【咨询】海思芯片设计咨询

Linxf

海思开发板一般都是要求DDR部分不要作改动，预览前面的网页也有同学提到他们公司改动了几根后面出问题，可是问题是海思开发板的叠层参数给的都不是很完整，叠层结构以及各层的厚度有给出，但是介电常数都是4.5（从工程文件的Cross-section中查看），按这个参数结合线宽线距以及对阻抗的要求，制板厂家根本设计不出叠层参数，有了解的么

huo_xing

海思的板子ddr部分还是不动的好；特别是结构允许的情况。
* F# n. P3 L  H0 a你可以看看ddr部分，基本没有做等长的，说明海思在软件里做了write leveling。如果你改动线长，可能要重新调整write leveling参数。
5 g; F/ [/ M6 _% U) R% V至于阻抗问题可以让板厂解决；

myiccdream

你能够看出线宽吧？ 既然能够看出线宽，就按照单端50，差分100让厂家叠一个就好

xbin

海思的PCB文件，一般都会附加阻抗要求等信息的，你可以把所有图层打开看看。

dzkcool

阻抗控制的目的是要保证阻抗连续，而不是具体的阻抗值，可以按照海思开发板算出走线的阻抗，自己的实际板以这个阻抗值为目标去控制。

Linxf

huo_xing 发表于 2018-12-3 21:24
海思的板子ddr部分还是不动的好；特别是结构允许的情况。
4 \/ f. r+ c4 `  o$ u  \0 o! e你可以看看ddr部分，基本没有做等长的，说明海思 ...

谢谢您的答复！就是想着不去改动DDR部分

Linxf

myiccdream 发表于 2018-12-4 08:41
  W2 E2 y" t& p$ y) h6 |3 I( {! T你能够看出线宽吧？ 既然能够看出线宽，就按照单端50，差分100让厂家叠一个就好

嗯，线宽线距可以查看到，叠层的结构也可以查看，把这些信息给厂家，厂家回复设计不出50欧跟100欧的叠层参数表

Linxf

dzkcool 发表于 2018-12-4 13:42
阻抗控制的目的是要保证阻抗连续，而不是具体的阻抗值，可以按照海思开发板算出走线的阻抗，自己的实际板以 ...

& T$ K. [0 I* ]谢谢你的答复，感觉有这个可能，找FAE确认一下，谢谢你

asdf193

他们有个硬件手册，按地个手册的说，我就是按手册来改的

l8877l

海思什么平台的？我们经常由于结构限制DDR部分重新布线的。也没有发现什么问题。

dzkcool

可能是2层的机顶盒平台

summmmmm

dzkcool 发表于 2018-12-4 13:42
阻抗控制的目的是要保证阻抗连续，而不是具体的阻抗值，可以按照海思开发板算出走线的阻抗，自己的实际板以 ...

阻抗连续最重要，有个海思芯片我问过FAE，他们的demo也做不到单端50，单端他们只能做60多测试波形也没有问题。另外海思芯片的SDK里都会做ddr training，t走线调得太大有可能会training不过，就要自己调参数了。
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Linxf

summmmmm 发表于 2018-12-5 09:34
6 _4 c$ i$ D/ F2 W/ u阻抗连续最重要，有个海思芯片我问过FAE，他们的demo也做不到单端50，单端他们只能做60多测试波形也没有 ...

+ z+ ~4 h" T& ~5 Y$ |% E$ `6 q% P3 j刚好想了解下DDR training，因为我看还是得SI报告里都有一页时DDR training，这个跟writing level和reading level的training不是同一功能吧？听你说的意思是SDK里有个用来做DDR training的工具是么？不过需要调参数，是可以调哪些参数？是调输入输出的匹配阻抗？还有有延时可以调？
3 ~7 }6 ^! P/ ~8 e3 B' H" p, u. {谢谢~~
( o; T+ I5 f. S- w3 a% X

xiaohuang0216

很少用海思的芯片

南亭好远

按照原厂设计就可以了