块和RFIC设计中应遵循的共同接地规则4 g; M" @ H |. ~4 r, M
16.7 射频集成电路设计中遇到的瓶颈( b4 g1 Q# g) ~1 J. I2 F$ r
16.8 片上系统的前景; P m, n& P+ c: _ U7 N$ |
16.9 下一个是什么7 X% L" `) t0 {$ z
附录; K) ]1 p& Z1 h+ g$ F( C U! ?5 F
参考文献2 L. _$ Y+ U6 `2 B5 A6 S
+ o# p8 H+ k4 o" q
第17章 产品设计的可制造性
8 x; W# j n+ Q# I17.1 引言
6 j0 U) S5 O2 W% x- N8 C17.2 6σ设计的含义
4 Q) O1 x3 j4 g$ P3 j% l6 {17.3 逼近6σ设计; z' s- w( S( h* R
17.4 蒙特卡洛分析! z; C! b2 r+ }$ u: g% E* A4 i, {% j
附录 y9 ~6 _- z( H" b% t- n; h- e( a
参考文献" l, c. y8 ^ q# e& i
8 U! G; Y: b. J; [+ v7 z
第三部分 射频系统分析
1 S1 W% ^/ N6 i" H: ^' c
0 `4 F: a, }2 U& |7 a+ m3 C第18章 射频电路设计中的主要参量与系统分析
5 w6 |1 F* V. N1 \, U+ o' f0 ?18.1 引言/ n7 I: [% d* b5 z' ~4 @+ i
18.2 功率增益
9 E: O: g1 S) f, t8 \0 j: F6 H18.3 噪声
. J5 S: \3 A# c1 n" s: Q4 h3 V18.4 非线性
" u- B9 j* J% s" @+ V d18.5 其他参量2 m; b$ h. t s% A
18.6 射频系统分析示例
& y9 F6 A2 L- X8 D! I附录5 i- C2 b( }5 y, U& B1 c. Y
参考文献
/ K" c# v" h% h* }' H |
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发表于 2018-8-17 12:00
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