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6 t9 k( |3 S! \1 h3 P4 x“电子产品失效分析与可靠性案例”技术研讨会的邀请函
5 Y) c; t E9 J$ I2 X5 t值此IPFA2009国际集成电路与失效分析会议即将在中国召开之际,为响应业内各界朋友的强烈要求,满足电子产品生产与设计企业对产品质量及可靠性方面的需要、解决工程师遇到失效分析与可靠性问题时的疑点和盲区、打破理论与实际脱钩的窘境、达到失效现象与失效原因直接挂钩、提高产品可靠性的效果,我们特决定在全国组织举办此次“电子产品失效分析与可靠性案例”技术研讨会。
$ m h" ~# {, T. ^4 T7 c: I研讨会将特别邀请具有45年失效分析与材料科学经验的IPFA技术专家与教学经验丰富的讲师共同主持,通过讲解大量案例,帮助与会者了解电子元器件的失效分析与可靠性的技术手段。具体事宜通知如下: 1 @( H+ E8 W" c5 r- V
协办单位:苏州中科集成电路设计中心;苏州市集成电路行业协会% `+ @4 Q# i% X" T
二、培训地点、时间:' D/ [$ m3 V% A, i
苏州专场:苏州工业园区国际科技园,1天, 2009年3月14日9:00-17:00;路线图见附图1。
3 B6 x: d; d1 I; X三、培训费用:
6 k; h: X4 {$ M培训资料费:100元/人(如果不需要,可以免除) t7 Y3 g' J, ?; p G
证书费:100元/人(如果不需要,可以免除)& C \, B% W. s1 E! n
注:如果人数在3人以上请提前电话预约。 _& T( d$ ~) g7 R8 h) {
午餐:免费;
& V4 A& r0 t; S' O请在开班前传真报名或电子邮件传回执表。
# Q) [# A% f$ z8 K4 F, [四、课程对象:质量部经理、失效分析工程师、可靠性工程师、质量工程师、设计工程师、工艺工程师、研究员等;
( [2 C0 P! f! W; k$ ?五、课程提纲:
k" X1 _$ v: Wa)
2 I: z' e0 ` b, V9 U2 Z( B封装结构的常见失效现象 b)
7 L, o" b2 g. V9 ]1 n% u硅晶元的基础知识 c); Y" ]( c* _& D# T5 h8 M
封装材料特性与失效案例 b)
- i- [3 i. r3 L0 o; Z8 _) V1 N0 M$ E镀层结构效应 c) N- E2 R4 @+ p% p& ^
金属间化合物的生长与可焊性案例 4、
& @- N" l0 a( d6 W x引脚镀层失效分析 a)3 n, e% ~) _! Q8 {# H
非对称性引起的引脚侧移失效案例 b)+ R& o: E- p6 W$ s1 Z" I4 ]5 ~3 u
锡须案例分析 c)0 {6 |# C* i: V4 B1 q5 H1 Y4 b
枝晶案例分析 d)' f5 d, w6 n3 t; J+ a
铅枝晶案例分析 e)
& y A; X' ]0 I) f/ N, k& a1 H金枝晶案例分析 f)4 ]- } T# f5 y5 H C7 v
铜枝晶案例分析 5、# m- E) J7 |% k8 G
焊锡连接性失效分析 a)
, @7 h0 F: |8 w$ r& c% b3 R+ y失效分析概念区别介绍 b)" ^* R2 \% y. W. m) c4 `
通过证据调查的流程判断失效分析结果的有效性 c)
+ C% [; A# k& ~5 t8 S失效分析流程对于IC连接性失效的盲区典型案例 d)* H2 T& V! ], v6 H
液晶IC短路失效的分析过程剖析典型案例 e)
* z9 Y7 b0 @9 z' H6 `* {0 m引脚开路失效中的分析过程剖析典型案例 f)' C+ t. g# V# z- F M* h$ H" P! W
IC直流参数性失效中电路分析的难处典型案例 g)
! y! Y: Q1 L0 Y/ b0 c0 C. i从工艺过程与模拟试验挖掘失效原因的典型案例 h)
& l$ J9 v$ ?1 \# r+ {" u, l8 w$ e0 T闪存IC功能性失效的失效分析的典型案例 | i)
5 t# w: t; W* f& Y2 WPVC技术对芯片物理失效分析的典型案例 j)
# s1 G5 F# f* Q2 eESD静电放电失效与EOS过电失效的现象区别 a)
% f8 F7 n! z2 T5 IPCB黑焊盘典型失效案例 b) |1 }! [! l% p" k* s; J
BGA焊点开裂失效原因与分析过程详解 c)! o! c9 T9 t1 u) n0 p0 {/ }; O# a
温度冲击与温湿度储存的可靠性试验对锡须生长的评估案例 d)
/ ] M" ~& m) e无铅过渡的润湿不良典型案例 e)5 {3 ~9 ?: R' I- o( ^, a3 @
可焊性镀层科肯达尔效应引发的失效案例 g)9 [9 `, m; C" [7 W6 S3 K, [% ?
外观光学显微分析 h). Q4 C7 F, E- {1 t
电学失效验证 i)
: F: G! a) X+ i% N5 K6 Q) uX-ray透视检查 j)% y, A7 H6 N* C/ ~
SAM声学扫描观察 k)+ l* X; P7 J! x) W9 P9 k; j
开封Decap l)
$ z7 V; b" ?- p0 d* Q% d6 O, `7 A内部光学检查 m)
% |4 I( M/ C! vEMMI光电子辐射显微观察 n)
9 o6 K7 l$ u. k2 z9 k2 c# R' C离子蚀刻、剥层分析Deprocessing o)
* n T5 z" r0 e/ p; M金相切片Cross-section q)9 z1 T1 C5 B+ w. y9 e
电镜与能谱SEM/EDS、俄歇AES、XPS a)
/ v; G0 ]$ N2 T8 R, ~5 z L& p/ U整机的MTBF计算案例 b)
# `. m) c, R1 }集成电路漏电流可靠性加速因子与激活能 的计算与Minitab可靠性软件应用案例 a) ~/ [+ q4 o } K. j$ m
盐雾实验Salt b)8 B9 Q% u2 m0 p0 ^; b/ }0 k
紫外与太阳辐射UV c); w' u8 Y$ E& ^
回流敏感度测试MSL d)$ F( e$ I+ `+ |% }6 E0 K( ]( P
高加速寿命试验HALT | , p) _& `% o* ]
Tim Fai Lam博士
$ | \/ X _& X8 {! l R林博士,1939年出生于香港,物理和材料科学工程博士。有45年的材料科学、失效分析与可靠性工作经历,历任高级技术专家组成员(Member of Technical Staff and Senior Member of Technical Staff.),首席工程师,技术专家组成员和失效分析高级工程师,是国内第一批从事扫描电镜与能谱仪工作的科学家,从1964年到1989年间从事材料科学方面的科研工作并著有多部专著,1990年起,被邀请到AMD(超微半导体)新加坡从事失效分析与可靠性工作,凭借在物理和材料科学领域中的丰富经验和广博学识, 他解决了IC封装技术的许多关键问题。1994年以来,他的研究领域又拓展到了IC设计和制造领域的一个有力工具:有限元分析(FEA). 他建立了700多个有限元分析模型以解决AMD在全世界各分厂
+ { ?4 u7 [( H提出的问题,发表了有关有限元分析的100多篇正式报告与论文,其中有的被刊登在在国际会议和出版物上,因其学术地位及影响力,多次受邀担任IPFA、ISTFA等国际顶级失效分析与可靠性学术会议的技术委员会主席、论文评审组长等职务。他还曾为美国,新加坡,泰国,菲律宾和中国等地区的半导体企业、以及各大学和教育机构举办讲座或开设讲习班,深受学员好评。% c2 P# D- Y3 I5 o! J
! V$ d- a9 b- T l* a# q* c: O
刘学森:高级咨询师、专职讲师,硕士,上海交大材料系工科背景,IPFA国际物理与失效分析协会会员,电子元器件可靠性与失效分析、微观材料成份分析资深技术人士。有10余年的失效分析与可靠性工作经历,曾任英特尔公司可靠性与失效分析部门资深分析师,熟知各类实验室分析设备与技术手段,在集成电路失效分析与可靠性领域有丰富的实践经验,处理过大量生产线或者研发阶段的电子产品质量与可靠性异常案例,主持筹建过多个实验室,包括AMD半导体公司失效分析与可靠性实验室、信息产业部电子第五研究所失效分析与理化检测(华东)实验室、华碧失效分析与可靠性实验室。在失效分析和可靠性方面从事过的主要项目有:“叠层芯片内置电源PSIP的封装结构失效分析与可靠性设计项目” ;“闪存芯片的功能性失效机理研究”;“集成电路CS59工艺失效分析去层技术的研发”;“工业液晶线路板整机可靠性论证”;“电脑主板无铅工艺转换的失效分析与可靠性评估”等。在IPFA国际物理与失效分析协会的刊物发表多篇论文,连续3年在各大企业的质量与可靠性人才培训中,讲授电子元器件可靠性物理与失效分析课程,累计培训了上万余人。$ ]& g3 i7 P# H& C
' x- Q% o, @# X( D: Z2 O5 z4 l( I% ?2 q
七、联系方式:
# x7 ^, B9 l; m# z8 Z电+ m3 C# u! o) | P9 T% W
话:0512-69170010-824' L C& ?7 G) _' n6 ^8 m. K
传8 M) s+ S/ G+ ?! l
真:0512-69176059
6 h( b$ l. v, f1 f1 d 手
) u+ Z2 x' C7 P" ?# x机: 13732649024 E-MAIL: liuhaibo339@126.com
: C4 {0 I( s7 @4 H联系人:刘海波
3 X8 d2 H0 ?' l7 X/ B W" @9 ~) ^2 u5 R, x. d/ W' X) `
附图一:
! u3 E& n+ J; R6 H1 l* M% L) o0 d# ~) }* A6 u
1 ^2 P; l( U# E! e0 k8 S# t
8 a, \5 [/ g* ~报名单位名称:9 K2 j, K4 p* q, a" h
序
( r* K$ O. k& M | 姓 名
# d. r0 r6 E; J1 J | 性别
1 p6 z5 }& X! Q# F$ T | 职务
7 I+ x( O- r7 t( z" z8 t | 电 话
# L! V* J" Z" m' H | | 1; {% B0 e0 K, N# |+ F
| ; e7 A" G) g" W% }6 n5 e- n: c; n2 V
# m: r) h" M/ {* r# [1 w% b6 c |
, x6 Y! N2 x; ~& [+ M: [! c: m+ M" h& _* v
|
( I3 f7 E8 o9 u: N7 Q( @( F- S; [- }: z( o2 x! V8 V
|
3 z2 E0 X f E0 R! ?' }+ h0 f! J! ?
& ?6 t6 O; g1 y2 q | * d% [3 f. x& d% l4 ^6 |
| 27 ]' h# I9 a7 Z. m) P. O
| ' ]7 t" Q I' T& K2 \4 u! D/ n
( o* H2 S7 K( p7 g/ d6 @
| ) ^( }% M4 E; j7 i
, M" E' X. |/ S4 `
| 0 _/ a5 V' q3 x) R9 p. H; A
0 Y7 R# [1 o8 v/ M2 d2 a |
) o2 c2 V" l) ^- B) P4 G8 X, T: P5 Y, s6 G7 B
| % J5 w* o; _( F( E1 f4 q
| 3
8 R( E+ e( p. h$ X8 @ | ' s, _) p2 \9 R' ~' l1 v
|
) e+ H) ^- Q" W: M' v |
: C( ?0 t" G# Z7 C( h | 3 D$ x8 l2 ?2 V
|
9 H; D5 d) i4 j8 E2 b/ r& r | 4, A9 B9 O% T5 T+ r
|
7 @. L+ v6 A2 v |
2 H1 `+ J, D: n" M- q |
0 ~4 Z/ v9 X" G; V: A7 u( g" } |
" V. {( z! u" ^( E7 q# Q | 4 Y( ?' ]0 y) s6 Y3 s8 U" A$ A
| | 是□( T4 l, o; u9 P9 {; S0 l' E
否□
" x6 p9 S z4 a3 ?8 _: D: Z2 Q | | 宿:280-300元/标间(费用自理);食:午餐免费、其他费用自理。
7 D4 E4 \7 w7 G0 t# D0 O | 请注明欲参加班次(请在括号里打√)
5 Z/ _6 b- N( y! ~0 U6 k苏州〖 〗2008年3月 14日, ^. B3 E; X4 ~; ?9 X/ `1 K/ K; s
| 注意: 此表格请填写完整,会议需凭本人名片和回执单入场,以便领取会议资料。
! R' P" z6 w: s* D1 e& z( M 回执名单后请与我司人员电话联系,以便我们确认收到您的回执单。
- N5 a8 J% q; t1 O4 c/ ^8 i$ K |
# V: b1 y9 ~- j J+ Q
& p. ]. A, O3 R9 q( ` R3 L5 {: x8 O2 r
| | | | | | | | 电子元器件失效分析与可靠性案例5 |- V+ J$ C! P. C' U3 i; ^
| | 3月
: l$ K. _$ t0 o |
c L, Q" w0 @) U* ^+ m _9 _ | | | 可靠性基础技术(可靠性设计、环境应力试验[高低温、振动冲击等试验]、三防试验、增长试验等); P& |: ?2 [5 Q
| | & w. S M4 ^* l, w2 N
3月4 X7 n+ Z" i0 y0 `8 s* B# o2 X5 a
|
' t3 d& m2 G' \* y! u+ { | | | PCBA无铅工艺可靠性与失效分析专题
" t+ u8 A2 N v+ e( L | | 4月
& r! r1 W- k% x3 Y9 y% d5 m& Y+ R; r- r |
0 x) a P. P8 t' r/ ^2 J- O | | | 元器件可靠性加速寿命评测技术: `* V. f c9 R4 e7 C% v. G
| | 4月
) L- v% N9 x+ l9 s |
' _" [4 e d6 W5 h3 r | | | 元器件常见失效机理与案例专题6 q0 P! {: d0 T! h
| | 5月8 J e& C8 J3 G( v0 ?
| 7 _+ W$ N9 q, x% {2 R3 `
| | | 可靠性寿命分布与Minitab软件拟合实战* ~" P1 P! o8 k
| | 5月9 p1 P1 ?+ B5 _3 @
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0 j5 v5 b3 u3 {9 t | | | 电子产品静电防治技术高级研修班# P7 F, b0 D6 C! n7 [$ T
| | 5月2 Z; f4 O% z6 t/ {8 @, C
|
0 K4 C0 `; _9 g) y* Z | | | 失效分析技术与设备
# J) f5 R, `+ Y第四讲 可靠性试验与设备& c" ?; l) P! @/ ^
| | 5月
" m. R- h* J& L* V |
& k7 N4 f& {% O$ B | | | 6 Sigma BB (6 西格玛黑带)4 I# C) n5 s! @% C' i
| | 5月
! {, C# g# }/ T | 0 o) |8 B2 T) R, y4 H* A
| 0 J2 w+ u7 l+ |5 i9 W1 Y; U. @
| | 整机MTBF与可靠性寿命专题. }1 B6 P& @; ]! A* e: |) S
| | 6月/ [2 V# n% @( R
| & U; _3 J, b0 s
| | | FIB、剥层技术与芯片级失效分析专题& D j+ t2 ^, g$ ?) N& |) j
| | 6月
5 K U/ H3 t/ K' o2 @ R3 o | 3 S, A: e" k# D# O2 l
| | | 射频集成电路技术
- I8 O# |+ H' E6 S% y. n: r | | 6月 E( H7 h% w9 w1 K/ Z, o, y& P1 u& Z4 x% @
| 0 `& M! S$ h1 n' ?. X% X
| | | HALT与HASS高加速寿命试验专题
. Q s2 f7 ?6 z1 p | | 7月! r" ?- p+ k# B# K+ t" l/ F4 O! f: t
|
, j# A2 ^& D8 S | | | 电子产品从研发试制到批量生产的技术专题. ]' Y- Z4 p2 o) O0 j) h
| | 7月
4 L% G& P( i5 ?+ ]* k' J1 ?) R) I6 b |
7 e5 a+ j2 p; v5 F- e' z* V | | | 欧盟ROHS实施与绿色制造7 x7 Q/ F e8 v" N* J
| | 7月& E0 a+ N7 R* {8 z0 e, g% w7 U
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& B s2 _4 Z/ U* l% i) y | | | 电子及微电子封装的材料失效分析技术/ m# E k2 b( I5 y
| | 8月
6 i6 l+ Z$ g+ t; O, O0 V | . i& N$ p/ i) r9 N6 g* _# B
| | | FAB 工艺技术培训
: x1 S G4 [: u/ I | | 8月7 Q% N& M* P2 \6 \
' A7 r4 F' [+ h: `. i0 R' l | 9 C$ J7 g# H: c C+ r" d: O2 x1 x
| | | IC测试程序及技术培训( A4 ]& D$ X a8 |4 `' ]) n
| | 9月
9 v8 B* h7 }3 X* U/ y8 r) s$ F( Q | ! i+ r9 @9 m: w* {+ l1 S) q+ A& l
| | | 无铅焊点失效分析技术! _! E% W/ j! K" a$ r
| | 9月
) W1 H8 r( Y1 U$ W, j0 f9 A8 U5 S |
! Z D" Y6 t3 Z i' N | | | 环境试验技术
# \. h: ]: i) b u1 H: U2 k+ \; [% H$ E8 Q3 c. a4 Y
| | 10月
: v n# K" i4 d9 v | . z1 \6 f! T( \9 ?* f0 V9 _
| | | 电子产品失效分析与可靠性案例) c$ G" ]$ c* e# J
| | 10月
% B# {3 g" h: _3 A |
. _0 N5 a0 O) _4 w | | | 集成电路实验室管理与发展
' I) O; C% T2 J/ O: v | | 11月
& N8 J2 R4 m# l5 {- { | ) X: _8 ]8 o3 r, u
| | 您的意见与建议:4 K* n1 N3 l7 S
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6 s0 T' O2 q h注:可到客户企业内部进行部分课程的现场培训。3 B6 C/ C4 Z6 Z- ~6 ^& Z4 m
联系方式:中国电子失效分析与可靠性网, www.falab.cn 点击技术论坛可查各类培训课程与资料
* s$ r `1 E! q8 I电话/传真:0512-69170010-824" {# t2 [5 n. X; A5 J: x+ p5 w/ C
0512-69176059
+ b4 a# J& M/ l4 i! w5 q
; x5 G' ?: G: R- e* n联系人:刘海波
4 v7 y. j1 Z5 ~" [邮件: liuhaibo339@126.com/sales824@falab.cn$ O7 ~1 _. m; H8 o1 m
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