NPN管控制PMOS管的怪现象

haoxia01

: k1 X. ^& G1 Z( E# U1 H

2 o4 p; G5 _! q6 g% t1 g7 v如图所以，问题也描述在图上
& {4 x- i* ]: X7 @" g! f+ }1.去掉负载，问题依旧存在
2.更换PMOS，问题依旧
% n8 w2 o, O- ~3.更换NPN，问题依旧
7 ^- _5 F  z+ H- e. X4.示波器捕获IO口和LDO的输出，纹波没问题
5.将R7改为200K,R9改为0R，问题依旧
( Y4 [- Z" W/ X: g+ W2 k, P6.将R7和R9都改为200K,电路工作正常

猜测原因
+ }  |2 _4 E" y' ~" j! D. h1.分压后，PMOS的开启电压由原来的Vgs=-3.3V至Vgs=-1.65V，漏极电流Id大约由3A至1.8A；
2.NPN的管，工作状态异常？无法说出个所以然来……3.下图是单位nC，我的理解这个量级也不会引起整个现象

/ Q) @+ k8 H, z- p: t求论坛大神出手解答一下小弟的疑惑。
$ v# N! W: ]+ G  [, R$ ]
5 Y$ @7 X3 `6 h5 i; k" l' p
6 i8 ]& `; X5 j# {8 P8 G

Jujianjun

这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

yhg-cad

R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快，冲击电流太大。

大家伙好

# w4 p' l' F$ q  Z+ U
这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的，PMOS导通的一瞬间，电容的充电电流很大

haoxia01

每次只要一发求助问题的帖，然后思路就清晰了，也就很快解决了。。
要给EDA365点赞了。
( B/ _- `4 v  ~" G0 X! A
解决思路
6 _# s  P' X6 C& l: q& u4 J' C8 m& ^1.通过现象分析后，既然通过电阻分压就解决，那么很可能是由于PMOS的开关导致的，
8 j0 a7 h% }' b2.如帖描述，通过分压减少的了Drain端的驱动能力，那么很可能是开关的瞬间导致的，
$ d7 l! O- D. [3.通过在R7和R9之间的点，并联电容到地。
    那么在初始态，电容通过S端过R7充满电，当IO口拉到后，NPN管导通，PMOS管的G极由于R9和C的存在，Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程，其中到达Vt后，管子导通，并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。
# z) I8 }8 M3 J; r/ h+ k" d6 S问题得以暂时解决！
9 Q- r% p" `- N* e$ f9 F留帖纪念

goodboy32

能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

Joen0_0

支持一个

haoxia01

goodboy32 发表于 2018-9-30 08:53
能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

/ z+ q' C. Y8 t; \; i, o' a在二楼写了呀，在R7-R9之间加了100nF电容到地

victor0123

学习了

lize314

学习了  我也用了NPN控制PMOS 还没开始调试

Linta

NPN管控制PMOS管用过很多，没碰到过你说的这种现象。

hegx_2008

学习了

hegx_2008

我也没碰到过

Joen0_0

三极管不要用IO口直接驱动B极

haoxia01

Jujianjun 发表于 2018-10-14 10:05
- R8 d4 {0 k. Y4 {8 W! Z# ~这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

多谢版主出手相助！