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NPN管控制PMOS管的怪现象

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1#
发表于 2018-9-29 09:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 haoxia01 于 2018-9-29 09:23 编辑 9 y0 N9 n. w8 o- ~' |' M
3 B# \" [& l8 C/ S& W  k2 p
- M( z9 o7 N2 ~2 v8 |- J' I
如图所以,问题也描述在图上
! ?8 S. \+ O1 S) a& T' Q( @  f1.去掉负载,问题依旧存在" ^4 Q* K. m( Y- b  u/ U5 f4 r
2.更换PMOS,问题依旧
: ?- h7 ~, K# M! p3.更换NPN,问题依旧
' d0 ~/ H& ~& s) L/ k& \5 Y6 W4.示波器捕获IO口和LDO的输出,纹波没问题, w6 |$ |, v/ x* [6 K
5.将R7改为200K,R9改为0R,问题依旧( E+ P6 a2 N& Y) ?% _
6.将R7和R9都改为200K,电路工作正常
1 D  T1 O5 |' I6 }, _* N) p- R1 ^6 O2 H- Z/ }( q0 ]
猜测原因
3 j5 y& \  V7 y% [/ e9 c1.分压后,PMOS的开启电压由原来的Vgs=-3.3V至Vgs=-1.65V,漏极电流Id大约由3A至1.8A;
% [0 U/ y3 [& o& K: M" ]( D& t2.NPN的管,工作状态异常?无法说出个所以然来……3.下图是单位nC,我的理解这个量级也不会引起整个现象
/ B1 S) D6 b( N
3 ^, a5 \9 q7 x求论坛大神出手解答一下小弟的疑惑。1 u- D& F) z' o; ]: V) q
+ Y) ]& Q* B- x# P4 V

, L$ ^" n' L! F- d5 g9 u

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发表于 2018-10-14 10:05 | 只看该作者
这个图画错了, PMOS右边G和D之间少了个电容,没有inrush control的作用

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多谢版主出手相助!  详情 回复 发表于 2018-10-15 19:24

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发表于 2018-10-2 02:31 | 只看该作者
R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快,冲击电流太大。
+ z* {+ E# S! _7 V9 T

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我也想这么说  发表于 2018-10-7 17:17

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发表于 2018-9-29 13:40 | 只看该作者
本帖最后由 大家伙好 于 2018-9-29 13:42 编辑 % x4 f& F, s  {9 L3 W8 T
- n0 u( G3 _0 |. s
这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的,PMOS导通的一瞬间,电容的充电电流很大

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2#
 楼主| 发表于 2018-9-29 10:40 | 只看该作者
每次只要一发求助问题的帖,然后思路就清晰了,也就很快解决了。。
4 W7 }2 N+ m$ F# f' C1 o5 _# _4 ?$ i要给EDA365点赞了。
* r, R) \% \1 J' A  c" Q& R; Q2 L4 u. r7 V" g% `8 e9 U, Y
解决思路
( d, {7 h7 V/ j0 y& p. D' S) f* L* P3 _1.通过现象分析后,既然通过电阻分压就解决,那么很可能是由于PMOS的开关导致的,
+ q. }2 i/ i3 I+ @2.如帖描述,通过分压减少的了Drain端的驱动能力,那么很可能是开关的瞬间导致的,0 I0 c! b; W* {2 G5 [
3.通过在R7和R9之间的点,并联电容到地。
' J4 ?2 Q  Y% d4 @    那么在初始态,电容通过S端过R7充满电,当IO口拉到后,NPN管导通,PMOS管的G极由于R9和C的存在,Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程,其中到达Vt后,管子导通,并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。
& J$ _' n  _' X) {2 |' X问题得以暂时解决!" J5 Y% C; N; E: z3 c0 h, |0 `
留帖纪念

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学习了  详情 回复 发表于 2018-11-5 22:14

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4#
发表于 2018-9-30 08:53 | 只看该作者
能不能说清楚你最后怎么改进的,直接贴图学习一下

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在二楼写了呀,在R7-R9之间加了100nF电容到地  详情 回复 发表于 2018-10-1 09:05

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6#
 楼主| 发表于 2018-10-1 09:05 | 只看该作者
goodboy32 发表于 2018-9-30 08:53" j+ L+ ]) [( @: D) K& g( k0 K
能不能说清楚你最后怎么改进的,直接贴图学习一下
5 F# Z2 V/ Z$ X/ ?  v1 g7 {& A- i
在二楼写了呀,在R7-R9之间加了100nF电容到地
: D/ Q$ \% Q: ~5 B9 s
  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    9#
    发表于 2018-10-9 14:01 | 只看该作者
    学习了  我也用了NPN控制PMOS 还没开始调试

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    10#
    发表于 2018-10-9 15:01 | 只看该作者
    NPN管控制PMOS管用过很多,没碰到过你说的这种现象。

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    12#
    发表于 2018-10-11 11:10 | 只看该作者
    我也没碰到过

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    13#
    发表于 2018-10-11 17:44 | 只看该作者
    三极管不要用IO口直接驱动B极

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    15#
     楼主| 发表于 2018-10-15 19:24 | 只看该作者
    Jujianjun 发表于 2018-10-14 10:05# p4 F8 W! x7 {& O
    这个图画错了, PMOS右边G和D之间少了个电容,没有inrush control的作用

    9 {. M2 b* R6 D, D6 j  z: {; ^多谢版主出手相助!
    . N7 S4 W' W% F2 V7 p
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