NPN管控制PMOS管的怪现象

haoxia01

& q3 k+ V$ v. C; C$ J
9 V& I" L! w7 Q# o4 r' H& p
8 y# z6 Z$ Y! `6 Y3 P如图所以，问题也描述在图上
# P% B3 P7 q3 \: D3 P7 q6 {1.去掉负载，问题依旧存在
% }0 d5 m+ ~; y) P. q2 {3 l2.更换PMOS，问题依旧
3.更换NPN，问题依旧
4.示波器捕获IO口和LDO的输出，纹波没问题
) j: F; T+ W* J( `( s1 _# H0 K5.将R7改为200K,R9改为0R，问题依旧
6.将R7和R9都改为200K,电路工作正常

猜测原因
1.分压后，PMOS的开启电压由原来的Vgs=-3.3V至Vgs=-1.65V，漏极电流Id大约由3A至1.8A；
2.NPN的管，工作状态异常？无法说出个所以然来……3.下图是单位nC，我的理解这个量级也不会引起整个现象
3 e$ G4 i: Y- B  _
求论坛大神出手解答一下小弟的疑惑。

) g5 n, m' K2 ^) k

Jujianjun

这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

yhg-cad

R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快，冲击电流太大。
4 d7 d: `" F0 w2 |: V

大家伙好

这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的，PMOS导通的一瞬间，电容的充电电流很大

haoxia01

每次只要一发求助问题的帖，然后思路就清晰了，也就很快解决了。。
要给EDA365点赞了。
$ A9 Z: D9 |5 b  s8 r: f/ J4 y4 W
解决思路
1.通过现象分析后，既然通过电阻分压就解决，那么很可能是由于PMOS的开关导致的，
2 P) f7 W) W# X2.如帖描述，通过分压减少的了Drain端的驱动能力，那么很可能是开关的瞬间导致的，
1 b8 _& z* K0 O. N7 O: h: B1 |* b3.通过在R7和R9之间的点，并联电容到地。
8 \6 J) @% W! ?6 s+ c+ e/ C    那么在初始态，电容通过S端过R7充满电，当IO口拉到后，NPN管导通，PMOS管的G极由于R9和C的存在，Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程，其中到达Vt后，管子导通，并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。
8 i2 ~7 e0 m" Z7 \0 b0 z问题得以暂时解决！
- I  ^7 `4 ?. w- M留帖纪念

goodboy32

能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

Joen0_0

支持一个

haoxia01

goodboy32 发表于 2018-9-30 08:53
/ s- {/ ~: ~1 ^/ j) A# }能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

在二楼写了呀，在R7-R9之间加了100nF电容到地

victor0123

学习了

lize314

学习了  我也用了NPN控制PMOS 还没开始调试

Linta

NPN管控制PMOS管用过很多，没碰到过你说的这种现象。

hegx_2008

学习了

hegx_2008

我也没碰到过

Joen0_0

三极管不要用IO口直接驱动B极

haoxia01

Jujianjun 发表于 2018-10-14 10:05
这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

' O+ w3 k5 q- g; f% D5 j多谢版主出手相助！